灯用三极管的损坏机理

灯用三极管的损坏机理1第一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI

目录1、灯用三极管损坏机理研究及深爱灯用三极管的发展过程2、Hfe、“瞬态冷爆”及深爱抗过饱和电路3、ts、μe及其他4、荧光灯电子镇流基本工作原理的初步细探第二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI一、损坏机理研究及深爱灯用三极管产品发展过程BUL6800灯用系列及改进型的灯用MJE13000系列110V出口灯用L系列抗过驱动带D系列(110VDL)第三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI一、灯用三极管损坏机理研究及产品发展过程回顾深爱产品的发展过程：深爱灯用三极管的产品发展紧跟用户的需要不断为用户推出低成本高可靠的新产品第四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI当时遇到的主要矛盾深爱十多年来一直与灯打交道当时行业内有一种潮流，认为灯用三极管的耐压Bvceo要高：450V甚至500V（BUT11）

；成本要低（可以理解）。按这个思路设计三极管，使用中发热严重。后来一直很受欢迎的13003BR，当时无法推广，反而要我们打算淘汰的老产品，说电压不够。什么样的产品真正又好用，价格又便宜？第五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI什么样的产品真正又好用，价格又便宜？电压指标够用就行，电流特性是用户最有使用价值的指标。

第六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI目前节能灯、电子镇流器普遍采用的线路上、下管轮流导通工作电感负载产生的自感电势反峰电压是加在导通管上泄放的。（在原理中进一步分析）第七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI目前节能灯、电子镇流器普遍采用的线路用世界上最好的示波器去测量三极管CE二端的波形，也找不到400V以上的电压。第八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI实际使用的是BvcerBvcer一般要大于Bvceo（用触发管DB3）BVceo=400V已被广泛接受，380-400V的很好用BVcbo=500V的13001也被广泛接受第九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI最终损坏是功率击穿最终损坏是功率击穿，即加在三极管上的电压、电流超过了三极管的功率容限，即安全工作区(SOA)（25℃）第十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI最终损坏是功率击穿三极管的功率容限是随着温度上升而下降的，必须控制三极管的发热(即自身功耗)第十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI在开关工作状态下，晶体三极管上消耗的功率由以下三部分组成：

WOFF=VCE×I漏WON=VCES×ICW过渡=ΣVt×It×△t/t(∫0tVtItdt/t）第十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI三极管的开关损耗波形图

右图为三极管的开关损耗波形图直观地显示了以上三部分功率损耗数量的关系很小、基本固定、变化范围比较大

第十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI节能灯、电子镇流器专用三极管BUL6800系列深爱半导体有限公司推出节能灯、电子镇流器专用三极管BUL6800系列，具有优良的开关特性，在保证电压指标够用的同时，对用户最有使用价值的电流特性，给于了充分的保证（tf、大电流hfe）第十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMIBUL6800灯用三极管系列产品BUL中的“L”是“LAMP”-灯的第一个字母。具有优良的开关特性，大幅度提高了产品性能。（结束烧管历史消灭tf大的00-01杭州1.42-1.63）

第十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMIBUL6800灯用三极管系列产品大芯片小封装，降低成本、缩小体积，原则上对使用无明显影响广泛用于25W以下节能灯推荐使用产品名称封装形式BUL6821TO-92BUL6822BTO-92BUL6822TO-92BUL6822ATO-92BUL6823TO-92BUL6823ATO-92BUL6802TO-126BUL1688SOT-82第十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMIBUL6800大电流特性小封装产品系列（同一思路）深爱半导体于国内率先推出大电流特性小封装产品系列，目前，TO-92封装的灯用三极管已经大量用于国产节能灯，为国产节能灯进一步提高竞争能力作出了贡献。第十七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI110V出口灯用L系列同功率的灯，不采用倍压整流时，三极管的电流规格须加倍；采用倍压整流，用两个电解电容，电解电容的可靠性低、体积大，越来越多的110V出口灯产品不再采用倍压整流。深爱半导体于国内率先推出的110V出口灯用L系列，用220V灯同样的三极管成本，提供加倍的电流。第十八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI110V出口灯用L系列技术要点1、三极管芯片面积一定时，其电压电流参数是矛盾的，降低电压参数，就可以提高电流性能。2、还需要灯电路及灯管参数的配合，包括灯丝电阻。第十九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI110V出口灯用L系列：

目前，深爱半导体有限公司已经推出全系列的110V出口灯用L系列产品，所有220V产品都有L型产品部分产品名称封装形式MJE13001LTO-92BUL6821LTO-92BUL6822LTO-92BUL6823LTO-92MJE13003BR（H）LTO-126MJE13003LTO-126BUL1688LSOT-82MJE13005LTO-220MJE13007LTO-220第二十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI二、Hfe、“瞬态冷爆”和SI抗饱和电路“理论上，hFE应尽可能高，以便用最小的基极电流得到最大的工作电流，同时给出尽可能低的饱和电压，这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。但是，其它方面的折衷考虑，例如开关速度和电流容限，则限制hFE的最大值（荧光灯电子控制AN1049JNAPPETSPANGLEXMOTOROLA美国）。第二十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMIHfe、“瞬态冷爆”和SI抗饱和电路国内厂家早期曾经倾向于选用hFE较小的，一度hFE=10-15，甚至hFE=8-10的三极管很受欢，因为hFE大的三极管一般其下降时间tf也长，三极管容易发热，采用较小的hFE其目的是为了降低晶体管的发热，降低晶体管的饱和深度。实际上，晶体管的饱和深度受Ib、hFE两个因素的制约第二十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI三极管“瞬态冷爆”的问题

开始越来越突出采用大Hfe、降低基极驱动也可以随着这方面工作的进一步深入，三极管的发热越来越低，三极管越用越小，线路对三极管的驱动也越来越临界。“好事做过了头也会出问题”，三极管“瞬态冷爆”的问题也开始越来越突出。第二十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI三极管“瞬态冷爆”的特点大批量生产中，有少量产品开机即爆三极管——三极管并没有发热，一通电就炸了。（印板是绿的、不发黄）出问题的比例太低，问题又在瞬间发生，稳态试验很难找到原因。能量很大，有的时候TO-220封装的三极管都炸裂了。第二十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI灯启辉时三极管Vce及Ic波形第二十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI瞬时功率=120V×5A=600WIc尖峰最大值已达5A，对应时刻的Vce电压波形其最大值超过100V，第三个Ic电流尖峰最大值下面的Vce电压最大值达到120V以上，三极管因驱动不足脱离饱和区进入放大区，瞬时功率=120V×5A=600W，对于40W灯所用的MJE13005第二十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI抗过驱动带D系列三极管工作在开关工作状态，必须保证在任何情况下正常充分饱和，或彻底截止。饱和的条件是Hfe×Ib≥Ic，Ib太大太小都不好，太大过驱动容易发热；太小驱动不足启辉不良三极管会瞬时爆管。环境的偏离、参数的离散，会使一部分产品或者产品在某些时候满足不了最佳条件第二十七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI抗过驱动带D系列深爱的抗过驱动带D系列产品带有有源抗饱和网络。在线路的基极驱动加强的情况下，也不会出现深饱和，不会因过驱动烧管；电路驱动不足时，能将分流的驱动电流回到NPN管，使其不会进入放大区而瞬时爆管。自动适应环境的偏离、参数的离散带来的问题。第二十八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI深爱抗过饱和电路是解决上述矛盾的理想选择PNP型晶体管作为有源抗饱和网络。NPN是主晶体管，D为续流保护二极管，当NPN管饱和导通以后，当基极驱动电压趋向高于VBE(PNP)+Vces(NPN）时，PNP管导通，将基极驱动电流分流，使NPN晶体管不会出现深饱和；当外电路驱动电流减弱时，仅减小分流电流，不影响NPN管饱和导通第二十九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一二、抗过饱和电路的作用在驱动弱(60ma)时发热不大

13003与13003D（IB、VCE）30第三十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一在驱动弱时发热不大（IC、VCE）13003与13003D(360ma)13003D的作用也不大31第三十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一驱动强(120ma)

13003与13003D（IB、VCE）13003D的作用明显32第三十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一驱动强(120ma)（IC、VCE）

13003与13003D(360ma)13003D的作用明显33第三十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一抗过饱和电路的作用128D1300534第三十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一抗过饱和电路的作用128D交叉小发热低13005交叉大发热高35第三十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI深爱抗过饱和电路是解决上述矛盾的理想选择大大简化晶体管驱动电路的设计可以放心地增大驱动，避免驱动不足，又不会因过驱动发热烧管，提高大批量生产的工艺宽容度。对低温（-10℃）启动要求驱动强，但高温不过驱动烧管很有效第三十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI深爱抗过饱和电路是解决上述矛盾的理想选择我们一直希望把三极管的放大倍数做得大一些（有好处），但受到过驱动发热的限制，现在有了抗过饱和电路，愿望得以实现。目前25-30第三十七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI深爱抗过饱和电路是解决上述矛盾的理想选择使用时不要再外接续流保护二极管线路基极驱动应该比较强，保证不出现基极驱动不足，但是也不能太强，超过PNP管可以控制的范围第三十八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI“双泵”、“单泵”类高频反馈式电路由于线路相互牵扯，电网电压、使用环境温度、灯管老化等高频回路的变化都会引起线路整体参数的变化，偏离正常工作状态，影响电路各部分之间的能量传递与转换，易在三极管等关键元件或部位出现能量集中与冲击，使之损坏。抗饱和第三十九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI特别推荐对于采用高频反馈的高功率因数双泵电路，由于三极管工作条件变化比较大，采用深爱半导体有限公司推出的带抗过驱动电路的抗饱和三极管，具有很好的效果。（＞25W）第四十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI正常情况下“共态导通”很难成立上下二个三极管的电流峰值是明显错开的，而且当一个三极管集电极电流从最大值下降的时候，另一个三极管的集电极电流有一个从零到负值再变正再逐步增大的过程，不存在“共态导通”的机会。第四十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI电流波形上的毛刺线路调整不好会有毛刺能造成三极管发热出现“共态导通”的可能性第四十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一2023/6/20

至诚至爱，共创未来43有害的毛刺如果Ic变正的初相位角≤0°，那么这里Ic会产生一个有害的毛刺。第四十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一2023/6/20

至诚至爱，共创未来44电路必须是感性

如果以三极管刚导通（开关闭合）的时刻作为0°，那么三极管导通电流的相位必须滞后一个角度。电路是感性还是容性的问题——电路必须是感性。第四十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一理论分析——相位落后正确的工作状况，应该是：电流相位落后于电压相位滤波器(谐振回路)之操作类似电感性负载换流器之切换频率高于滤波器之谐振频率45第四十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI关于三极管的功率容限，即安全工作区SOA在荧光灯电子镇流线路中，我们希望避免出现用三极管的SOA去硬抗，但是，这并不等于在任何情况下三极管的SOA值都不需要关注，当用户的线路出现大的电流、电压同时冲击的情况时，用SOA值高的三极管就不容易损坏。由于三极管制造工艺的原因，BVCEO高的三极管一般SOA也高，在用户无法直接测试三极管的SOA值时，可以选用BVCEO高的三极管解决。第四十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI三、ts、μe及其他，配合的概念（沟通一些情况）磁环有效导磁率μe

、磁环绕组圈数和三极管存储时间Ts参数的配合，已经成了三极管能否可靠工作的重要因素。除了灯管，磁环有效导磁率和三极管存储时间Ts参数的离散性是目前使用中的主要矛盾。

第四十七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI三、ts、μe及其他早期，正常使用的13005供给原用“F”13005的用户，一开始大都会反映有问题-ts差别太大。用大了三极管反而更糟的案例（目前）三极管在电路工作状态下的贮存时间，是电路工作周期的一部分，它影响电路的振荡频率。三极管贮存时间过长，电路的振荡频率将下降，整机工作电流增大易导致其损坏。（说法之一）第四十八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI磁环参数问题举例：120只中一只三极管炸裂。正常磁环绕组的电感量为0.127mH，而损坏线路的电感量为0.108mH，相差20％。磁环有效导磁率的参数偏差，决定了对三极管基极驱动的激励偏差，如果偏差过大，就会出现不是一部分产品激励不足，就是另一部分产品过饱和，都会造成三极管损坏。（说法之一）第四十九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMIts、μe及其他同一线路上的两个三极管的贮存时间ts相差太大，整机工作电流的上下半波将严重不对称，负担重的那个三极管将容易损坏，线路也将产生更多的谐波，产生更多的电磁干扰。（但不会有直流分量）（夸大了的）第五十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI在低成本下做到高可靠-重要方法世界各国磁环有效导磁率的出厂标准都是±25％（两头相差50％），TDK（厦门）的技术人员说要做到有效导磁率±5％（两头相差10％），生产合格率就会下降；可以将国产三极管Ts参数的离散性和磁环有效导磁率的离散性相互配合，用Ts大的配磁环导磁率小的，Ts小的配磁环导磁率大的，照样可以使灯可靠工作。经验大量实例第五十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI中国式的低成本高可靠道路。

全面地考虑，在制定工艺控制方案时，还必须考虑灯管的离散性，管压、管流的极限偏差；灯管寿命范围内起辉性能的偏差；三极管、灯管、磁性材料随着温度变化产生的性能偏差；电源电压波动所引起的偏差。（原则）使有一定离散性的两种或几种元件相互配合各得其所--中国式的低成本高可靠道路。第五十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI从工艺角度分析三极管损坏原因，通带原理：

同样的一批三极管，送给A、B二个用户使用，用于生产同样规格的节能灯，使用同样档次的原材料。A单位说不能用、烧管；B单位却说用得很好。第五十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI从工艺角度分析三极管损坏原因，通带原理：

就单个的三极管来说，它不会损坏，为什么在批量使用的情况下，有一定比例的损坏。0.2％、0.5％、1％、2％、20％（试制）…..。（同样的使用对象，不同的情况下不一样）第五十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI从工艺角度分析三极管损坏原因，通带原理：

1、三极管本身是不是本来就是坏的；——极少2、三极管本身是不是不够可靠；软击穿、双线、漏电流大…..—也很少，而且一般不影响使用（合格产品），但参数的变化影响使用3、三极管本身没有问题，但还是损坏了——没有满足它应有的条件——你对不起它，它也就对不起你。——目前存在的主要问题。——国产三极管的离散性第五十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一一个重要的理论支持行业发展到现阶段，灯及镇流器的损坏主要不是因为某个元件本来就是有问题，而主要是因为它们之间的参数配合有问题56第五十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI合理的、安全的通带合理的、安全的通带；各种配合元器件在某一确定的电路中都有各自允许能可靠工作的参数误差范围——即“通带”，参数误差范围的中心值是最佳值——中心线对准例如磁性材料的有效磁导率的大小以及它的变化速率和三极管Ts之间的配合，两者都有±10％的离散性。通过合理的分档、分组配合，解决离散性带来的问题±10％--±5％第五十七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI其他灯管启辉时，工作电流很大，且远远偏离三极管正常工作状态灯管质量差、灯管老化，电路参数偏离，造成灯较长时间不能启辉，均会造成三极管损坏。在灯管、磁环、三极管、电解四要素中，灯管是第一位的。第五十八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI复旦大学电光源研究所

刘跃群教授2003年浙江省照明电器协会的择优配套会议上刘教授就提出了镇流器必须和灯管的正常工作范围配合的问题：灯管电压的偏差（国标规定±10％）灯管功率的偏差必须考虑灯管管压、管流的标准误差±10％，不少工厂在装灯时未经检测验收就投入使用，灯管的偏差远远超过了规定的范围第五十九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI荧光灯电子镇流基本工作原理的初步细探以上问题的讨论还是初步的，要进一步深入，感到还有不少问题没有搞清楚；低成本高可靠的一个重要根据-电感上的反电势怎样消除的-原理？ts、μe

的配合更深入的原理？等等从局部看是有道理的；怎样把各种要素全面统筹考虑？第六十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一2023/6/20

至诚至爱，共创未来61荧光灯电子镇流基本工作原理的初步细探陈传虞先生在看到《中国照明电器》2004年第11期发表的文章：《荧光灯电子镇流工作原理再细探》（上）后从中山给我来了很多电话，一打就是几十分钟，后来我们又见了一面，统一了一些认识中国照明电器》2005年第11、12期发表了（陈老师）的文章：《电子镇流器中半桥逆变电路之分析》第六十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一2023/6/20

至诚至爱，共创未来62四、半桥逆变电路原理分析探讨陈老师说“半桥逆变电路是电子镇流器和电子节能灯最常用也是最基本的电路，正确地理解它的工作原理，将有助于我们合理地选择元器件如三极管、磁环变压器、扼流电感、启动电容等元件的参数，正确地设置三极管的驱动电流，以降低它的功耗与热量，提高整灯的可靠性”第六十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一2023/6/20

至诚至爱，共创未来63半桥逆变电路原理分析探讨文章说：“遗憾的是过去受观察仪器（如示波器）和测试手段的局限，我们无法观测到电路中关键点如三极管各个电极电流的正确波形，以至形成一些错误的概念。因而无法作出符合实际情况的定量分析和判断，”第六十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一2023/6/20

至诚至爱，共创未来64半桥逆变电路原理分析探讨“尽管这个电路众所周知，但人们对它的理解存在一些错误观念”

文章说：通过试验、讨论“澄清了过去不少糊涂概念”第六十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一2023/6/20

至诚至爱，共创未来65过去不少糊涂概念使导通三极管转变为截止是“基极电位转变为负电位””T1（磁环）饱和后，各个绕组中的感应电势为零”“VT1基极电位升高VT2基极电位下降”； 三极管怎样关断怎样开通没有说清楚，是一笔糊涂帐。第六十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一2023/6/20

至诚至爱，共创未来66半桥逆变电路原理分析探讨以前的不少糊涂概念其中一个原因是因为对磁环变压器的工作情况没有真正搞清楚不理解可饱和脉冲变压器和磁环磁导率μ的饱和概念第六十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一2023/6/20

至诚至爱，共创未来67实际波形纠正糊涂概念—怎样关断绿色曲线扼流电感两端电压兰色：磁环绕组感应电压V环；红色：三极管IC第六十七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一2023/6/20

至诚至爱，共创未来68流过同样的电流，产生的感应电压不一样

扼流电感两端电压是由流经电感的电流－di/dt所决定，过零点在峰值点，即电流平顶点（di/dt＝0），绿色曲线1是电感两端电压VL的波形，过零点在三极管电流IC（图中红色曲线2）峰值点第六十八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一2023/6/20

至诚至爱，共创未来69多学科交叉的问题

一方面确实是没有高科技手段看不到有些波形；另一方面:这个问题至少牵涉到对磁性材料、电光源领域高频工作下的低压气体放电、半导体物理、电子电路等专业知识的深刻了解和它们之间的融会贯通。一个人的知识面、精力都是有限的；所以，这需要有关方面联手合作进一步做深入细致的工作。第六十九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一2023/6/20

至诚至爱，共创未来70原理分析：（磁环）磁导率μ的饱和点

磁环磁化曲线（B-H）（H=NI/L）及磁导率μ-H变化曲线，μ=B/H：B-H曲线的斜率，μ随着外场H的增加而增加，当H增大到一定值时μ达到最大，其最大值为可饱和脉冲变压器磁导率的峰值。此后，外场H增加μ减小。第七十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI三极管由导通转变为截止的第一个转折点下半部分为三极管Vce、Ic、Ib，上半部分和下半部分有一根垂直的联线，把基极电流Ib的峰值点和可饱和脉冲变压器的磁导率μ的峰值点联系到了一起，这是外部电路改变三极管工作状态的重要信号点。

第七十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI磁环绕组感应电压V环过峰值，三极管基极电流Ib同步过峰值磁环绕组感应电压V环=－Ldi/dt，而磁环绕组电感量L=μN2S/ι，磁环绕组感应电压与可饱和脉冲变压器（磁环）磁导率μ成正比V环下降Ib也下降当磁环绕组感应电压V环低于基区内部的电压时，少数的载流子就从基区流出，基极电流反向为负值Ib2

第七十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI存储时间(ts)过峰值后基极电流反向为负值在这期间，基区电流(称为IB2)是负，但是VCE维持在饱和压降VCEsat（图4兰色曲线1），而IC电流正常流动（图4红色曲线2），这时期对应存储时间(ts)。在这段时间Vbe始终是正的（不少书刊上都说基极电压变负）第七十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI没有说清楚的地方三极管关断过程中，Ib出现负电流以后，不再有通过磁环变压器的“正反馈”，不是“由于这种再生反馈的结果，使集电极电流IC2很快由某一较大值跳变为零”而是由于BC结反偏使集电极电流IC2很快由某一较大值跳变为零第七十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI没有说清楚的地方关断过程中，IB出现负电流以后，基区存储少数的载流子就从基区流出但是VCE维持在饱和压降VCEsat（兰色曲线1），而IC电流正常流动（红色曲线2）直到

BC结反偏使集电极电流IC2很快由某一较大值跳变为零第七十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI导通转变为截止的过程有两个转折点：μe、ts可饱和脉冲变压器（磁环）磁导率μ的饱和点-磁环次级绕组电压峰值-外部电压低于三极管基极电压-三极管进入存储三极管从存储结束退出饱和-三极管彻底关断第七十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI要点三极管怎样关断：磁环磁导率μ与三极管ts三极管怎样开通：电感L谐振回路加上方波,产生电流（这个电流太复杂）第七十七页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMIC3R2的作用（关断过程之二）在第二个转折点与第三个转折点之间Ic1Ic2的波形有一个缺口三极管Ic存储结束，电流开始快速下降，后面还有很长一段电流很小的拖尾；在这个时候另一个三极管仍然是截止的，还没有开始导通，这样就会造成一个电流缺口第七十八页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMIC3R2的作用，流过R2C3的电流和Vce电压波形

Vce从零上升到310V，C3也得充电到310VVT1从截止转为导通时，R2C3放电，其放电电流填补电流缺口第七十九页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI电压够用就行的理论依据带电感负载的开关三极管，在三极管关断时因电感产生反电动势会受到一个高电压。但是，在目前国内大量采用的电子镇流荧光灯半桥电压反馈电路中，开关三极管电压的选择，是不考虑这个反电动势的；在实际生产中，用世界上最好的示波器去观察，也看不到高于整流滤波后电源电压的波形

第八十页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI电压够用就行的理论依据对于灯用三极管设计生产厂家来说，三极管的电压参数选取得是否合理，关系到如何真正做到“低成本、高可靠”；如果不切实际地把三极管的电压参数选高了，用户最需要的电流特性就会受到影响。那么，电路中的这个反电动势，是通过什么渠道泄放掉的？在R2C3上的充放电电流终了后，三极管集电极电流Ic初始值是泄放的重要途径。

第八十一页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMIC3R2充放电终了-IC反向电流电感L中的电流不能突变，而此时Vbe已为正，三极管产生一个反向电流，此时也正好是电感L两端电压的峰值点。电流不能马上刹车第八十二页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一至诚至爱，共创未来SISEMI另一个三极管的开通一个三极管关断，电感L中的电流不能突变，另一个三极管会产生一个反向电流；三极管BE、CE并联反向二极管（共有四种情况）对整个电路的工作状况有很大影响，特别是会对灯管起辉产生影响，对三极管电流波形产生影响。

第八十三页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一1、CE二极管的作用84第八十四页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一不加

CE二极管电流波形（毛刺）上管不加CE二极管4007，下管三极管VCE、IC

85第八十五页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一CE二极管电流波形电压不同86第八十六页，共一百零三页，编辑于2023年，星期一2023/6/20

至诚至爱，共创未来87上管不加CE二极管4007，下管三极管VCE、IC（毛刺）C3充放电结束，下管三极管已经关闭，上管BE、CE无二极管，开通时电感内的电流继续通过上管磁环次级绕组、RB、上管bc结（成为上管的负电流）；当ce电压比较高的时候，电感内的能量大，“上管磁环次级绕组、RB、上管bc结”