第1章半导体器件习题课件

第1章半导体器件习题1.什么是本征半导体？什么是杂质半导体？各有什么特点。2.N型半导体是在本征半导体中掺入____价元素，其多数载流子是____，少数载流子是____。4.在室温附近，温度升高，杂志半导体中____的浓度将明显增加。5.什么是载流子的扩散运动、漂流运动？他们的大小主要与什么有关？3.Ｐ型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____，少数载流子是____。return６.在室温下，对于掺入相同数量杂质的Ｐ型、N型半导体，其导电能力___。（ａ）二者相同；（ｂ）Ｎ型导电能力强；（ｃ）Ｐ型导电能力强；第1章半导体器件习题1.什么是本征半导体？什么是杂质半1７.PN结是如何形成的？在热平衡下，PN结中有无净电流流过？8.PN结中扩散电流的方向是____，漂移电流的方向是____。9.PN结未加外部电压时，扩散电流____漂移电流；加正向电压时，扩散电流____漂移电流，其耗尽层____；加反向电压时，扩散电流____漂移电流,其耗尽层____；10.什么是PN结的击穿现象？击穿有哪两种？击穿是否意味PN结坏了？为什么？11.什么是PN结的电容效应？何谓势垒电容、扩散电容。PN结正向运用时，主要考虑什么电容？反向运用时，主要考虑何种电容？12.二极管的直流电阻RD和交流电阻rd有何不同？如何在伏安特性上表示？return７.PN结是如何形成的？在热平衡下，PN结中有无净电流流过？214.稳压二极管是利用二极管的＿＿＿特性进行稳压的。（a）正向导通；（b）反向截止；（c）反向击穿

室温下，当正向电流分别为、时估算其电阻的值试推导二极管正向导通时的交流电阻13.二极管的伏安特性方程为15.二极管电路如图所示,已知输入电压,二极管的正向压降和反向电流均可忽略.试画出输出电压的波形.(a)(b)(c)(d)return14.稳压二极管是利用二极管的＿＿＿特性进行稳压的。（a）正316.电路如图所示,,试画出输出电压的波形.(a)(b)17.由理想二极管组成电路如图所示,试确定各电路的输出电压.(a)(b)6kΩ6kΩreturn16.电路如图所示,,试画出输出电压418.为了使三极管能有效地起放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度

；基区宽度

；集电结结面积比发射结结面积

,其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用(即三极管反接),能否起放大作用?19.三极管工作放大区时,发射接结为

,集电结为

；工作在饱和区时，发射结____,集电结____；工作在截止区时，发射结为_____，集电结为_____。(a)正向偏置,(b)反向偏置,(c)零偏置20.工作在放大区的某三极管，当IB从20μA增大40μA到时，IC从1mA变成2mA。它的β约为

。(50,100,200)21.工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是

,流过集电结的电流主要是

。(a)扩散电流,(b)漂移电流22.当温度升高时,三极管的β

,反向饱和电流ICBO

,UBE_____。

return18.为了使三极管能有效地起放大作用,要求三极管的发射区掺杂523.某三极管,其α=0.98,当发射极电流为2mA时,基极电流是多少?该管的β为多大?另一只三极管,其β=100,当发射极电流为5mA时,基极电流是多少?该管的α为多大?24.三极管的安全工作区受到哪些极限参数的限制?使用时,如果超过某项极限参数,试分别说明将会产生什么结果.25.放大电路中两个三极管的两个电极电流如图所示.(1)求另一个电极电流,并在图上标出实际方向.(2)判断它们各是NPN还是PNP型管,标出e、b、c极。(3)估算它们β和α的值.0.1mA4mA(a)()0.1mA6.1mA(b)return23.某三极管,其α=0.98,当发射极电流为2mA时,基极626.放大电路中，测得几个三极管的三个电极电压U1、U2、U3分别为下列各组数值，判断它们是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管，并确定e、b、c。（1）U1=3.3VU2=2.6VU3=15V（2）U1=3.2VU2=3VU3=15V（3）U1=6.5VU2=14.3VU3=15V（4）U1=8VU2=14.8VU3=15V27.用万用表测量某些三极管的管压降为下列几组值,说明每个管子是NPN型还是PNP型,是硅管还是锗管,并说明它们工作在什么区域.（1）UBE

=0.7V,UCE

=0.3V（5）UBE

=-0.2V,

UCE

=-0.3V（2）UBE

=0.7V,UCE

=4V（6）UBE

=-0.2V,

UCE

=-4V（3）UBE

=0V,UCE

=4V（7）UBE=0V,

UCE

=-4Vreturn26.放大电路中，测得几个三极管的三个电极电压U1、U2、U728.电路如图所示,已知三极管为硅管,UBE=0.7V，β=50，ICBO可不计,若IC=2mA希望,试求(a)图Re和（b）图Rb的值,并将二者进行比较。(a)(b)return29.场效应管又称为单极性管,因为_____;半导体三极管又称为双极性管,因为______。30.半导体三极管通过基极电流控制输出电流,所以属于______控制器件，其输入电阻_____;场效应管通过控制栅极电极,控制输出电流,所以属于_____控制器件,其输入电阻______。28.电路如图所示,已知三极管为硅管,UBE=0.7V，β=831.简述N沟道结型场效应管的工作原理.32.简述绝缘栅N沟道增强型场效应管的工作原理.33.绝缘栅N沟道增强型与耗尽型场效应管有何不同?34.场效应管的转移特性曲线如图所示,试表出管子的类型(N沟道还是P沟道,增强型还是耗尽型,结型还是绝缘型)0(a)0uGSiDUT(c)0uGSiDUT(d)-UpuGSiDIDSS-Up0uGSiD(b)IDSSreturn31.简述N沟道结型场效应管的工作原理.32.简述绝缘栅N沟935.已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA,UP=-4V画出它的转移特性曲线.36.已知某MOS场效应观的输出特性如图所示,分别画出时的转移特性曲线.returniD/mAuDS/V1234369035.已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA,UP=-4V10return37.场效应管放大电路及管子转移特性如图所示.(1)计算静态工作点参数IDQ、UGSQ、UDSQ。(2)若静态工作点处跨导gm=2mA/V,计算Au、ri、ro。+UDD=+18V200kΩ10kΩ10kΩ10kΩ62kΩ2.2ＭΩreturn37.场效应管放大电路及管子转移特性如图所示.+1138.源极跟随器电路如图所示,设场效应管参数UP=-2V，IDSS=1mA(1)用解析法确定静态工作点ID、UGS、UDS及工作点跨导(2)计算Au、ri、ro。12KΩ

RG12ＭΩRG２560kΩRS12kΩ+UDD=+15VRL38.源极跟随器电路如图所示,设场效应管参数UP=-2V，11239.由场效应管及三极管组成两级放大电路如图所示,场效应管参数为IDSS=2mA，gm=1mA/V;三极管参数rbb’=86Ω，β=80(1)估算电路的静态工作点(2)计算该两级放大电路的电压放大倍数Au及输入电阻ro和输出电阻ri39.由场效应管及三极管组成两级放大电路如图所示,场效应管参13第1章半导体器件

习题答案（部分）2.五、电子、空穴3.三、空穴、电子4.少子6.（a）7．无8．ＰＮＮＰ9．等于、大于、变窄、小于、变宽。13.(常温下UT=26mV)当ID=1mA时，rd=26Ω；当ID=2mA时，rd=13Ωreturn14.（c）第1章半导体器件

习题答案（部分）2.五、电子、空14(c)ωtωtωt(a)ωtωt(b)15.ωt(d)uouo(c)ωtωtωt(a)ωtωt(b)15.ωt(d)uou15ωt(a)16.uoωt(b)ωtuoωtωt(a)16.uoωt(b)ωtuoωt1617.（a）Uo=+6V（b）Uo=-6V18.高、窄、大19.（a）、（b）；（a）、（a）；（b）、（b）。20.21.（a）、（b）22.增大、增大、减小23.IC=αIE=1.96mAIB=IE-IC=0.04mA

25.0.1mA4mA(a)0.1mA6.1mA(b)4.1mAbceβ=40α=0.976PNPbce6mAβ=60α=0.98NPNreturn17.（a）Uo=+6V（b）Uo=-6V18.高17return26.（1）NPN硅b、e、c（2）NPN锗b、e、c（3）PNP硅c、b、e