GB/T 42706.2-2023电子元器件半导体器件长期贮存第2部分:退化机理

ICS31020

CCSL.40

中华人民共和国国家标准

GB/T427062—2023/IEC62435-22017

.:

电子元器件半导体器件长期贮存

第2部分退化机理

:

Electroniccomponents—Long-termstorageofelectronicsemiconductordevices—

Part2Deteriorationmechanisms

:

IEC62435-22017IDT

(:,)

2023-05-23发布2023-09-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T427062—2023/IEC62435-22017

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语定义和缩略语

3、………………………1

术语和定义

3.1…………………………1

缩略语

3.2………………1

退化类型

4…………………2

概述

4.1…………………2

引线镀层的可焊性和氧化

4.2…………2

爆米花效应

4.3“”………………………2

分层

4.4…………………2

腐蚀和变色

4.5…………………………2

静电影响

4.6……………2

高能电离辐射损伤

4.7…………………2

贮存温度对半导体器件的风险

4.8……………………3

贵金属镀层

4.9…………………………3

雾锡和其他镀层

4.10……………………3

焊料球和焊料凸点

4.11…………………3

含可编程闪存可编程逻辑单元的器件和其他含非易失性存储单元的器件

4.12、…3

元器件的技术验证

5………………………3

目的

5.1…………………3

试验选择准则

5.2………………………3

测量和试验

5.3…………………………4

定期评价

5.4……………5

附录规范性封装和未封装有源元器件的失效机理

A()………………7

参考文献

………………………9

Ⅰ

GB/T427062—2023/IEC62435-22017

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是电子元器件半导体器件长期贮存的第部分已经发布

GB/T42706《》2。GB/T42706

了以下部分

:

第部分总则

———1:;

第部分退化机理

———2:;

第部分芯片和晶圆

———5:。

本文件等同采用电子元器件半导体器件长期贮存第部分退化机理

IEC62435-2:2017《2:》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

删除了中资料性引用的

a)4.8JEDECJEP122;

表中为避免最后一列的字母与第四列中的相同字母混淆将最后一列的字母改

b)A.1,“T”,“T”

成了字母

“C”;

调整了参考文献

c)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所河北北芯半导体科技有限公司池州华宇

:、、

电子科技有限公司河北中电科航检测技术服务有限公司深圳市标准技术研究院北京赛迪君信电子

、、、

产品检测实验室有限公司绵阳迈可微检测技术有限公司武汉格物芯科技有限公司惠州市特创电子

、、、

科技股份有限公司佛山市毅丰电器实业有限公司

、。

本文件主要起草人刘玮石东升晋李华彭勇闫萌张鑫彭浩崔波魏兵赵鹏麦日容徐昕

:、、、、、、、、、、、、

米村艳何黎陈金星吴卫斌

、、、。

Ⅲ

GB/T427062—2023/IEC62435-22017

.:

引言

本文件描述了一种长期贮存实施方法长期贮存是指电子元器件预计贮存时间超过个月的

。12

贮存

。

近年来电子元器件尤其是集成电路的淘汰越来越严重随着科技的发展与用于航空铁路或能

,,。,、

源领域的工业设备相比元器件的生命周期非常短因此对元器件进行系统的贮存是解决淘汰问题的

,。,

主要方法

。

长期贮存需要很好地执行贮存程序尤其是贮存环境建议依据最新工艺水平执行所有的运输维

,。、

护贮存和测试操作

、。

本文件提出了一种最大程度上延缓淘汰的方法但并不能保证贮存结束后的元器件处于完美的工

,

作状态

。

由于一些系统的使用时间很长有的情况下长达年或更久因此如何进行维修和获得备件成为

,40,

了用户和维修机构需要解决的问题例如维修这些系统所需的一些元器件在系统的生命周期内不能

。,

从原始供应商处获得又或者用于组装的备件在生产初期就生产出来但需要进行长期贮存本文件的

,,。

目的就是为元器件的长期贮存提供指导

。

电子元器件半导体器件长期贮存旨在确保元器件长期贮存后在使用中有足够的

GB/T42706《》,

可靠性鼓励用户要求供货商提供相关产品的技术参数以论证出满足用户需求的贮存过程这些标

。,。

准旨在为需要长期贮存的电子元器件提供相关指导

。

电子元器件半导体器件长期贮存共分为个部分第部分第部分适用于

GB/T42706《》9。1~4

所有长期贮存并包含了总体要求和指导第部分第部分适用于几种特定产品类型的贮存在

,。5~9。

满足第部分第部分的总体要求的同时还要满足特定产品类型的要求

1~4,。

从第部分开始涉及需要不同贮存条件的电子元器件

5。

电子元器件半导体器件长期贮存与系列标准相对应拟分为以下

GB/T42706《》IEC62435,

部分

:

第部分总则目的在于规定长期贮存的相关术语定义和原理提供有效进行元器件长期

———1:。、,

贮存的理念良好工作习惯和一般方法

、。

第部分退化机理目的在于规定电子元器件在实际贮存条件下随时间推移的退化机理和

———2:。

退化方式以及评估一般退化机理的试验方法指南

,。

第部分数据目的在于规定电子元器件长期贮存过程中数据存储的各方面要求保持可追

———3:。,

溯性或数据链完整性

。

第部分贮存目的在于规定电子元器件长期贮存方法以及相关的推荐条件包括运输控

———4:。,,、

制以及贮存设施安全

。

第部分芯片和晶圆目的在于规定单个芯片部分晶圆或整个晶圆以及带金属结构引入

———5:。、,(

金属层植球植柱等芯片的贮存条件和规则同时为含有芯片或晶圆的通用和专用封装产品

、),

提供操作指导

。

第部分封装或涂覆元器件目的在于规定封装或涂覆元器件长期贮存方法和推荐条件包

———6:。,

括运输控制以及贮存设施安全

、。

第部分目的在于规定长期贮存时需要注意的事项及基本要求

———7:MEMS。MEMS。

Ⅳ

GB/T427062—2023/IEC62435-22017

.:

第部分无源电子器件目的在于规定无源电子器件产品长期贮存时需要注意的事项及基

———8:。

本要求

。

第部分特殊情况目的在于规定特殊器件的贮存方法包括所有类型的硅器件和半导体

———9:。,

器件

。

Ⅴ

GB/T427062—2023/IEC62435-22017

.:

电子元器件半导体器件长期贮存

第2部分退化机理

:

1范围

本文件描述了电子元器件在实际贮存条件下随时间推移的退化机理和退化方式以及评估一般退

,

化机理的试验方法通常本文件与一起使用用于预计贮存时间超过个月的长期贮存

。IEC62435-1,12

器件特定类型电子元器件的退化机理在中加以规定

。IEC62435-5~IEC62435-9。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件机械和气候试验方法第部分对潮湿和焊接热综合影响敏

IEC60749-20-120-1:

感的表面安装器件的操作包