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半导体器件原理南京大学第二章基本物理与PN结I。若干概念(1)载流子浓度与费米能级第1页半导体器件原理南京大学（2）迁移率高温： 晶格散射控制（T-3/2），对载流子浓度相对不敏感；低温： 杂质散射控制，强力依赖于载流子浓度。

MOSFET反型层中迁移率远低于体迁移率（表面迁移率）第2页半导体器件原理南京大学（3）扩散电流第3页半导体器件原理南京大学（4）薄层电阻率（5）速度饱和第4页半导体器件原理南京大学II。器件中基本方程（1）泊松方程（2）德拜长度(能带对掺杂突然改变响应长度）第5页半导体器件原理南京大学（3）电流密度方程（准费密势）第6页半导体器件原理南京大学（4）连续性方程及少子寿命（5）介质驰豫时间（：多子响应时间,很小，10-12s）第7页半导体器件原理南京大学III。P-N结（1）内建势突变结第8页半导体器件原理南京大学第9页半导体器件原理南京大学第10页半导体器件原理南京大学第11页半导体器件原理南京大学（2）薄i层P-I-N二极管第12页半导体器件原理南京大学第13页半导体器件原理南京大学（3）二极管方程第14页半导体器件原理南京大学(1)假设电压降仅发生在耗尽区，体内为准中性区(2)若体内压降不可忽略，Vapp必须由V

app代替。第15页半导体器件原理南京大学（4）电流电压特征第16页半导体器件原理南京大学a:均匀掺杂(p-n结p区）第17页半导体器件原理南京大学b:单边突变结（n+-p)正偏反偏第18页半导体器件原理南京大学c:宽基二极管W/Ln>>1正偏反偏第19页半导体器件原理南京大学第20页半导体器件原理南京大学第21页半导体器件原理南京大学d:窄基二极管W/Ln<<1正偏反偏第22页半导体器件原理南京大学e:漏电流扩散电流：正比于ni2，或exp（-Eg/kT）产生电流：正比于ni，或exp（-Eg/2kT）第23页半导体器件原理南京大学（5）开关特征充电时间宽基窄基放电时间宽基窄基tB(10-11s)<<

n(10-7s)第24页半导体器件原理南京大学（6）扩散电容

n+(wide)-p(narrow)结 CDn>>CDp第25页半导体器件原理南京大学(7)击穿

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