GB/T 42975-2023半导体集成电路驱动器测试方法

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T42975—2023

半导体集成电路驱动器测试方法

Semiconductorintegratedcircuits—Testmethodofdriverdevice

2023-09-07发布2024-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T42975—2023

目次

前言

…………………………Ⅰ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

一般要求

4…………………1

静态参数测试

5……………2

输入高电平电压V

5.1(IH)………………2

输入低电平电压V

5.2(IL)………………3

输入钳位电压V

5.3(IK)…………………3

输入高电平电流I

5.4(IH)………………4

输入低电平电流I

5.5(IL)………………5

输入阻抗R

5.6(IN)………………………6

输出高电平电压V

5.7(OH)……………6

输出低电平电压V

5.8(OL)………………7

输出阻抗R

5.9(OUT)……………………8

输出漏电流I

5.10(LK)…………………9

输出短路电流I

5.11(OS)………………10

峰值电流I

5.12(PK)……………………10

差分输出电压V

5.13(OD)………………12

差分输出电压变化V

5.14(ΔOD)………………………14

共模输出电压V

5.15(OS)………………14

共模输出电压变化V

5.16(ΔOS)………………………15

静态电流I

5.17(DDQ)…………………15

动态参数测试

6……………16

电源电流I

6.1(DD)……………………16

输出由低电平到高电平传输延迟时间t

6.2(PLH)……………………17

输出由高电平到低电平传输延迟时间t

6.3(PHL)……………………20

输出上升时间t

6.4(r)…………………20

输出下降时间t

6.5(f)…………………21

输出偏斜t

6.6(SK)……………………21

时钟抖动j

6.7(ADD)……………………22

输入电容C和输出电容C

6.8(i)(O)……………………23

GB/T42975—2023

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院中国电子科技集团公司第二十四研究所安徽大华

:、、

半导体科技有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所广东省中绍宣标准化技术研究院有限公

、、

司中国电子科技集团公司第五十八研究所中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所成都

、、、

振芯科技股份有限公司

。

本文件主要起草人刘芳周俊杨晓强纵雷刘凡霍玉柱林瑜攀陆坚梁希王会影

:、、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T42975—2023

半导体集成电路驱动器测试方法

1范围

本文件规定了半导体集成电路驱动器以下简称器件的电特性测试方法的基本原理和测试程序

()。

本文件适用于系列驱动器总线驱动器开关驱动器达林顿驱动器时钟驱动器

74/54、、PIN、、、

驱动器驱动器和差分驱动器等各种半导体工艺制造的驱动器的电性能测试其他类

LVDS、MOSFET。

别驱动器的测试参考使用

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

集成电路术语

GB/T9178—1988

半导体器件集成电路第部分数字集成电路

GB/T17574—19982:

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T9178—1988。

4一般要求

41测试环境条件

.

除另有规定外电测试环境温度为+3环境气压如果环境湿度对试验有影

,25-5℃;86kPa~106kPa。

响应在相关文件中规定

,。

42测试事项

.

测试期间符合以下要求

,:

若无特殊说明环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定

a),;

外界干扰不应影