PIE工程师之必备和PLC控制的车辆出入库管理梯形图控制程序

PIE

PIEPIE1.何谓PIE?PIE的主要工作是什幺?答：ProcessIntegrationEngineer(工艺整合工程师),主要工作是整合各部门的资源,对工艺持续进行改善,确保产品的良率（yield）稳定良好。2.200mm，300mmWafer代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为200mm,直径为300mm硅片即12吋.3.目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer,工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。4.我们为何需要300mm?答：wafersize变大，单一wafer上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍5.所谓的0.13um的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。6.从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um代表着每一个阶段工艺能力的提升。7.一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N,P-typewafer?答：N-typewafer是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片,P-type的wafer是指掺杂positive元素(3价电荷元素,例如：B、In)的硅片。

8.工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积)、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。9.一般硅片的制造常以几P几M及光罩层数(masklayer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(masklayer)代表什幺意义？答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um的逻辑产品为1P6M(1层的Poly和6层的metal)。而光罩层数（masklayer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）.10.Wafer下线的第一道步骤是形成startoxide和zerolayer?其中startoxide的目的是为何？答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si表面。②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。11.为何需要zerolayer?答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的,各层次之间以zerolayer当做对准的基准。12.Lasermark是什幺用途?WaferID又代表什幺意义?答：Lasermark是用来刻waferID,WaferID就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。13.一般硅片的制造(waferprocess)过程包含哪些主要部分？答：①前段（frontend）-元器件(device)的制造过程。②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation）14.前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份?答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)②阱区离子注入（wellimplant）用以调整电性③栅极(polygate)的形成④源/漏极（source/drain）的形成⑤硅化物(salicide)的形成15.STI是什幺的缩写?为何需要STI?答：STI:ShallowTrenchIsolation(浅沟道隔离)，STI可以当做两个组件（device）间的阻隔,避免两个组件间的短路.

16.AA是哪两个字的缩写?简单说明AA的用途?答：ActiveArea,即有源区，是用来建立晶体管主体的位置所在，在其上形成源、漏和栅极。两个AA区之间便是以STI来做隔离的。17.在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？答：①STIetch（刻蚀）的角度；②STIetch的深度；③STIetch后的CD尺寸大小控制。(CDcontrol,CD=criticaldimension)18.在STI的形成步骤中有一道lineroxide（线形氧化层）,lineroxide的特性功能为何？答：Lineroxide为1100C,120min高温炉管形成的氧化层，其功能为：①修补进STIetch造成的基材损伤；②将STIetch造成的etch尖角给于圆化(cornerrounding)。圆化圆化角度尺寸大小角度尺寸大小要注意SiN的要注意SiN的remain及HDPoxide的loss这里的SACoxide是在SiNremove及padoxideremove后，再重新长过的oxide19.一般的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤?功能为何？答：阱区离子注入调整是利用离子注入的方法在硅片上形成所需要的组件电子特性，一般包含下面几道步骤：①WellImplant：形成N,P阱区；②ChannelImplant：防止源/漏极间的漏电；③VtImplant：调整Vt（阈值电压）。20.一般的离子注入层次（Implantlayer）工艺制造可分为那几道步骤?答：一般包含下面几道步骤：①光刻(Photo)及图形的形成；②离子注入调整；③离子注入完后的ash(plasma(等离子体)清洗)④光刻胶去除（PRstrip）21.Poly（多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些?答：①Gateoxide(栅极氧化层)的沉积；②Polyfilm的沉积及SiON(在光刻中作为抗反射层的物质)的沉积）；③Poly图形的形成(Photo)；④Poly及SiON的Etch；⑤Etch完后的ash(plasma(等离子体)清洗)及光刻胶去除（PRstrip）；⑥Poly的Re-oxidation（二次氧化）。22.Poly（多晶硅）栅极的刻蚀(etch)要注意哪些地方？答：①Poly的CD(尺寸大小控制；②避免Gateoxie被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.23.何谓Gateoxide(栅极氧化层)?答：用来当器件的介电层，利用不同厚度的gateoxide,可调节栅极电压对不同器件进行开关24.源/漏极(source/drain)的形成步骤可分为那些?答：①LDD的离子注入（Implant）；②Spacer的形成；③N+/P+IMP高浓度源/漏极(S/D)注入及快速热处理(RTA：RapidThermalAnneal)。25.LDD是什幺的缩写?用途为何?答：LDD:LightlyDopedDrain.LDD是使用较低浓度的源/漏极,以防止组件产生热载子效应的一项工艺。26.何谓Hotcarriereffect(热载流子效应)?答：在线寛小于0.5um以下时,因为源/漏极间的高浓度所产生的高电场,导致载流子在移动时被加速产生热载子效应,此热载子效应会对gateoxide造成破坏,造成组件损伤。27.何谓Spacer?Spacer蚀刻时要注意哪些地方？答：在栅极(Poly)的两旁用dielectric（介电质）形成的侧壁，主要由Ox/SiN/Ox组成。蚀刻spacer时要注意其CD大小，profile(剖面轮廓)，及remainoxide(残留氧化层的厚度)28.Spacer的主要功能?答：①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域;②作为ContactEtch时栅极的保护层。29.为何在离子注入后,需要热处理(ThermalAnneal)的工艺?答：①为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤;②使注入离子扩散至适当的深度;③使注入离子移动到适当的晶格位置。30.SAB是什幺的缩写?目的为何？答：SAB：Salicideblock,用于保护硅片表面，在RPO(ResistProtectOxide)的保护下硅片不与其它Ti,Co形成硅化物(salicide)31.简单说明SAB工艺的流层中要注意哪些?答：①SAB光刻后（photo），刻蚀后(etch)的图案（特别是小块区域）。要确定有完整的包覆（block）住必需被包覆（block）的地方。②remainoxide(残留氧化层的厚度)。32.何谓硅化物(salicide)?答：Si与Ti或Co形成TiSix或CoSix,一般来说是用来降低接触电阻值（Rs,Rc）。33.硅化物(salicide)的形成步骤主要可分为哪些?答：①Co(或Ti)+TiN的沉积；②第一次RTA（快速热处理）来形成Salicide。③将未反应的Co(Ti)以化学酸去除。④第二次RTA(用来形成Ti的晶相转化,降低其阻值)。34.MOS器件的主要特性是什幺？答：它主要是通过栅极电压（Vg）来控制源，漏极(S/D)之间电流，实现其开关特性。35.我们一般用哪些参数来评价device的特性？答：主要有Idsat、Ioff、Vt、Vbk(breakdown)、Rs、Rc；一般要求Idsat、Vbk(breakdown)值尽量大，Ioff、Rc尽量小，Vt、Rs尽量接近设计值.36.什幺是Idsat?Idsat代表什幺意义？答：饱和电流。也就是在栅压(Vg)一定时，源/漏(Source/Drain)之间流动的最大电流.37.在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Idsat?答：PolyCD(多晶硅尺寸)、GateoxideThk(栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度、Vtimp.条件、LDDimp.条件、N+/P+imp.条件。38.什幺是Vt?Vt代表什幺意义？答：阈值电压（ThresholdVoltage），就是产生强反转所需的最小电压。当栅极电压Vg<Vt时,MOS处于关的状态，而Vg〉=Vt时，源/漏之间便产生导电沟道，MOS处于开的状态。

39.在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Vt?答：PolyCD、GateoxideThk.(栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度及Vtimp.条件。40.什幺是Ioff?Ioff小有什幺好处答：关态电流，Vg=0时的源、漏级之间的电流，一般要求此电流值越小越好。Ioff越小,表示栅极的控制能力愈好,可以避免不必要的漏电流(省电)。41.什幺是devicebreakdownvoltage?答：指崩溃电压（击穿电压），在Vg=Vs=0时，Vd所能承受的最大电压，当Vd大于此电压时，源、漏之间形成导电沟道而不受栅压的影响。在器件越做越小的情况下，这种情形会将会越来越严重。42.何谓ILD?IMD?其目的为何？答：ILD：InterLayerDielectric,是用来做device与第一层metal的隔离（isolation），而IMD：InterMetalDielectric，是用来做metal与metal的隔离（isolation）.要注意ILD及IMD在CMP后的厚度控制。IMDIMDMetal-1CT43.一般介电层ILD的形成由那些层次组成？答：①SiON层沉积(用来避免上层B,P渗入器件)；②BPSG（掺有硼、磷的硅玻璃）层沉积；③PETEOS（等离子体增强正硅酸乙脂）层沉积；最后再经ILDOxideCMP(SiO2的化学机械研磨)来做平坦化。44.一般介电层IMD的形成由那些层次组成？答：①SRO层沉积(用来避免上层的氟离子往下渗入器件)；②HDP-FSG（掺有氟离子的硅玻璃）层沉积;③PE-FSG（等离子体增强,掺有氟离子的硅玻璃）层沉积；使用FSG的目的是用来降低dielectrick值,减低金属层间的寄生电容。最后再经IMDOxideCMP(SiO2的化学机械研磨)来做平坦化。

45.简单说明Contact(CT)的形成步骤有那些?答：Contact是指器件与金属线连接部分，分布在poly、AA上。①Contact的Photo（光刻）；②Contact的Etch及光刻胶去除(ash&PRstrip)；③Gluelayer（粘合层）的沉积；④CVDW（钨）的沉积⑤W-CMP。46.Gluelayer（粘合层）的沉积所处的位置、成分、薄膜沉积方法是什幺？答：因为W较难附着在Salicide上,所以必须先沉积只Gluelayer再沉积WGluelayer是为了增强粘合性而加入的一层。主要在salicide与W(CT)、W(VIA)与metal之间,其成分为Ti和TiN,分别采用PVD和CVD方式制作。47.为何各金属层之间的连接大多都是采用CVD的W-plug(钨插塞)?答：①因为W有较低的电阻；②W有较佳的stepcoverage(阶梯覆盖能力)。48.一般金属层(metallayer)的形成工艺是采用哪种方式?大致可分为那些步骤?答：①PVD(物理气相淀积)Metalfilm沉积②光刻(Photo)及图形的形成；③Metalfilmetch及plasma(等离子体)清洗（此步驺为连序工艺，在同一个机台内完成，其目的在避免金属腐蚀）④Solvent光刻胶去除。49.Topmetal和intermetal的厚度，线宽有何不同?答：Topmetal通常要比intermetal厚得多，0.18um工艺中intermetal为4KA,而topmetal要8KA.主要是因为topmetal直接与外部电路相接，所承受负载较大。一般topmetal的线宽也比intermetal宽些。50.在量测Contact/Via（是指metal与metal之间的连接）的接触窗开的好不好时,我们是利用什幺电性参数来得知的?答：通过Contact或Via的Rc值，Rc值越高，代表接触窗的电阻越大,一般来说我们希望Rc是越小越好的。51.什幺是Rc?Rc代表什幺意义？答：接触窗电阻，具体指金属和半导体（contact）或金属和金属(via)，在相接触时在节处所形成的电阻，一般要求此电阻越小越好。

52.影响Contact(CT)Rc的主要原因可能有哪些?答：①ILDCMP的厚度是否异常；②CT的CD大小；③CT的刻蚀过程是否正常；④接触底材的质量或浓度（Salicide，non-salicide)；⑤CT的gluelayer（粘合层）形成；⑥CT的W-plug。53.在量测Poly/metal导线的特性时,是利用什幺电性参数得知?答：可由电性量测所得的spacing&Rs值来表现导线是否异常。54.什幺是spacing?如何量测?答：在电性测量中，给一条线(polyormetal)加一定电压，测量与此线相邻但不相交的另外一线的电流，此电流越小越好。当电流偏大时代表导线间可能发生短路的现象。55.什幺是Rs?答：片电阻（单位面积、单位长度的电阻），用来量测导线的导电情况如何。一般可以量测的为AA(N+,P+),poly&metal.56.影响Rs有那些工艺?答：①导线line（AA,poly&metal）的尺寸大小。(CD=criticaldimension)②导线line（poly&metal）的厚度。③导线line(AA,poly&metal)的本身电导性。（在AA,polyline时可能为注入离子的剂量有关）57.一般护层的结构是由哪三层组成?答：①HDPOxide(高浓度等离子体二氧化硅)②SROOxide（Siliconrichoxygen富氧二氧化硅）③SiNOxide58.护层的功能是什幺?答：使用oxide或SiN层,用来保护下层的线路，以避免与外界的水汽、空气相接触而造成电路损害。59.Alloy的目的为何?答：①Release各层间的stress（应力），形成良好的层与层之间的接触面②降低层与层接触面之间的电阻。60.工艺流程结束后有一步骤为WAT，其目的为何?答：WAT(waferacceptancetest),是在工艺流程结束后对芯片做的电性测量，用来检验各段工艺流程是否符合标准。（前段所讲电学参数Idsat,Ioff,Vt,Vbk(breakdown),Rs,Rc就是在此步骤完成）61.WAT电性测试的主要项目有那些?答：①器件特性测试；②Contactresistant(Rc)；③Sheetresistant(Rs)；④Breakdowntest；⑤电容测试；⑥Isolation(spacingtest)。62.什么是WATWatch系统?它有什么功能?答：Watch系统提供PIE工程师一个工具,来针对不同WAT测试项目,设置不同的栏住产品及发出Warning警告标准,能使PIE工程师早期发现工艺上的问题。63.什么是PCMSPEC?答：PCM(Processcontrolmonitor)SPEC广义而言是指芯片制造过程中所有工艺量测项目的规格,狭义而言则是指WAT测试参数的规格。64.当WAT量测到异常是要如何处理?答：①查看WAT机台是否异常,若有则重测之②利用手动机台Doubleconfirm③检查产品是在工艺流程制作上是否有异常记录④切片检查65.什么是EN?EN有何功能或用途?答：由CE发出,详记关于某一产品的相关信息(包括TechnologyID,ReticleandsomesplitconditionETC….)或是客户要求的事项(包括HOLD,Split,Bank,Runtocomplete,Package….),根据EN提供信息我们才可以建立Processflow及处理此产品的相关动作。66.PIE工程师每天来公司需要Check哪些项目(开门五件事)?答：①CheckMES系统,察看自己Lot情况②处理inlineholdlot.(defect,process,WAT)③分析汇总相关产品inline数据.(rawdata&SPC)④分析汇总相关产品CPtest结果⑤参加晨会,汇报相关产品信息67.WAT工程师每天来公司需要Check哪些项目(开门五件事)?答：①检查WAT机台Status②检查及处理WATholdlot③检查前一天的retestwafer及量测是否有异常④是否有新产品要到WAT⑤交接事项68.BR工程师每天来公司需要Check哪些项目(开门五件事)?答：①Passdown②Reviewurgentcasestatus③CheckMESissueswhichreportedbymoduleandline④Reviewdocumentation⑤Reviewtaskstatus69.ROM是什幺的缩写?答：ROM:Readonlymemory唯读存储器

70.何谓YE?答：YieldEnhancement良率改善71.YE在FAB中所扮演的角色？答：针对工艺中产生缺陷的成因进行追踪，数据收集与分析，改善评估等工作。进而与相关工程部门工程师合作提出改善方案并作效果评估。72.YE工程师的主要任务？答：①降低突发性异常状况。(Excursionreduction)②改善常态性缺陷状况。(Baselinedefectimprovement)73.如何reduceexcursion?答：有效监控各生产机台及工艺上的缺陷现况,defectlevel异常升高时迅速予以查明，并协助异常排除与防止再发。74.如何improvebaselinedefect?答：藉由分析产品失效或线上缺陷监控等资料，而发掘重点改善目标。持续不断推动机台与工艺缺陷改善活动，降低defectlevel使产品良率于稳定中不断提升75.YE工程师的主要工作内容？答：①负责生产过程中异常缺陷事故的追查分析及改善工作的调查与推动。②评估并建立各项缺陷监控(monitor)与分析系统。③开发并建立有效率的缺陷工程系统，提升缺陷分析与改善的能力。④协助module建立off-linedefectmonitorsystem,以有效反应生产机台状况。76.何谓Defect?答：Wafer上存在的有形污染与不完美，包括①Wafer上的物理性异物（如：微尘，工艺残留物，不正常反应生成物）。②化学性污染（如：残留化学药品，有机溶剂）。③图案缺陷（如：Photo或etch造成的异常成象，机械性刮伤变形，厚度不均匀造成的颜色异常）。④Wafer本身或制造过程中引起的晶格缺陷。77.Defect的来源？答：①素材本身：包括wafer,气体，纯水，化学药品。②外在环境：包含洁净室，传送系统与程序。③操作人员：包含无尘衣，手套。④设备零件老化与制程反应中所产生的副生成物。

78.Defect的种类依掉落位置区分可分为?答：①Randomdefect:defect分布很散乱②clusterdefect:defect集中在某一区域③Repeatingdefect:defect重复出现在同一区域79.依对良率的影响Defect可分为?答：①Killerdefect=>对良率有影响②Non-Killerdefect=>不会对良率造成影响③Nuisancedefect=>因颜色异常或filmgrain造成的defect,对良率亦无影响80.YE一般的工作流程?答：①Inspectiontool扫描wafer②将defectdata传至YMS③检查defect增加数是否超出规格④若超出规格则将wafer送到reviewstationreview⑤确认defect来源并通知相关单位一同解决81.YE是利用何种方法找出缺陷(defect)?答：缺陷扫描机(defectinspectiontool)以图像比对的方式来找出defect.并产出defectresultfile.82.Defectresultfile包含那些信息?答：①Defect大小②位置,坐标③Defectmap83.DefectInspectiontool有哪些型式？答：Brightfield&DarkField84.何谓Brightfield?答：接收反射光讯号的缺陷扫描机85.何谓Darkfield?答：接收散射光讯号的缺陷扫描机86.Brightfield与Darkfield何者扫描速度较快?答：Darkfield87.Brightfield与Darkfield何者灵敏度较好?答：Brightfield88.Reviewtool有哪几种？答：Opticalreviewtool和SEMreviewtool.89.何为opticalreviewtool?答：接收光学信号的opticalmicroscope.分辨率较差,但速度较快,使用较方便90.何为SEMreviewtool?答：SEM(scanningelectronmicroscope)reviewtool接收电子信号.分辨率较高但速度慢,可分析defect成分,并可旋转或倾斜defect来做分析91.ReviewStation的作用?答：藉由reviewstation我们可将Inspectiontool扫描到的defect加以分类,并做成分析,利于寻找defect来源92.YMS为何缩写?答：YieldManagementSystem93.YMS有何功能?答：①将inspectiontool产生的defectresultfile传至reviewstation②回收reviewstation分类后的资料③储存defect影像

94.何谓Samplingplan?答：即为采样频率,包含:那些站点要Scan②每隔多少Lot要扫1个Lot③每个Lot要扫几片Wafer④每片Wafer要扫多少区域95.如何决定那些产品需要scan?答：①现阶段最具代表性的工艺技术。②有持续大量订单的产品。96.选择监测站点的考虑为何？答：①以Zonepartition的观念，两个监测站点不可相隔太多工艺的步骤。②由yieldlossanalysis手法找出对良率影响最大的站点。③容易作线上缺陷分析的站点。97.何谓Zonepartition答：将工艺划分成数个区段，以利辨认缺陷来源。98.Zonepartition的做法？答：①应用各检察点既有的资料可初步判断工艺中缺陷主要的分布情况。②应用既有的缺陷资料及defectreview档案可初步辨认异常缺陷发生的工艺站点。③利用工程实验经由较细的Zonepartition可辨认缺陷发生的确切站点或机台99.何谓yieldlossanalysis?答：收集并分析各工艺区间所产生的缺陷对产品良率的影响以决定改善良率的可能途径。100.yieldlossanalysis的功能为何？答：①找出对良率影响最大的工艺步骤。②经由killingratio的计算来找出对良率影响最大的缺陷种类。③评估现阶段可达成的最高良率。101.如何计算killingratio?答：藉由defectmap与yieldmap的迭图与公式的运算，可算出某种缺陷对良率的杀伤力。

PLC控制的车辆出入库管理梯形图控制程序目录实习目的1TOC\o"1-2"\h\z\u二、实习内容11.控制要求12.PLC的I/O端口接线 23.I/O口地址分配34.梯形图45.设计原理6三、实习总结6四、PLC设计论文7一、实习目的使我们在实习的过程中详细了解PLC的功用及其原理，为以后的实习工作打下良好的基础，也为即将到来的毕业设计奠定下坚实的基础随着生产力和科学技术的不断发展，人们的日常生活和生产活动大量的使用自动化控制，不仅节约了人力资源，而且很大程度的提高了生产效率，又进一步的促进了生产力快速发展，并不断的丰富着人们的生活。目前，可编程控制器PLC主要是朝着小型化、廉价化、标准化、高速化、智能化、大容量化、网络化的方向发展，与计算机技术相结合，形成工业控制机系统、分布式控制系统DCS(DistributedControlSystem)、现场总线控制系统FCS(FieldbusControlSystem)，这将使PLC的功能更强，可靠性更高，使用更方便，适用范围更广。本设计是基于PLC的车辆出入库管理系统，采用两位LED来显示车库内车辆的实际数量。使用两个光传感器来监控车辆的进出并完成计数工作，车辆进入时经过两个传感器使显示数字加一，车辆外出时经过两个传感器使显示数字减一，但当车辆只经过一个传感器时不计数。为了防止意外计数错误，本系统采用反复程序校验，来提高系统的可靠性。首先，注意控制两个传感器之间的距离，用程序验证进出车库的是否是车辆，当人通过传感器时不计数；其次，采用逻辑互锁方式，启动加计数则要锁定减计数，产生加计数脉冲时则要锁定减计数脉冲，如此以保证可靠性；最后，及时的进行复位处理，以免车辆在传感器附近作往返运动时错误计数。二、实习内容控制要求：题目编号：16编制一个用PLC控制的车辆出入库管理梯形图控制程序入库车辆前进时，经过1#→2#传感器后计数器加1，后退时经过2#→1#传感器后计数器减1，单经过一个传感器则计数器不动作。出库车辆前进时经过2#→1#传感器后计数器减1，后退时经过1#→2#传感器后计数器加1，单经过一个传感器则计数器不动作。设计一个由两位数码管及相应的辅助元件组成的显示电路，显示车库内车辆的实际数量。变量约定：10001--启动100061#传感器10002--停止10007--2#传感器10003--清零0001--仓库显示空10004--=“1”入库操作10004--=“0"出库操作10005--=”1“前进操作10005--=”0“后退操作2.PLC接线图3.I/O地址分配输入信号输出信号传感器1#I0.1发光二极管Q0.2传感器2#I0.2接LED脚bQ1.0悬空I0.3接LED脚aQ1.1接LED脚cQ1.2接LED脚dQ1.3接LED脚eQ1.4接LED脚fQ1.5接LED脚gQ1.6接LED脚bQ2.0接LED脚aQ2.1接LED脚cQ2.2接LED脚dQ2.3接LED脚eQ2.4接LED脚fQ2.5接LED脚gQ2.64.梯形图设计原理1.光传感器的接收光被遮断时定义为“有信号”；2.传感器1#有信号时启动增计数逻辑；3.传感器2#有信号时启动减计数逻辑；4.传感器1#完成脉冲同时2#有信号，则启动增计数逻辑；5.传感器2#完成脉冲同时1#有信号，则启动减计数逻辑；6.传感器1#和传感器2#都完成脉冲后进行相应计数动作；7.传感器1#和传感器2#都没有信号时进行小复位动作；8.增计数与减计数的启动逻辑互锁；9.增计数和减计数的进行逻辑互锁。10.计数值超过+99后从零开始计数并报警（发光二极管）其中：条件2和条件3为“方向判定条件1”条件4和条件5为“方向判定条件2”三、实习总结本设计采用光传感器采集信号，使用完全PLC控制，完成了车辆出入库时的统计和显示工作，能够可靠的准确的无误的进行计数，无论单个车辆怎样的往返运动，都不会出现误计数和漏计数，而且在人通过光传感器时不会误计数。最后采用两个LED做显示，能够显示车库内车辆的实际数量。优点：本系统采用反复逻辑判定，计数动作准确可靠；设备简单安装方便；自动化程度高便于实现无人值守；抗干扰能力强，环保无污染；便于需要时进行扩展。缺点：PLC的输出口资源有点过于浪费。PLC实习论文实习虽然时间不长,但每天都在不断接受新知识、开阔新视野可编程控制器是集计算机技术、自动控制技术、通信技术为一体的新型自动控制装置。由于它可通过软件来改变控制过程，而且具有体积小、组装维护方便、编程简单、可靠性高、抗干扰能力强等特点，已广泛应用于工业控制的各个领域，是现代工业自动化三大支柱之一。随着技工教育的发展，为了适应PLC日益广泛应用形势，近几年，许多技工学校都开设了PLC这门课程。技工学校专业课程在理论要求方面难度不亚于大专院校，而技校层次的学生基础较薄弱，且近年生源素质不断下降，增加了技校教师的教学难度。另一方面，在新技术的专业课教材使用方面，没有成熟、统一的技校配套教材。如何在技工学校教好这门课程？现在笔者结合本人的教学实践，谈谈PLC教学的一些见解。

《PLC原理及应用》课程具有多变性、综合性、典型性、实践性和实用性五大教学特点，在教学过程中，既有一般又有特殊，既有新授又有复习，既有理论又有实训，既有工作原理又有编程方法，既有典型单元程序又有复杂实用案例，同时技工学校的学生又是一个学习基础、习惯和动机差异很大的群体。这就决定了我们技工学校的教师一定要根据本课程不同教学内容及其特点，采取不同的教学方法，同时，无论是理论教学还是实践教学，我们教师还要努力做到因材施教，在如何充分调动广大学生学习积极性和发挥广大学生主观能动性上多下功夫。但调查研究发现，目前担任《PLC原理及应用》的很多教师采取的是“一言堂”和“填鸭式”的教学，势必也就造成了“言者津津，听者昏昏”的教学局面。

《PLC原理及应用》课程教学上，尤其是PLC指令及应用、编程方法和实际应用等教学内容上，最适宜于采取双边互动式教学方法。在教学中，大胆引入“行为引导学”教学方法。为了搞好双边互动式教学，就要求我们教师在备课时把教材上静态的知识转化为课堂上动态的教学信息，并且在教学过程中要想方设法地创造出一个可以实现双边互动式教学的环境和气氛，通过创设情境、巧整理]设疑问、共同讨论、动手实践等多种教学方式，有效地开展双边互动式教学。不仅是老师传授给学生编程方法等，同时学生可以通过老师给出的任务书，从各方面获取资料，充分发挥学生的想象。这样不仅培养了学生的思维能力，而且在完成任务书的同时，不自觉地学会了解决问题的方法，在这过程中还增强了学生之间信息交流。例如：在介绍了一些基本指令后，让每个组的学生自己讨论这些指令能解决的基本电力拖动问题，并动手画有关的图片，有条件的可以用相机拍或者从网上下载与PLC应用有关的机床拖动图片，连成一幅作品，完成后粘贴在班级教室内，供学生参观他们所做的成我们知道，用于教学的PLC教材，在编写时一般是按照：基本原理、基本指令、基本应用、基本操作等分成各个独立的章节。编者按照结构严谨性进行编书，教师实施教学时，则要考虑有利于学习者的认知过程而开展教学。这是教材使用者要注意处理好的问题。如果任课老师按照教材的顺序进行教学，就是要将全部基本指令学习完毕，再学习基本应用，基本学习完毕再进行基本操作的学习。这样，在一段期间内学习完所有指令，学生学习后的印象不深刻，容易混淆，到基本应用的学习时，又得重新对所涉及的指令进行学习，效率不高。所有理论学习完后，才进行基本操作，不能互得益障，教学效果不好。

为此，我在PLC教学中采用了课题式单元教学，重新自编教学内容。任课老师通过多种途径搜集了上百个PLC应用实例，并通过筛选、整合成五个单元，每个单元由几个同类实例组成。每个课题以一个应用实例为主题，其内容包括了：应用实例的生产目的，生产条件和生产环境的介绍，用PLC实现控制的线路，所用的基本指令，编程方法、调试应用。由几个应用同类指令的实例课题组合成为一个教学单元，全部教学内容分为五个教学单元。五个单元主题分别是PLC原理、时序控制、计数控制、位置控制和特殊功能综合应用。单元内的课题按照其难易程度安排教学的先后顺序。第一单元有电机的点动控制、电动机的连续控制、电机的正反转控制、电机的手动Y-Δ控制、抢答器控制系统、数学显示控制系统这六个实例作为对PLC工作原理部分的学习（其中也包含几个最简单指令的学习）。第二单元以电机自动Y-Δ降压启动控制、两灯来回闪亮循环控制、多台电机顺序控制、货物传输带控制系统等四个实例为学习对象，学习按时间顺序控制的原理及应用。从以上列举的两个单元可知，任课老师精选设计的每个实例课题有一定的科学性、连贯性，由简到繁、由易到难。

目前在《PLC原理及应用》课程实践教学上，由于我们教师所编写的实训指导书详尽有余，明明白白，加之所做的实习实训都是“简单验证式”或“机械重复式”方面的项目，在一定程度上为学生“依葫芦画瓣”提供了方便，学生在实习实训时只需要进行程序输入、线路连接等简单操作即可顺利完成。这种实习实训教学方法，目前已被我们教师广泛认可和采用，但至少我认为：没有问题的、不需学生动脑的实习实训是毫无意义的。对于与PLC技术应用密切配合的实习实训教学，教师只有指导学生运用PLC编程方法亲自编程操作，在实习实训中既动手又动脑，既能发现问题又能在教师启发指导下分析问题和解决问题，才能从本质上学好这门课程，从而最终实现本课程在技工学校的教学目标，我们教师应该根据企业对PLC技术人才的需求，结合学校实际设备情况，针对技工学校本课程教学特点和教学目标，在如何引导广大学生在实习实训中既动手又动脑上多下功夫。技工学校是一个学生学习基础、动机和习惯差异很大的群体，因此实习实训教学同样要做到因材施教，采取因人而异的分层教学，即按学生学习能力分组，确定每组不同的实习实训目标，从而使成绩好的和成绩差的学生在实习实训中，都能够得到相应的锻炼和培养。除要求学生在规定时间做完基本的实习实训项目外，还要安排一定量的选修实验项目和研究性课题，让广大学生自主选择，教师现场指导，或者督而不导，从而促使学生自主地分析在实习实训中所遇到的问题，写出实验报告交教师评判，师生共同找出问题的解决办法。对于大型的实训项目，如电梯、机械手等，还可以采取分工合作的教学形式，将全班同学分成不同的小组，由教师明确各小组在实训中的任务和目标，从而培养广大学生团结协作的职业素质和能力每个课题以实例为重点，这些实例都是来自我们身边的生活、生产。学生对教学课题感兴趣，认识到所学的东西有用，能解决现实问题，学习热情是自然地高涨起来。兴趣是最好的老师，主要能调动学生的兴趣，学习效果肯定不懒。兴趣是学生主动学习的动力之一，他们对学习的追求往往来源于兴趣。凡是有兴趣的东西，就容易激发学生的学习热情，引起学生的思考，学生若能有兴趣地学，教学就成功了一半。因此在教学中，教师要把握时机，结合教材特点，把兴趣的东西引入课堂，这些东西越接近学生的日常生活，同时又不偏离教材，学生对所学知识就越容易理解，学生学习的兴趣也越浓，从而学生学习的自觉性和主动性也跟着提高。教师积极利用这一点，引导学生主动思维，从开始教师提出问题，激发学生的兴趣，引导学生分析问题，如何解决问题。逐渐地由学生提出问题，自行分析问题到解决问题。这样不但提高了学生学习PLC知识的兴趣，而且还提高了学生的分析问题和解决问题的能力。

课题实例来自生产、生活、要处理及注意的有关问题我们都向学生交待清楚，引导学生具体的处理办法、解决方法步骤、方向。通过多个实例的学习、实践与积累，学生能逐渐地提高解决实际问题的能力。

任课老师把PLC技术应用教程分为若干个单元，每个单元中的几个实例都是以某个重点指令的应用为主线。应用程序由简单到复杂。这样，通过一个单元的学习，学生已将该单元的重点指令很深刻地留在脑海中。他们灵活应用指令的能力会逐步增强。课题式教学中通过恰当的引导，就能逐步提高学生的编程能力，应用PLC的能力。

㈢提高竞争意识巩固所学知识

我们知道，适度的压力是动力的泉源。为使学生能积极参与，我们任课老师应在教学过程中实行单元过关制度来增强学生学习的适度紧迫感。每个课题教学的最后环节是课题小测验，测试内容与课题大至雷同。一单元结束时进行一次单元综合测验。实施单元过关制度后，学生的学习劲头更足了。曾有这样一个事例：一名学生在单元过关小测后，突然停下正在参与的足球比赛，跑到笔者身边来，求证他刚想到的解题思路是否正确。当他得到肯定的答复时，高兴得手舞足蹈。由此可见，任课老师应通过单元测验，给予学生适度的学习压力，使学生有较大的动力，学习效果好。通过测试来检查学生对课题的掌握情况，以及时地查漏补缺，也是教学工作必不可少的环节。

通过以上几个方面的教学改革，可以提高技工学校学生的PLC应用能力，以适应上岗要求。《PLC原理及应用》课程最重要的特点是“综合应用性”，因为一个实用的工业自动化控制系统往往是很复杂的，其中可能包括机、电、液、气等内容，而且还会因行业不同控制要求也有所不同。故在本课程的实践教学中，应把机械、电工、电子、液压、气动和计算机等知识与PLC技术进行有机地联系，扩大实习实训课时的比重，逐步加大学校相关设备的投入，建立较为完备的PLC技术仿真实训室，从而为“PLC仿真项目开发”的实训教学创造良好条件。教学实践证明，只有通过PLC仿真项目方面的实训，让学生亲自编程、实际接线和仿真调试，并对运行过程中所遇到的问题进行分析和改进，才能真正培养学生创新思维和综合职业能力，真正实现学生毕业后在PLC技术应用领域“零距离上岗”的最终教学目标。本文较详细地阐述了作者在电工专业《PLC应用》教学中改革教材，以精选出的实