PMOS场效应管防反保护解析_第1页
PMOS场效应管防反保护解析_第2页
PMOS场效应管防反保护解析_第3页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

第第页NMOS场效应管/PMOS场效应管防反保护解析

NMOS场效应管通过D管脚和S管脚串接于（电源）和负载之间，电阻R1、R2为MOS管提供电压偏置，（VR）1用于限制VGS间电压，防止被击穿。正接时候，R1、R2提供VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用，利用MOS管的开关特性（控制电路）的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。

PMOS场效应管防反保护如下图所示：

PMOS场效应管通过D管脚和S管脚串接于电源和负载之间，电阻R1、R2为MOS管提供电压偏置，VR1用于限制VSG间电压，防止被击穿。正接时候，R1、R2提供VSG电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。

由于场效应管的加工工艺导致NMOS管的导通电阻比PMOS的小，所以最好选用NMOS。

人人文库> 全部分类> 图纸下载 > 毕业设计

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论