TTL74 系列数字规律电路的参数

第[1234]页随着集成电路技术和工艺飞速进展， TTL74LS00系列和CMOS4000系列作为规律把握电路比较完善，在自动把握、家用电器制造、计算机应用、无线电通信、机电一体化工程领域获得了广泛的应用。对于电子工程技术人员，有必要了解这类集成电路的特性及功能，甚至需要获得其具体的技术手册，以满足工作的需求。我们在这里对这类常用的集成电路进展了汇编，并对其主要的功能框图或真值表进展了介绍，以便利大家查阅。TTL电路的一般特性♦电源电压TTL电路电源电压范围军用级工业品级(-40—85C)民用级C)4.5—5.5V4.75—5.25V4.75—5.25V♦工作速度TTL电路工作速度SN54/74SN54H/74HSN54SSN54LSSN54/74为标准系列，SN54H/74H为高速系列，SN54S/74STTL电路工作速度SN54/74SN54H/74HSN54SSN54LS/74S/74LS平均传输延迟时间(ns)10639.5平均功耗/每门(mW)1022192最高工作频率(MHz)355512545♦TTL电路输入特性TTL电路噪声容限低电平噪声容限低电平噪声容限(mV)(mV)74系列40040074H系列40040074S系列30070074LS系列300700

M洌第[1],[2],[3],[4]页TTL电路输入电流与驱动力气电流(mA)电流(mA)电流(uA)74-1.64074H-25074S-250电流(uA)7474H74S74LS-40010/108/88/844/20-50012.5/12.510/1010/1055/25-100012.5/12.510/2010/2055/504005/44/84/820/20TTL电路驱动力气TTL电路驱动力气输出低电平状态扇出数输入低电平输入高电平输岀低电平输岀高电平系列/输岀高电平状态扇岀数电流(mA)16202074LS-0.4208门电路的凹凸电平输岀特性如以以下图，对于图腾柱输岀构造，由于输岀状态转变时，两个输岀推动管可能会产生同时5.5.oooO32.LS20^-4€602466岀裂曲霍OEOT)TTL电路疑入特性曲践O2輸入电压血g6£.O-TTL毘歸与菲门电压转務特性啪钱

0.01—0.1的小电容，以消减TTL电路极限参数电源电压输入电压TTL电路极限参数电源电压输入电压输入电流存储温度环境温度〔C〕〔V〕〔V〕〔mA〕「C〕7-0.5—5.5-3.0—5-65—+150军用级-55—+125工业品级-40—85民用级0—70CMOS4000系列数字规律电路CMOS电路的一般特性

M削第[1],[2],[3],[4]页ooooo-UB642由才环境温度曲CE©□174Sj电□if0.0;Z■7F4/*Phr740ZQ40som输出拉电断豆电平輪出特性曲线QW£0低电平輪出特性曲谨各类TTL电路规律电平范围最大规律低电平输入电压〔V〕入电压〔V〕电压〔V〕电压〔V〕74系列0.82.00.42.474H系列0.82.00.42.474S系列0.82.00.52.774LS系列0.82.00.52.7*电源电压CMOS4000系列集成电路的工作电压范围为3—18VCOO0系列集成电路的工作电压为7—15V♦静态电流1515J510”带燼冲〔71》由钮弓歸051015□510ISM2输入电压〔V〕-55C-40C+85C+125C50.250.250.257.57.5100.50.50.5151515111303020555150150511130301022260601544412012020202020600600555515015010101010300300152020206006002010010010030003000CMOS4000系列不同工作环境下的静态电流静态电流类型CMOS4000系列不同工作环境下的静态电流静态电流类型工作电压门电路反相器触发器缓冲组合门器件CMOS最小规律“170%电源电压，最大规律“030%的电源电压，承受较高的电源电压可以提高噪声容限。CMOS的转移特性在-55—125C范围内受温度的影响很小。带缓冲级的CMOS门电路的转移特性至少是由三级转移特性想乘的结果， 因此，转换区域很窄，外形接近抱负矩形,并且不随输入端数而变化，噪声容限保证值达30%电源电压以上，典型转移特性如图1所示，不带缓冲输岀门电路噪声容限保证值达20%电源电压，典型转移特性如图2所示。CMOS4000系列数字规律电路 第[1],[2],[3],[4]页CMOS4000输出特性

-15-10CMOS系列集成电路的输岀特性与温度有关，特别是在电源10V时比较明显，输出电流与电源电压的关系如图3所示。CMOS4000带缓冲反相器输出特性参数测试条件参数参数名称单位输出电压〔V〕输入电压〔V〕电源电压CMOS4000带缓冲反相器输出特性参数测试条件参数参数名称单位输出电压〔V〕输入电压〔V〕电源电压〔V〕最大值 最小值输岀低电平电流mA输岀高电平电流mA输出低电平电压V输岀高电平电压输岀状态转换时间CL=50pFRL=200k输出谨电毓

电压大于当温度为0.40/50.40/550.510.50/10101.31.50/15153.44.60/55-0.519.50/1010-1.313.50/1515-3.40/550.050/10100.050/15150.050/554.950/10109.95V0/151514.95520010100nS1580CMOS4000极限参数OS4000OS4000极限参数参数名称极限值最大直流电源电压最大输入电压最小输入电压+18V电源电压+0.5V-0.5V陶瓷扁平封装〔14,16引脚〕〔环境温度=-55—100C〕陶瓷双列直插封装〔14,16引脚〕〔环境温度=-55—100C〕〔环境温度=100—125C〕200mW大允许功耗500mW200mW塑料双列直插封装(14,16,24引脚)(环境温度=-55—60C)(环境温度=60—85C)陶瓷扁平封装作温度范围 陶瓷双列直插封装塑料双列直插封装存储温度MOS4000工作速度

500mW200mW-55—100C155—125C-40—85C-65—150CCMOS门电路传输延迟时间分别小于S(VDD=5V),150nS(VDD=10V),110nS(VDD=15V),120Q上拉电阻，输出状态从一种状态转换成另一种规律状态所需要OS传输延迟时间大约按+0.25%厂C的温度系4负瑟电容数,4011的传输延迟时间和输岀状态转换时间与电容E15E15负戟电容@F)1 W4

1Y[ 11A[1B[1A[1B[1Y[2Vf2A[1^14234g115*101VDL1312 ]4AJ4Y23Y

14IVDD13S ZYcICuLLcJC 2

13

10[ 1C[4

12p11NC2Drrr3

、1J2 2C =7

Y=A+B+

1D[5 寸10 X¥ALLL4o

Y AS2BY=A+B+2B

§11T5 2A2B[aa]IBC^D2B[aa]IBC^DMC[6gVss[7S2Vss[7e

g]-2Y的时间U小于(输S(V的时间U小于(输S(VDD=5V),70nS(VDD=10V),50nS(VDD=15V),时规律低电平以10%电源电压、规律高电平以120Q上拉电阻。45所示。CMOS4000系列数字规律电路皿洌第[1],[2],[3],[4]页D4001数据手册 ”34002数据手册EC1EC1^14GC2 13DC3HC4811FC51CACe9VasC7 8]VCD10]¥]J]1]K]G敦互补对加因朝1D0[ 1X*NCE2 132D0r3D0[4D0[Vss[3/4=115*1067]VDD］心]204]2Q313Q39 14Q48 ]4Q3串入并出移位存放器

由四组移位存放器组成，其中有两组为4位，每组有一个输岀端，由最高位引岀。另两组为5位，每位有两个输岀端，分别在最高位和次高位引岀， 这四组有公共时钟输入端，每组均有一个数据D输入端。

1J4007数据手册¥=ABCC>¥=ABCC>1D[1C[ 4^11〕2C1QCE1CLK3匚1R4C1CC1SEVs;E]VDDJM1232Q1111CL10JK13功§疲CLEIhStLLL5LQQNCr6Vss[7109□2A8pMC4输入与非门vccvcc[11Y[?1615]6Y]VDD1A[ r]6A2丫[143A[3Y[62A[54go13]NC7Vw[吕12]5Y11]5A10]4¥gJ4AA4[A4[B3[A3[B2[A2[B1LA1[1^1623m14154g13512B7Vss[31VDO]B41COUT1S41S311 JS210 ]S19 ]CIH4位二进制超前进位全加器1AC1B[1V[1^14 JVOD23J*13J4B]4AZ2AC2VC—26[56VssC74g11J4Y10J3Yg]3B6]3A2输入与祚门口4008数据手册 ”114009数据手册 ”□4011数据手册1Y[1A[1^14213faVDD]2Y1B[3Z□2D32R12SttH3(LLLLLHHLHX工HLHLXXLHHHx>HH”114012数据手册 ”j4013数据手册数字规律电路使用指南 —深圳市凌雁电子◎CMOS◎CMOSTTL电路X我们建议依据右图电路连接，这种连接方式既可以cm?R2起到电平变换作用，又可以解决 CMOS驱动力气缺乏的问题，此外我们还可参考图2,调整分压电阻到达电平变换的目的，可谓一举两得。1TV2JlTLCOMSHCMOS使用一样的电源电压，问题就很简洁，直接连接即可。假设它们使用不同的电源电压，那么必需参照图12进展连接，主要考虑的是它们的电平变换问题。©TTLCMOS电路当它们使用一样的电源电压，可承受外接上拉电阻的方法提高TTL的驱动能力，参见图3。当使用不同的电源电压，也必需承受电平变换电路，参考图4。固然我们在选用器件时，也可考虑选用集电极开路型〔OC〕CMOS电路。可<HCMOSCMOS门电路使用一样的电源电压，HCMOSCMOSCMOS电源电压高于HCMOS门电路，亦可承受