工学模电考试总结版高等教育工学

.振荡频率较低,1M以下;(2)LC振荡器-----振荡频率较低,1M以下;(2)LC振荡器-----振荡频率较-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型---通过改变射放大电路的等效电路法1．静态分析.2．动态分析*电压放大倍稳定工放大电路的等效电路1．静态分析作点共射法2．动态分析**PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为.β=β·β.一.β=β·β.一.集成运放电路的基本组成1.输入级----采电路，对数指数运算电路，这些都是要掌握的，不用死记，最好理解回路、引输入、看相位2.三点式LC振荡器*相位条件的判断--的范围----本级或级间。2.反馈的性质----交流、直流或*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。*二极管伏安特性----同结。的交点叫静态工作点Q。.位的高低:若V>V(正偏位的高低:若V>V(正偏)，二极管导通(短路);阳阴1）图解甲乙类互补对称功率放大电路1.问题的提出在两管交替时出现波形运算2.微分运算.一.正弦波振荡电路的基本概念1.产生正弦波七题看看，还有十，十二题高通电路：因为有旁路和耦合电容有下限与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1.与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本变压器耦合---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体--VCICRC+UCE确定的直线。*电路参数对静态工作点的’－U），放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路的等效*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳单相整流电容滤波电路的比较七.并联型稳压电路1.稳压电路与其失真输出电压的峰峰值。（2）范围*当（UCEQ－UCES单相整流电容滤波电路的比较七.并联型稳压电路1.稳压电路与其失真输出电压的峰峰值。（2）范围*当（UCEQ－UCES）＞前十道，P296的判断方法P292的例题P278279283三极管与其基本放大电路一.三极管的结构、类型与特点1.类型-1.类型---分为NPN和PNP两种。.还在是电流反馈不在是电压反馈反馈量以电压的方式叠加是串联反馈扰和噪声5.改变放大电路的输入、输出电阻*串联负反馈使输入电稳定工放大电路的等效电路1．静态分析作点共射法还在是电流反馈不在是电压反馈反馈量以电压的方式叠加是串联反馈扰和噪声5.改变放大电路的输入、输出电阻*串联负反馈使输入电稳定工放大电路的等效电路1．静态分析作点共射法2．动态分析*--多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻--CESCBOCEOCU表示h---输出端交流短路时的正向电流传输反馈使输出电阻减小1+AF倍*电流负反馈使输出电阻增加1+A记住电路图，了解高通，带通，带阻老师画的作业题都尽量再做一遍2．输出电压的脉动系数S3．正向平均电流反馈使输出电阻减小1+AF倍*电流负反馈使输出电阻增加1+A记住电路图，了解高通，带通，带阻老师画的作业题都尽量再做一遍2．输出电压的脉动系数S3．正向平均电流I4．最大反向电压U——输出电压的两种饱和状态:当u>u时，u=+U+-oom两CCCCCE*直流负载线---由V=IR+U确定的直线。cBQb.2.2.、2.、2.1、2.11.12.11.12.1、2.2.、2.、2.1、2.11.12.11.12.1、2.三极管与其基本放大电路一.三极管的结构、类型与特点1.类型--流电流流通的回路*画法--容视为短路,理想直流电压源视为短1V。3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电*交流负载线---连接Q点和V’点V’=U+IR’的CCCCCEQCQL*产生原因---Q点设置过低*消除方法---减小Rb，提高Q。*产生原因---Q点设置过高.大倍数－－－Ａ＊闭环放大倍数－－－Ａ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ结反偏。4.温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高特征*开环电压放大倍数Aod→∞；.*差模输入电阻大倍数－－－Ａ＊闭环放大倍数－－－Ａ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ结反偏。4.温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高特征*开环电压放大倍数Aod→∞；.*差模输入电阻Rid→∞~360o，效率较高，失真较大。二.乙类功放电路的指标估算1CEQCESCCCEQCEQCESCCCEQOPPOMAXCEQCESCCCEQCEQCES*当（U－U)V’U=2U=2IR’。OPPOMAXCQL－U）时，受截止失真限制，（2）Q点在放大区的条件..7V，锗管0.2~0.3V。*死区电压.7V，锗管0.2~0.3V。*死区电压----0.5V，锗-止电压二.绝缘栅型场效应管（MOSFET）分为增强型（EM.特性--敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体--净的具有单晶ie--出端交流短路时的输入电偏。增加。化）阻，.常用rbeB欲使Q点不进入饱和区，应满足R＞βRc。.(fL≤f≤(fL≤f≤fH).4．完整的基本共射放大电路的频率特性三.平衡条件：相位平衡条件：2.起振条件:幅值条件：相位条件:3在后一个管子的b-c极间。2.类型取决于第一只管子的类型。3缘栅型场效应管（MOSFE..*动态分析或*动态分析一.级间.析大倍数析大倍数*电压放削底，PNP管削顶。*削底，PNP管削顶。*消除方法--大Rb、减小Rc、增大VC电流。具有稳定输出电流的作用。（输出短路时反馈不消失）.4.的几道例题第七章1.比例运算电路，加减运算电路，积分微分运算）串联（并联）负反馈。四.负反馈对放大电路性能的影响1.提高（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）P转移（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）P转移特性曲线U-----截止电压MAX=2ICQRL’。*当（MAX=2ICQRL’。*当（UCEQ－UCES）＜（VCC位的高低:若V>V(正偏)，二极管导通(短路);阳阴1）图解随器。*输入电阻高，输出电阻低。第三章场效应管与其基本放大电.集成运放的电压传输特性当u在+U与-U之间，运放工作在线性二.绝缘栅型场效应管（MOSFE管0.1V。3.分析方法----极管断开，分析二极管两端电位N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少管0.1V。3.分析方法----极管断开，分析二极管两端电位N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少件深度负反馈的四种电路放大倍数（感觉出的可能性应该不大）5.源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上分为增强型（EMO和耗尽型（DMO两种。*N-EMOS的输出特性曲线DOGSTD*N-EMOS的转移特性曲线*N-DMOS的输出特性曲线.高,1M以上;(3)石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。OS）和耗尽型（DMOS）两种。结构示意图和电路符号2.特性输入在同一段是并联反之串联串联反馈增大输入电阻并联减小输入电吧第八章1.高,1M以上;(3)石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。OS）和耗尽型（DMOS）两种。结构示意图和电路符号2.特性输入在同一段是并联反之串联串联反馈增大输入电阻并联减小输入电吧第八章1.正弦波震荡电路：判断是否能产生自激振荡，不对的怎pmGSDPTGSE-MOS的跨导g---m.描述方法某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流——输出电压的两种饱和状态:当描述方法某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流——输出电压的两种饱和状态:当u>u时，u=+U+-oom两.正弦波振荡器的组成、分类正弦波振荡器的组成(1)放大电路-，Ａ升高，这种反馈称为正反馈。ｆ二．反馈的形式和判断1.反馈大倍数－－－Ａ＊闭环放大倍数－－－Ａ＊反馈深度－－－１＋ＡＦR//R//R=R//R//R二.大倍数－－－Ａ＊闭环放大倍数－－－Ａ＊反馈深度－－－１＋ＡＦR//R//R=R//R//R二.积分和微分运算电路1.积分高,1M以上;(3)石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。.β=β·β.一.集成运放电路的基本组成1.输入级----采或线式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD线式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。*N-DMO的分析方法1)运放工作在线性区:*电路特征——引入负反馈*电入特性曲线向左移动。温度升高I、I、I以与β均增加。三.低频的估算I大，管耗大，效率低。2.乙类工作状态I≈0，导通角为.还在是电流反馈不在是电压反馈反馈量以电压的方式叠加是串联反馈电压放大倍数双端输出单端输出时从VT1单端输出：从VT2还在是电流反馈不在是电压反馈反馈量以电压的方式叠加是串联反馈电压放大倍数双端输出单端输出时从VT1单端输出：从VT2单端，会算电流电压平均值·知道电感滤波的输出电压平均值·10.4位的高低:若V>V(正偏)，二极管导通(短路);阳阴1）图解大电路*静态分析或*大电路*静态分析或*动态分析.题目：69页1.1.1.、1.耦合方1.阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传制零点漂移的过程----当T↑→ii↓。、i↑→i、i↑→u还在是电流反馈不在是电压反馈反馈量以电压的方式叠加是串联反馈.正弦波振荡器的组成、分类正弦波振荡器的组成(1)放大电路-曲线*N-EMOS的输出特性曲线.*N-EMOS的转移特性曲串联改进型电容反馈三点式振荡器（克拉泼电路）.正弦波振荡器的组成、分类正弦波振荡器的组成(1)放大电路-曲线*N-EMOS的输出特性曲线.*N-EMOS的转移特性曲串联改进型电容反馈三点式振荡器（克拉泼电路）(4)并联改进型成分滤掉，使输出电压成为比较平滑的直流电压。稳压电路：自动保倍数级数（貌似不考多级的）级数越多下限截止频率越高上限截止频稳定工放大电路的等效电路1．静态分析作点共射法2．动态分析*流电源基本知识，包括整流滤波，稳压电路的作用·整流电路要弄懂五.电容滤波电路.1．放电时间常数的取值2.输出电压的平均值倍数级数（貌似不考多级的）级数越多下限截止频率越高上限截止频稳定工放大电路的等效电路1．静态分析作点共射法2．动态分析*流电源基本知识，包括整流滤波，稳压电路的作用·整流电路要弄懂五.电容滤波电路.1．放电时间常数的取值2.输出电压的平均值，CQCQc1mom一CCCESCC串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。R正弦波振荡电路1.变压器耦合式LC振荡电路判断相位的方法：断串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。R正弦波振荡电路1.变压器耦合式LC振荡电路判断相位的方法：断放大电路的动态分析.*放大倍数*输入电阻*输出电阻七.分压式件深度负反馈的四种电路放大倍数（感觉出的可能性应该不大）5.2CCCCCC理想时为78.5%.倍数稳定4.基本概念：放大倍数反馈系数闭环放大倍数等概念P2失真——交越失真(本质上是截止失真)。倍数稳定4.基本概念：放大倍数反馈系数闭环放大倍数等概念P2失真——交越失真(本质上是截止失真)。2.解决办法甲乙类双电负反馈。2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。3．当ＡＦ＜０时烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。2静态分析1)计算差放C2C1C2E1E2EBE1BE2B1B2C1CLRe对温度漂移与各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。BECE单端输出时(设VT1集电极接R)对于VT1：对于VT2：.↑→u、u↓→↑→u、u↓→i、i↓→i、Re对温度漂移与各种共模信号有强的平均功率4.管耗P=0.2P5.效率理想时为78.5%三.电流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。反馈信号反馈到输入端）的倒数）判断电路能否产生自激振荡1+AF》1是深度负反馈的条从VT1单端输出：从VT2单端输出：单端输出:.2第五章.没有复杂的计算题重点是基础概念把自测题和作业题的前线(饱和管压降，用2第五章.没有复杂的计算题重点是基础概念把自测题和作业题的前线(饱和管压降，用U表示放大区---发射结正偏，集电结反偏。可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）.转移特性曲线UP---串联改进型电容反馈三点式振荡器（克拉泼电路）(4)并联改进型+-oom+-*共模抑制比KCM∞；“虚短”---“虚断”---+-oom.象---NP削顶，PNP管削底。*消除方法--象---NP削顶，PNP管削底。*消除方法--小Rb，提高Q记住电路图，了解高通，带通，带阻老师画的作业题都尽量再做一遍积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。3)放大电路，以提高放大倍数。3.输出级----多采用互补对称ｆ（输出短路时反馈消失）（输出短路时反馈不消失）.电容反馈三点式振荡器（西勒电路）(5)四.石英晶体振荡电路1电容反馈三点式振荡器（西勒电路）(5)四.石英晶体振荡电路1直流等效电路法*总的解题手段--二极管断开，分析二极管两端电)放大电路，以提高放大倍数。3.输出级----多采用互补对称分析2．动态分析*电压放大倍数.*输入电阻*输出电阻3.电路反馈信号反馈到输入端）反馈信号反馈到非输入端）.形的形状良好。*正弦波振荡器的分类(1)RC振荡器-----倍数级数（貌似不考多级的）级数越多下限截止频率越高上限截止频形的形状良好。*正弦波振荡器的分类(1)RC振荡器-----倍数级数（貌似不考多级的）级数越多下限截止频率越高上限截止频、1.9`1.1.1193页例2.3.、、141页2.、2.U3.输出电压的脉动系数S4.整流二极管的平均电流I六.三种*串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍*并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍*电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍*电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍分析依据------“虚断”和“虚短”R=R//R.RR=R//RRR=R//R特点*电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随特点*电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随输交流信号；式体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。2.位的高低:若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳<制零点漂移的过程----当T↑→ii↓。、i↑→i、i↑→u--电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si--电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2截止区---发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响温度升高，输在后一个管子的b-c极间。2.类型取决于第一只管子的类型。3只有电压串和电流并稳定电压是电压反馈稳定电流是电流反馈反馈与.振荡频率较低,1M以下;(2)LC振荡器-----振荡频率较振荡频率较低,1M以下;(2)LC振荡器-----振荡频率较1V。3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电电路法1.静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q点在放大’－U），放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路的等效二.RC正弦波振荡电路.1集电极接R)对于1集电极接R)对于VT1：对于VT2：.3.动态分析1）差模制零点漂移的过程----当T↑→ii↓。、i↑→i、i↑→u形的形状良好。*正弦波振荡器的分类(1)RC振荡器-----（UCEQ－UCES）。*当（UCEQ－UCES）＝（VCC*相位条件的判断------“射同基反”或“三步曲法”Ce后*输出电阻八Ce后*输出电阻八.共集电极基本放大电路1．静态分析.3.电线(饱和管压降，用U表示放大区---发射结正偏，集电结反偏。直流等效电路法*总的解题手段--二极管断开，分析二极管两端电——输出电压的两种饱和状态:当u>u时，u=+U+-oom两.稳定工放大电路的等效电路1．静态分析作点共射法2．动态分析稳定工放大电路的等效电路1．静态分析作点共射法2．动态分析*Ｎ结。*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.工作状态任意状态：Uom≈Uim尽限状态：Uom=V-UC用差放电路，以减小零漂。2.中间级----多采用共射(或共源O(AV)滤波电路：将交流成分滤掉，使输出电压成为比较平滑的直流1．输出电压的平均值UＮ结。*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0流负载线平移，Ｎ结。*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0流负载线平移，Q点发生移动。2.交流通路与动态分析.*概念-(哈特莱电路)(2)电容反馈三点式振荡器(考毕兹电路)(3)放大电路的动态分析.*放大倍数*输入电阻*输出电阻七.分压式O(AV)D(AV)D(AV)O(AV)、D(AV)RM4．最大反向电压URM1．输出电压的平均值U4．最大反向电压URMUS、IU与半波整流电路相同。.平衡条件：相位平衡条件：2.起振条件:幅值条件：相位条件:3源互补对称功率放大器平衡条件：相位平衡条件：2.起振条件:幅值条件：相位条件:3源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上阻增加1+AF倍*并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍*电压负变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使uo偏离初始O(AV)D(AV)ZOZMOmax.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以率进行振荡。(4)稳幅环节反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以率进行振荡。(4)稳幅环节-------使波形幅值稳定，且波在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc。2.＊环路增益－－－ＡＦ：1．当ＡＦ＞０时，Ａ下降，这种反馈称为ZminZZmaxUO*限流电阻R的计算第一章半导体二极管锗Ge)。2.特性--敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体--净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子---有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体--本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素*载流子的浓度--子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温.曲线*N-EMOS的输出特性曲线.*N-EMOS的转移特性曲曲线*N-EMOS的输出特性曲线.*N-EMOS的转移特性曲运算2.微分运算.一.正弦波振荡电路的基本概念1.产生正弦波缘栅型场效应管（MOSFE..*动态分析或*动态分析一.级间.并联型石英晶体振荡器.一.直流电源的组成框图电源变压器：将*体电阻--常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型--过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN结*PN结的接触电位差--材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。*PN结的单向导电性--偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性*单向导电性----导通，反向截止。.受饱和失真限制，U=2U=2（U受饱和失真限制，U=2U=2（U－U）。*当（U－U）＝（V出功率，转换效率·9,2要掌握，会算效率，最大管压降，最大输倍数级数（貌似不考多级的）级数越多下限截止频率越高上限截止频振荡频率较低,1M以下;(2)LC振荡器-----振荡频率较该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。直流等效电路法低:*三种模型微变等效电路法.iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致表明场效应管是电压控制器件)四.场效应管的小信号等效模型.ER的范围是：第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体CCES理想状态：Uom≈VCC2.输出功率3.直流电源提供*稳压二极管的特性--常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章三极管与其基本放大电路1.类型--为NPN和PNP两种。与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。.不变，负载变化时的稳压过程:2.电路参数的计算*不变，负载变化时的稳压过程:2.电路参数的计算*稳压管的选择管伏安特性---同-ＰＮ结。*正向导通压降----0.6~0记住电路图，了解高通，带通，带阻老师画的作业题都尽量再做一遍入信号的大小。X减小为负反馈；X增大为正反馈。三.反馈形式的2.三极管内各极电流的分配*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。*输入特性曲线--二极管。(饱和管压降，用UCES表示截止区--射结反偏，集电结反偏。温度升高，输入特性曲线向左移动。三.低频小信号等效模型（简hie--出端交流短路时的输入电化）.电流。具有稳定输出电流的作用。（输出短路时反馈不消失）.4.-MOS的跨导电流。具有稳定输出电流的作用。（输出短路时反馈不消失）.4.-MOS的跨导gm---五.共源极基本放大电路1.自偏压式偏和VCC’点VCC’=UCEICQRL’的直线。3.静态工作C。4.放大器的动态范围（1）Uopp--是-指放大器最大不hfe--出端交流短路时的正向电流传输比，*概念--流电流通的回路。*画法--容视为开路。*作用--定静态工作点*直流负载线--VCICRC+UCE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1）改变Rb：Q点将沿直流负载线上下移动。2）改变Rc：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。.2.2.、2.、2.2.、2.、2.1、2.11.12.11.12.1、2..正弦波振荡器的组成、分类正弦波振荡器的组成(1)放大电路-吧第八章1.正弦波震荡电路：判断是否能产生自激振荡，不对的怎区的条件.欲使Q点不进入饱和区，应满足R＞βRc。放大电路的*概念--流电流流通的回路*画法--容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用--析信号被放大的过程。*交流负载线---连接Q点和VCC’点VCC’=UCEICQRL’的3.静态工作点与非线性失真*产生原因--点设置过低*失真现象---NP削顶，PNP管削底。*消除方法--小Rb，提高Q。*产生原因--点设置过高*失真现象---NP削底，PNP管削顶。*消除方法--大Rb、减小Rc、增大VCC。*当（UCEQ－UCESVCC’－UCEQ.甲乙类互补对称功率放大电路1.问题的提出在两管交替时出现波形可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）甲乙类互补对称功率放大电路1.问题的提出在两管交替时出现波形可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）.转移特性曲线UP---2．输出电压的脉动系数S3．正向平均电流I4．最大反向电压U电耦合3.2掌握习题3.23.33.43.53.63.73.UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。*当（UCEQ－UCESVCC’－UCEQ）时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES*当（UCEQ－UCESVCC’－UCEQ放大器将有最大的不失真输出电压。（2）Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc。放大电路的动态分析.电路*静态分析.*电路*静态分析.*动态分析若源极带有Cs，则六.共漏极基本放71闭环放大倍数的一般表达式P273自激振荡的条件（绝大多数倍数稳定4.基本概念：放大倍数反馈系数闭环放大倍数等概念P2倍数级数（貌似不考多级的）级数越多下限截止频率越高上限截止频放大电路的等效电路作点共射法2．动态分析.+表示），并设信号的频率在中频段。（2）根据该极性，逐级推断+表示），并设信号的频率在中频段。（2）根据该极性，逐级推断电路IBE2)计算差放电路UCE双端输出时单端输出时(设VT成分滤掉，使输出电压成为比较平滑的直流电压。稳压电路：自动保射放大电路的等效电路法1．静态分析.2．动态分析*电压放大倍在Re两端并一电解电容Ce后输入电阻在Re两端并一电解电容Ce后2．动态分析.穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体--穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体--本征半导体中掺入微量尤其是集成运放都满足1+AF》1此时闭环放大倍数等于反馈系数的等效电路法1.静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q点------正向导通，反向截止。*二极管伏安特性----同Ｐ*电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简*输入电阻高，输出电阻低。场效应管与其放大电路穿区）.失真——交越失真(本质上是截止失真)失真——交越失真(本质上是截止失真)。2.解决办法甲乙类双电持负载电压的稳定。二.单相半波整流电路1．输出电压的平均值U反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。.*输出特性曲U3.输出电压的脉动系数S4.整流二极管的平均电流I六.三种转移特性曲线UP----止电压MOSFET）分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。结构示意图和电路符号*N-EMOS的输出特性曲线.脉动系数S3．正向平均电流I4脉动系数S3．正向平均电流I4．最大反向电压URM四.单相桥大倍数－－－Ａ＊闭环放大倍数－－－Ａ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ’－UCEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路器是重点，要理解推导过程，结论尽量记住。了解其他滤波器，最好*N-EMOS的转移特性曲线*N-DMOS的输出特性曲线是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。1.漏极饱和电流IDSS2.夹断电压Up3.开启电压UT4.直流输入电阻RGS5.低频跨导gm(表明场效应管是电压控制器件).法--容视为开路。*法--容视为开路。*作用--定静态工作点用。能传*直流负载线线式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。*N-DMO体结构的半导体。4.两种载流子---有正、负电荷的可移动的空出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+表示，降低用－表示）E-MOS的跨导gm---动态分析.效应管（JFET）1.效应管（JFET）1.结构示意图和电路符号2.输出特性曲线（并一电解电容Ce后*输出电阻八.共集电极基本放大电路1．静态的压降产生偏置电压。动态指标按乙类状态估算。甲乙类单电源互补于杂质浓度，少子浓度与温.度有关。*体电阻--常把杂质半导体若源极带有Cs，则或.输出：2）差模输入电阻3输出：2）差模输入电阻3）差模输出电阻双端输出：单端输出:三描述方法某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流扰和噪声5.改变放大电路的输入、输出电阻*串联负反馈使输入电------正向导通，反向截止。*二极管伏安特性----同Ｐ第三章合第四章第五章..’－UCEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。六.’－UCEQ），放大器