现代材料分析方法XPS

X射线光电子谱(XPS)

X-rayPhotoelectronSpectroscopy当前第1页\共有28页\编于星期二\12点X射线光电子谱

引言X射线光电子谱(XPS)是重要的表面分析技术之一。它不仅能探测表面的化学组成，而且可以确定各元素的化学状态，因此，在化学、材料科学及表面科学中得以广泛地应用。XPS是瑞典Uppsala大学K.Siegbahn及其同事经过近20年的潜心研究而建立的一种分析方法。他们发现了内层电子结合能的位移现象，解决了电子能量分析等技术问题，测定了元素周期表中各元素轨道结合能，并成功地应用于许多实际的化学体系。当前第2页\共有28页\编于星期二\12点KaiSeigbahn:Developmentof

X-rayPhotoelectronSpectroscopyNobelPrizeinPhysics1981(Hisfather,ManneSiegbahn,wontheNobelPrizeinPhysicsin1924forthedevelopmentofX-rayspectroscopy)C.NordlingE.SokolowskiandK.Siegbahn,Phys.Rev.

1957,105,1676.当前第3页\共有28页\编于星期二\12点K.Siegbahn给这种谱仪取名为化学分析电子能谱(ElectronSpectroscopyforChemicalAnalysis)，简称为“ESCA”，这个名词强调在X射线电子能谱中既有光电子峰也包含了俄歇峰，在分析领域内广泛使用。随着科学技术的发展，XPS也在不断地完善。目前，已开发出的小面积X射线光电子能谱，大大提高了XPS的空间分辨能力。X射线光电子谱

引言当前第4页\共有28页\编于星期二\12点当前第5页\共有28页\编于星期二\12点XPS

X射线光电子谱仪X射线激发源样品室能量分析器样品引进系统抽真空系统电子倍增器显示、记录当前第6页\共有28页\编于星期二\12点XPS--X射线光电子谱仪（激发源）在一般的X射线光电子谱仪中，没有X射线单色器，只是用一很薄(1〜2m)的铝箔窗将样品和激发源分开，以防止X射线源中的散射电子进入样品室，同时可滤去相当部分的轫致辐射所形成的X射线本底。将X射线用石英晶体的(1010)面沿Bragg反射方向衍射后便可使X射线单色化。X射线的单色性越高，谱仪的能量分辨率也越高。同步辐射源是十分理想的激发源，具有良好的单色性，且可提供10eV〜10keV连续可调的偏振光。当前第7页\共有28页\编于星期二\12点N7N6N5N4N3N2N14f7/24f5/24d5/24d3/24p3/24p1/24s1/2M5M4M3M2M1L3L2L1K

3d5/23d3/23p3/23p1/23s1/22p3/22p1/22s1/21s1/2电子能级、X射线能级和电子数当前第8页\共有28页\编于星期二\12点典型XPS谱MOCVD制备的HgCdTe膜当前第9页\共有28页\编于星期二\12点典型XPS谱Fe的清洁表面当前第10页\共有28页\编于星期二\12点XPS

XPS中的化学位移

化学位移由于原子所处的化学环境不同而引起的内层电子结合能的变化，在谱图上表现为谱峰的位移，这一现象称为化学位移。化学位移的分析、测定，是XPS分析中的一项主要内容，是判定原子化合态的重要依据。

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XPS中的化学位移当前第12页\共有28页\编于星期二\12点XPS

XPS中的化学位移当前第13页\共有28页\编于星期二\12点XPS

XPS分析方法

定性分析同AES定性分析一样，XPS分析也是利用已出版的XPS手册。当前第14页\共有28页\编于星期二\12点XPS

XPS分析方法化合态识别

在XPS的应用中，化合态的识别是最主要的用途之一。识别化合态的主要方法就是测量X射线光电子谱的峰位位移。对于半导体、绝缘体，在测量化学位移前应首先决定荷电效应对峰位位移的影响。

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X射线光电子谱仪的能量校准荷电效应用XPS测定绝缘体或半导体时，由于光电子的连续发射而得不到足够的电子补充，使得样品表面出现电子“亏损”，这种现象称为“荷电效应”。荷电效应将使样品出现一稳定的表面电势VS，它对光电子逃离有束缚作用。当前第16页\共有28页\编于星期二\12点XPS

XPS分析方法化合态识别-光电子峰

由于元素所处的化学环境不同，它们的内层电子的轨道结合能也不同，即存在所谓的化学位移。其次，化学环境的变化将使一些元素的光电子谱双峰间的距离发生变化，这也是判定化学状态的重要依据之一。元素化学状态的变化有时还将引起谱峰半峰高宽的变化。当前第17页\共有28页\编于星期二\12点XPS

XPS分析方法化合态识别-光电子峰

S的2p峰在不同化学状态下的结合能值当前第18页\共有28页\编于星期二\12点XPS

XPS分析方法化合态识别-光电子峰

Ti及TiO2中2p3/2峰的峰位及2p1/2和2p3/2之间的距离当前第19页\共有28页\编于星期二\12点XPS

XPS分析方法化合态识别-光电子峰

CF4C6H6COCH4半峰高宽(eV)0.520.570.650.72C1s在不同化学状态下半峰高宽的变化当前第20页\共有28页\编于星期二\12点XPS

XPS分析方法深度剖析(1)利用逃逸深度与角度的关系：

λ=λmcosθ(2)利用离子溅射技术当前第21页\共有28页\编于星期二\12点XPS

XPS分析方法小面积XPS分析

小面积XPS是近几年出现的一种新型技术。由于X射线源产生的X射线的线度小至0.01mm左右，使XPS的空间分辨能力大大增加，使得XPS也可以成像，并有利于深度剖面分析。

当前第22页\共有28页\编于星期二\12点当前第23页\共有28页\编于星期二\12点当前第24页\共有28页\编于星期二\12点Ni2P1/2线的高分辨XPS谱当前第25页\共有28页\编于星期二\12点XPS

XPS分析总结基本原理：光电效应基本组成：真空室、X射线源、电子能量分析器辅助组成：离子枪主要功能：成分分析、化学态分析采谱方法：全谱、高分辨率谱分析方法：定性分析、定量分析当前第26页\共有28页\编于星期二\12点XPS

X射线光电子谱仪的能量校准荷电效应考虑荷电效应有：其中ES=VSe为荷电效应引起的能量位移，使得正常谱线向低动能端偏移，即所测结合能值偏高。荷电效应还会使谱锋展宽、畸变，对分析结果产生一定的影响。

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X射线光电子谱仪的能量校准荷电效应-中和法

制备超薄样品；测试时用低能电子束中和试样表面的电荷，使Ec<0