紫外纳米压印技术

紫外纳米压印光刻技术电科142唐延刚14461223纳米科技是20世纪80年代末逐步发展起来的前沿交叉学科领域，它的发展大大拓展和深化了人们对客观世界的认识，并将带来新一轮的技术革命。纳米电子学、纳米材料、纳米机械共同组成了纳米高技术群体，它的出现标志着高新技术进入了一个崭新的发展阶段。纳米结构制作是纳米器件研制的前提，成为研究微观量子世界的重要基础之一，其制作技术已成为当前世界科学研究急需解决的问题。美、日、德等发达国家对此十分重视，纷纷投入了大量的人力、物力进行研究开发。我国已将纳米科学的进展作为“十五”规划中科技进步和创新的重要任务，这为我国在21世纪初纳米科技的快速发展奠定了重要的基础。纳米技术为了适应集成电路技术的迅猛发展，在光学光刻努力突破分辨率极限的同时，替代光学光刻的下一代光刻技术在最近几年内获得了大量的研究，这些技术包括：极紫外（EUV）光刻技术、电子束光刻技术、纳米压印光刻技术等等。纳米压印技术是美国普林斯顿大学华裔科学家周郁在20世纪1995年首先提出的。这项技术具有生产效率高、成本低、工艺过程简单等优点，已被证实是纳米尺寸大面积结构复制最有前途的下一代光刻技术之一。目前该技术能实现分辨率达5nm以下的水平。纳米压印技术主要包括热压印（HEL）、紫外压印（UV－NIL）以及微接触印刷（μCP）。纳米压印技术是加工聚合物结构最常用的方法，它采用高分辨率电子束等方法将结构复杂的纳米结构图案制在印章上，然后用预先图案化的印章使聚合物材料变形而在聚合物上形成结构图案。什么是纳米压印技术？纳米热压印技术是在微纳米尺度获得并行复制结构的一种成本低而速度快的方法。该技术在高温条件下可以将印章上的结构按需复制到大的表面上，被广泛用于微纳结构加工。热印压技术热压工艺注意：整个热压印过程必须在气压小于1Pa的真空环境下进行，以避免由于空气气泡的存在造成压印图案畸变。热压印印章选用SiC材料制造，这是由于SiC非常坚硬，减小了压印过程中断裂或变形的可能性。此外SiC化学性质稳定，与大多数化学药品不起反应，因此便于压印结束后用不同的化学药品对印章进行清洗。在制作印章的过程中，先在SiC表面镀上一层具有高选择比（38∶1）的铬薄膜，作为后序工艺反应离子刻蚀的刻蚀掩模，随后在铬薄膜上均匀涂覆ZEP抗蚀剂，再用电子束光刻在ZEP抗蚀剂上光刻出纳米图案。为了打破SiC的化学键，必须在SiC上加高电压。最后在350V的直流电压下，用反应离子刻蚀在SiC表面得到具有光滑的刻蚀表面和垂直面型的纳米图案。印章的制备整个热压印过程可以分为三个步骤：1.聚合物被加热到它的玻璃化温度以上。这样可减少在压印过程中聚合物的粘性，增加流动性，在一定压力下，就能迅速发生形变。但温度太高也没必要，因为这样会增加升温和降温的时间，进而影响生产效率，而对模压结构却没有明显改善，甚至会使聚合物弯曲而导致模具受损。同时为了保证在整个压印过程中聚合物保持相同的粘性，必须通过加热器控制加热温度不变。

2.在印章上施加机械压力，约为500～1000KPa。在印章和聚合物间加大压力可填充模具中的空腔。

3.压印过程结束后，整个叠层被冷却到聚合物玻璃化温度以下，以使图案固化，提供足够大的机械强度，便于脱模。