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第一章1真空度与压强的关系,粗,低,高,超高真空如何划分。托、大气压之间的关系答:压强越低意味着单位体积中气体分子数愈少,真空度愈高,反之真空度越低则压强就越高。粗真空:(1X105~1X102Pa)低真空(1X102~1X10-1Pa)高真空(1X10-1~1X10-6Pa)超高真空(<1X10-6Pa)1托=1/760大气压2为气体临界温度。气体与蒸气区别、平均自由程、余弦散射定律答:气体临界温度:对于每种气体都有一个特定的温度.高于此温度时.气体无论如何压缩都不会液化,这个温度称为该气体的临界温度。气体与蒸气区别:温度高于临界温度的气态物质称气体,低于临界温度的气态物质称为蒸气平均自由程:每个分子在连续两次碰撞之间的路程称为“自由程”,这是一个描述气体性质的微观参量,其统计平均值称为“平均自由程”。余弦散射定律:碰撞于固体表面的分子,它们飞离表面的方向与原入射方向无关.并按与表面法线方向所成角度θ的余弦进行分布。3简述旋片机械泵、扩散泵、分子泵原理及真空范围使用时是否需配前级泵答:旋片机械泵原理:通过悬片的转动将待抽真空的容器中的气体吸入并压缩排出机械泵,通过此原理不断循环,从而使容器达到真空。真空范围:1大气压——10-2pa不需要使用前级泵扩散泵:扩散泵是利用被抽气体向蒸气流扩散的现象来实现排起作用的。真空范围:1——10-6Pa需要前级泵分子泵:靠高速转动的转子碰撞气体分子并把它驱向排气口,由前级泵抽走,而使被抽容器获得超高真空。真空范围:1——10-8Pa需要前级泵4简述热阻、热偶、热阴极电离真空计原理及测量原理网答:协热阻陡真空中计诵原理部:拍通过殃测量将热晚阻丝拍的电挺阻趴随温院度变孤化,兴建立阶电阻皇与压暂强的涨关系后,间攀接确混定压忌强,北从而亏实现忘对真围空的岭测量痰。挂铁1浴0顿4伸P参a碗——则10脖-2舟Pa高热偶宜真空撇计栏原理你:殿低压炼强下蓝气体很热传窝导与秩压强惊有关仇,用荡热电疲偶测赚量热塑丝温欣度,馆建立汽气体坛压强式与热啦偶电大动势球之间霉的关却系,依从而煤确定龙真空辣室压膏强。葵元窜灰10饺2够P旗a顿——低10践-1宴Pa封热阴困极磁电离拐真空翁计原眯理仇:电娃子在狂加速箭电场店中获骨得能置量,黎参与再气体使分子信碰撞律将发喇生电蝶离,淡产生辈正离哈子和怀次级乎电子抛,正菌离子抽数正隙比于气气体振密度瓜,坦即在匹一定燃温度朋下正俩比于辱气体曾压强怠,榆根据器离子根电流宪大小挤,来芒测压睛强。申拥余10刷-1饰Pa晋——搅10恨-6询Pa量5孔典型空止系统涉组成周是什才么?话何为念极限禽真空钥及抽南气速勉率迟答:凳典型灰真空拉系统趴组成滩:待否抽空荡的容花器盐(芝真空震室台)域、获纯得真俊空设丽备虏(更真空秆泵搁)础、测霞量真亩空的证器具越(钱真空副汁港)回以及丰必要私的管扩道、仗阀门坡和其绪他附殿属设苍备。倚极限贡真空雄:系臭统所忠能达衫到的臂最低量压强杆。粉抽气荒速率炒:在翼规定挺压强腔下单逼位时伯间所予抽出炊气体悉的体扬积。创第二醒章浮1牲、痒真空茎蒸发止系统且组成茧。镀讽膜基似本过杀程是单什么痛,何促为蒸耐发温迹度、错饱和跟蒸气辣压与里温度都关系宫、蒸快发速仍率与此何因潜子有快关。匙如何栏减小往蒸发蜘分子甚碰撞权几率矿答:映真空决蒸发瘦系统帝组成皮:胖1荷真空拒室悠2揪蒸发鸣源或株蒸发传加热坡器狠3若基板助4奏基板懂加热蒸器和舰测温兵器投镀膜养基本促过程还:冒1享加热锈蒸发焦过程展2肌气化醋原子忙或分脊子在赵蒸发艘源与爸基片鞋之间判的输衰运陡3油蒸发浆原子私或分舰子在千基片污表面蛋上淀序积过脖程经蒸发夸温度智:物壮质在帝饱和本蒸气催压为拆10心-2桑托掘时的而温度弃,叫椅该物哑质的勇蒸发技温度剖饱和屿蒸气主压与击温度酬关系荷:替物冻质的吵饱和课蒸汽信压随价温度攀的上孙升而怪增大减,在耳一定堤温度圈下,帜各种显物质缠的饱剧和蒸陆汽苍压不液相同稠,且剧具有客恒定收的数位值。诵克拉糖伯龙迟-克默劳修长斯方何程式魔:元蒸发引速率井因子模:羊蒸发雹速率碑除与惯蒸发猾物质赏的分屑子量头,绝映对温余度和施蒸发观物质仿在温锡度T陈时的障饱和余蒸汽鞋压外较,还腐与材餐料答表面辨清洁让度有构关。骑特别院是蒸奋发源玩温度走的变报化对特蒸发蚂速率围影响稍极大招。天如何凉减小甜蒸发些分子所碰撞讨几率灿:平并均自容由程仇比源绵——陆基距纹大得更多的带情况书下。储3宋简述唉点源虽、小垮平面幕源的捕蒸发世特点枯并比级较两算者相浓对厚截度分引布曲脑线。司两种坚点源核与基熄板相婶对位陵置如违何配盖置蝴P2生5冻-号27膀骆答:盯点源拥(点未蒸发劈源)渠:湿以相针同的隔蒸发把速率毛向各哄个方怖向蒸班发。壳小平咏面(震小平州面蒸脉发源孤)裙:具那有方芹向性除,遵除从余喂弦角冰度分制布规孩律胡厚度瑞曲线盟比较唯:两帖种源障在基造片上触所沉痰淀的长膜厚炼度,乏虽然载很近侍似,破但是率由于勾蒸发继源不住同,秒在给卫定蒸盆发料走,蒸锤发源蒸和几顽班距杀离的块情况质下,位平面己蒸发诱源的厚最大妻厚度礼可为鱼点蒸某发源旺的4钻倍左愤右。鹿对基践板位唱置配张置貌:都点源猎:厕为了挤获得燕均匀爱膜厚耗,言点源支必须才配置名在基沉板所棕围成脂的球滩状中纪心诵小平按面源甘:溜当小咬平面良蒸发奋源为栗球形耗工件绵架的解一部饿分时配,该程小平文面蒸帜发源千蒸发回时,纤在内伶球体秧表面峡上的秆膜度默分布习是均宗匀的惹。钳4倡何为性电阻厉加款热周蒸发著法。磁何为毯电子牺束蒸钞发法姓和优偿点文P3自5沿39绍4英2~锡47联答:展电阻忌加溉热烫蒸发寄法嚼:采粱用种钽姨、铜慧、钨拨等高裤熔点刃金属雹,做废成适忽当形粒状的己蒸发火源,歪其上弃装入古待蒸坑发材莲料料奸.让暗电流裙通过由.对无蒸发兰材料采进行茄直接纷加热裙蒸发兽,或揭者把貌待蒸凑发材歉料放嗽入嫌A1纠2膏O咬3兔,违Be虫O恰等坩内锅中赛进行毕间接洞加热变蒸发炮电子说束蒸型发法万:皆将蒸猾发材睡料放供入水浑冷铜翼坩锅弊中,碌直接指利用湾电子槐束加你热,稍使蒸勺发材肠料气梅化蒸醉发后歌凝结手在基岁板表以面成社膜悟优点萝:排(亮1渣)梁电子名束轰指击热显源的常束流感密度警高,后能获叙得远废比电酿阻加添热源宫更大托的能强量密衣度摊(谜2钢)浆由于占被蒸副发材箩料是刊置于没水冷忆坩锅歇内,疗因而其可避耐免容码器材功料的皆蒸发吸,以缓及容裁器材股料与拜蒸发圈材料斗之间痛的反槽应,跑这对鲜提高层镀膜袖的纯焰度极机为重查要述(革3贩)眠热量垃可直弱接加叫到蒸找发材先料的滴表面构,因姨而热党效率繁高。括热传跨导和快热辐符射的衔损失睛少蜜5斯为何碍合金味,化徐合物破蒸发鹊镀膜在时不欠易得奖到原留成分踏化学顽计量设比,盟简述市采用寸什么两方法质可得散原合告金化亦学计择量比却。荷原因阵:由供于各早成分堵的饱顺和蒸擦汽压麦不同保,使急得其研蒸发语速率穿也不脑同,宜会发毛生分岔解和界分馏例从而钉引起衡薄膜灭成分溜的偏精离丽合金娃:可咐采用避瞬间猾蒸发搂法和粒双源农或多射源蒸捕发法沿瞬间重蒸发眯法:耗将细遇小的令合金乖颗粒季,逐房次送乎到非奇常炽谊热的须蒸发醒器或亏坩埚举中,总使一蜘个一府个的够颗粒惭实现估瞬间忌完全暗蒸发拣。妹双源宽或多诵源蒸母发法编:将锋要形伞成合密金的项每一柱个部臂分,积分别泊装入理各自府的蒸施发源纠中,毙然后耽独立涨地控裙制各抗蒸发闷源的提蒸发束速率聪,使导到达疾基板当的各驱种原赢子与免所需终合金找薄膜便的组章成相衣对应狸。停化合挽物稍:可晓采用匠反应背蒸发煌法,啦电阻送加热阳法,缴双源猎或多让源蒸责发法这6街分子铺束外牌延镀画膜法悟原理饺及特等点蔑P4公6恩答:见原理腿:它老是在瓦超高槐真空烘条件兔下,虹将薄慢膜诸葵组分黄元素壤的分磁子束敌流,缎直接既喷到逆衬底赏表面徒,从坟而在幼其上鸟形成股外延皆层昏的技雷术剃。兼特点渣:割(1泥)M霉BE劲虽然绳一是师一个顶以气际体分焰子论匙为基妥础的构蒸发苹过程省,但蓄它并钢不是苦以蒸广发温僵度为关控制嘉参数胀,而堡是以雾系统珍中的延四级帐质谱乡仪,喇原子伙吸收能光谱鬼等近终代分狱析仪英器,摄精密挑地监裕控分遭子束嗽的种友类和胜强度疲,从得而严盗格控标制生蛮长过遭程与赔生长蹦速率困。(撤2)瓣MB叶E是奇一个杂超高位真空净的物岁理电堵极过末程,些既不稍需要削考虑陕中间丈化学赏反应伍,又胁不受朗质量品传输耻的影黎响,嘱并且皂利用秃快门绑可对叶生长坐和中根断进寒行瞬抹时控供制。钳(3桨)M立BE逃沉底劫温度谈低,停因此哀降低锻了界建面上嗓热膨锡胀引证入的斑晶格阶失陪喉效应下和沉币底杂被质对束外延色层的晓自掺键杂扩欠散影鬼响。努(4尸)M解BE葱是一抵个动盐力学绒过程撕。瓶(5逝)M谅BE苍生长乞速率游低,猴有利徐于实寒现精叶确控咸制厚凡度,咸结构盐与成肠分和茶形成幕陡峭夏抑制伍结等刻。住也MB问E适陈合生苦长超饼晶格书材料竿。(态6)昌MB万E在锦超高遥真空枣环境赖中进贝行的递而且窄衬底轿和分她子束扑源相修隔较设远,森因此池可用彼多种也表面乖分析狭仪器否实时灰观察抬生长荣面上甚的成沃分,狮结构牺及生押长过腰程。柴7别简述福石英碑晶体习法与祥等厚扇干涉椒法测异膜原兄理犹P5种8雀答:宿石英尿晶体但法除:消这是膨一种视利用躁改变最石英塘品体闯电极胃的微野小厚莫度.跌来调卷整坦晶体朗振荡链器的北固有牢振荡围颁率粗的览方法洲。帅利用诱这一河原理蔑,在权石英郊晶片民电极副上淀秋积薄苹膜,薄然后李测其用固有衣频率献的变鞭化就踏可求贸出质福量膜嘱厚屡。合等厚汤干涉照法测尾膜草:如参果在京楔形吧薄膜臂上产配生单适色干城涉光扶,在戴一定孤厚度捕下就螺能满酿足最茅大和觉最小鼻的干坑涉条厦件。惨因此负,能曾观察欺到明奖暗相计间的暮平行读条纹余。如血果厚钩度不纯规则庭.则眯干涉保条纹槽也呈微现不岔规则姥的形叫状。萄第三梦章斥1夸简述狮二级比溅射姻、偏够压溅途射、概三级蔽溅射士、射共频、姐磁控散、离灰子束嗽,反盾应原苗理及逆特点环答:咏二级贩溅射允:原庸理:联被溅岛射的炼靶(谨阴极若)和文成膜错的羁堡绊及进其固叙定架灰(阳史极)稼构成削了溅柄射装次置的景两个闸极。间工作泳时,段先将矛真空赔室预卸抽到厅高真指空情(罩如饱10税-3环Pa场)财,然乏后.练通入之氩气母使真莲空室秃内压密力维遵持在宗l谣一令10盖Pa裂时,话接通歇电源扇使在舰阴极共和阳娘极间矩产生玩异常植辉光麦放电沉,并料建立哪起等根离子锁区,登其中极带正文电的鸭氩离跨子受鄙到电所场加欧速而托轰击铸阴极赚靶。轧从而握使靶盒材产床生溅抱射。摇特点竖:构怠造筒愿单,脖在大完面积吹基板绸上可嘴制取场均匀棚薄膜杜。蠢偏压效溅射皮:原预理:继在基执片上逐施加汁以固编定直外流偏称压,毁若施赢加的君是负傲偏压眉,则进在薄伐膜电胀极过续程中快,基凉片表幕面都驾将受棚到气润体离唯子的除稳定佩轰击腥,随烛时清牌除可符能进础入薄执膜表映面的框气体拥,有塑利于咽提高抄薄膜简纯度抽。并螺且也奋可除展掉粘撤附力咬弱的长淀积酷粒子到,加绪之在画淀积炸之前靠可对考基片边进行梳轰击露清洗换,使唤表面锐净化赢,从爷而提另高了镇薄膜柔的附漆着力棋。犹特点片:镀陡膜过观程中粪同时蚊清除腔基片悄上轻巨质量发的带族电粒丛子,故从而顿使基继板中芝不含模有不简纯气究体裁(钞残余突H2柱O民、阁N2筐等乖)内三级嫁溅射鸭:在葬二级责溅射米基础首上,肝在真衬空室绕内附拖加一激个热塔阴极名,由糕它发史射电骆子并察和阳历极产邪生等胜离子肌体。劈同时票使靶于相对梯于该叛等离抬子体亿为负惭电位仓,用槐等离聪子体颗中的竞正离投子轰责击靶必材而篮进行哥溅射镇。钥特点突:可摩实现迁低气皆压、歼低电杜压溅祖射,贝可独绒立控惩制放斑电电雹流和获袭击律靶的羡离于群能量君。可其控制开靶电贩流.著也可苏进行须射频陶溅射便射频概溅射姿:在捡靶上策施加威射频泻电压祖,当松溅射酷靶处巩于上葡半周伙时.匀由于永电子甩的质现量比顽离子京的质猜量小翼得多市.故笨其迁丛移率杏很高椅仅用胖很短领时间策就可启以飞破向靶索面,爷中和轮其表椒面积续累的污正电膀荷,廊从面度实现河对绝钱缘材差科的踪溅射逆。并闲且在少靶面妈又迅掘速积恢累大迹量的捞电子调,使乖其表杠面因冷空间般电荷啄呈现叙负电诵位,凝导致傅在射网频电蒸压的跳正半涝周时双也吸阳引离别子轰景击靶恋材。渴从而匠实现幻了在犯正、壳负半金周中卧,均喂可产率生溅苹射猜特点境:典(1因)在季射频仔溅射唇装置纽中,洁等离议子体罢中的瑞电子捆容易烫在射额频乏场中表吸收谷能量踪并在陶电场砌内振狐荡,州因此毫,电涝子与仪工作称气体会分子巩碰撞绢并使笔之电居离的时几率绍非常欠大,吹故使萄得击箱穿电鸽压和块放电镜电压申显著阴降低键。借(2锅)能桶淀积绿包括找导体参,半稼导体拳,绝构缘体减在内鲜的几聚乎所能有材著料。项磁控甘溅射首:原校理:刷电子乐e灶在电阔场E板作用狼下,银在飞侵向基摔板的猴过程泛中与检氩原船子发波生碰窝撞,病使其光电离检出氩拘粒子累和一桐个新枪的电仅子e嚼,电揉子飞窄向基犹片,侧氩离俊子在售电场帝作用恐下加剩速飞同向阴食极靶焦,并忽以高蒙能量饰轰击序靶表羞面,拳使靶栋材发余生溅际射。裕特点吐:高弦速周与唱低温蛇溅射绘离子亡束溅用射鸡:原伶理:谦由大议口径美离子猾束发忘生源城(1雀#谎离子示源驰)系引出套惰性煎气体储离子棵,使象其照略射在滚靶上添产生敬溅射性作用仰,利拨用溅刑射出洪的粒民子淀效积在娱基片惹上制挎得薄掌膜。蚊在大澡多数搏情况耽下,瞧淀积茶过程貌中还经要采秃用第我二个充离子籍源摔(2播#铲离子趣源拦)唐使其宵发出干的第锅二种梯离子怀束对边形成届的薄印膜进赞行照窑射,敏以便梯在更踩广范精围控双制淀动积膜志的性妙质。镰特点蒸:关(1孟)堤膜纯酷度高陈(2叼)基殿片温喝度低罢(3悼)条僚件可芽独立霞控制苍,重候复性挥好。沸(4劝)适有于制傍备多谦成分吃膜的像多层烤膜(尝5)网可溅拔射多均种材顾料,野包括童各种防粉末颠,介天质材依料,速金属拌材料周和化踏合物婶等。观特别船是对投于饱洞和蒸急汽压昨低的超金属渡和化校合物童以及妄高熔滑点物培质的膛沉积矮等。厉2畜溅射酬镀膜大与真笑空镀亮膜相钓比,李有何昨特点小P6钞0甜答:朗特点仅:(寒1)糖任何绑物质粮均可讯以溅决射.霜尤其草是高趁熔点判、低六蒸气城压元侧素和鼻化台坝物。足(2猾)内溅射相膜与腥基板慢之间泡的附柏着性音好。嗽(3浇)穴溅射双镀膜抖密度委高,崖针孔针少,扯且膜端层的忆纯度拳较高猴,因避为在躺溅射厚过程嗓中,院不存嫂在真杏空蒸奉镀时敞无法市避免帅的坩免埚污液染现内象。因(糊4)蛾膜厚雕可控意性和拿重复贪性好嗓。悲3龄溅射捕的现融象的违几点差结论扇P8毒2盘答:伐(党1)淋溅射芽率随煎入射栽离子贵能量篇的增厅加而届增大锹,而卡在离揪子能唤量增降加到她一定搂程度绘时,亚由于线离子耻注入伏效应僚,溅上射率繁将随秧之减项小揉。妄(2争)嚷照射惰率的披大小脉与入伶射粒载子的铺质量暴有关上。符(3龄)词当入阔射离谣子的曲能量月低于百某—宿临界双值凡(怨闽值腥)响时,铜不会昼发生辩溅射商。系(4榨)漏溅射买原子逮的能杂量比弦蒸发搬原子蠢的大抬许多你倍绳。谨(5即)忆入射惩离子惠的能乎量低捆时.探溅射领原子觉角分耳布就地不完旋全符摸合于境余弦豆分布扣规律栋。角坏分布织还与欲入射悔离子障方向睡有关额。从犯革品速靶溅苏射出柜来的怜原子摇趋向箩于集激中在怀晶体盯密度惜最大归的方膏向。陡(6服)滋因为裤电子稀的质储量小眼.所盆以.虹即使匆用具近有极孩高能签量的溪电子粒轰击比兜材陕时.忌也不尸会产委生溅粥射现姻象。帆4纹简述科热蒸涌发理烘论和据动量责转移蜓P8蒜3持答:丑热蒸仁发理芽论倒:溅梨射现冻象是瞎被电瓦离气镰体的的荷能楼正离裳子,劲在电卖场的涌加速康下轰盗击靶配表面吨,而侧将能葛量传透逻给爽碰撞载处的辫原子下,结奖果导砖致靶扰表面乞碰撞颜处很肥小区打域内远,发胸生瞬饮间强损烈的歼局部愤高温辽,从错而使毯这个储区域赵的靶窝材料核熔化伞,发密生热钻蒸发堡。花动量瞎转移裹:低御能离绪子碰妄撞靶宁时,累不能缝从固下体表欲面直船接溅萍射出兼原子史,而鼻是把芹动量路转移魔给被症碰掩孤的原扬子,谜引起恶晶格挖点阵浓上原煮子的录链锁朋式碰圣撞。残这种沸碰撞甚将沿亏着晶雁体点恋阵的套各个拘方向至进行宁。同贸时,过碰撞轿因在里原子迈最紧森密排述列的贺点阵悦方向码上最和为有怀效,来结果盆晶体齐表面己的原翅子从养邻近早原子溜那里汽得到倚愈来慨愈大追的能困量,感如果逃这个比能量红大于添原子龟的结虑台能舟,原励于就吐从固罢体表此面板奋溅射讨出来破。杯5喝溅射棉阀值辰,辉踢光放钉电、腊溅射童率引P6庆8绣答:麦溅射研阀值掠:是欲指使纯靶材贞原子费发生读溅射句的入伴射离讨子所暗必须晨只有点的最钩小能垒量。顺辉光轧放电克:指万在真持空度弯约为全10肥~1腿Pa楚的稀粥薄气薯体中融,两火个电伞极之莲间加困上电满压产蛙生的烟一种途气体散放电翅现象规。疗溅射睁率菠:表巩示正运离子旗轰击初靶阴标极时赶.平基均每缝个正蛇离子扎能从迅阴极需上打床出的凶原子呢数。尘又称范溅射雾产额叼或溅沫射系余数盒。松第四定章馋1体简述球离子碰镀原祥理、稳P1萍04算简述菊其特区点足10往5策、如享何划受分其滨类型疗11蚀0叹什么屑叫离提化率撑10庭6睬答:托离子瞧膜原白理四:烘在真况空条炉件下吧,镀算材气山化蒸械发后剩的的迟粒子鞭进入侧等离肉子区执与等滥离子寺区中作的正悟离子退和被敌激活葡的惰于性气阵体原亭子以嫁及电月子发北生碰屠撞,证其中美一部锄分蒸混发粒堵子被温电离贼成正况离子怜,正息离子瓣在负茫高压销电场雪加速捆作用晌下,泛沉积迈到基辣片表既面成雷膜。肚特点缴:片(1聚)天膜层筑附着援性能励好煎(2坑)师膜层返的密烟度高确(哥通常类与大棕块材限料密舱度相控同摔)诵(3歼)追绕射遇性能岁好惭(4眠)犁可镀叙材质窑范围妨广泛捷(5咬)欣有利证于化帜合物枪膜层慎的形寻成(颗6)埋淀积炉速率喜高.村成膜简速度眨快,出可镀浊较厚痒的膜洪类型猪:丘根据拆膜材岩不同膏的气习化方制式和乖离化描方式泻划分啊。乱气化研方式锯:电芝阻加精热,就电子胃束加缺热,浊等离伪子电宝子束渣加热配,高野频感愤应加孩热,胃阴极捕弧光求放点悔加热摇等弹气体游分子哀或原攀子的插离化域和激亩活方红式:岩辉光袄放电呆型,浓电子耽束型什,热黄电子治型,庄等离坡子电降子束流型,盆多弧视形及引高真缩空电状弧放纲电型况。有离化话率舰:被踪电离软的原挨子数系占全希部蒸驰发原迅子数陕的百穴分比宪例。匀第五苦章膝1宴、坊CV姐D闲如何恰分类柴,邀CV体D姿装置真的主菌要部忧分,煌何为栽化学裕气相惨沉淀励法叙P1仰18侄答:华分类皇(1败)尝按淀阳积温阵度,陪可分鹅为低糕温君(2川00教一积50廊0筋℃旅)宇、中警温替(5逮00佛—迹I花00暖0芦℃共)俱和高莫温劳(1砖00怕0吓——薪13厌00三℃既)眨苍
(宰2)前按反岛应器帅内的惕压力念,可宋分为药常压左CV患D谁和低讨压姓CV贿D返;拜腹
(国3欲)胖按反蛋应器膊壁的居温度群.可询分为骂热壁孕方式灰和冷沃壁方疯式彻CV廊D拍。,魔(4潮)洗按反吊应激济活方滩式,说可分徒为热饲激活休和等容离子穴体激赠活田CV珠D伏等。艺装置跨:反测应气叛体输烧入部铸分,吵反应舰激活纽能源览供应磨部分塌和气塑体排越出部斤分。膏CV泥D筝:化类学气态相沉位积是正一种泥化学搅气相泰生长颈法,凶简称凯CV凶D淘技术踪。这叫种方适法是证把含成有构副成薄铃膜元妨素的友一种司或几网种化产合物阀的单渗质气蓄体供狼给基门片,迟利用脖加热查、等别离子基体、狮紫外午光乃柿至激嘱光等耍能源婚,借黎助气躲相作蛋用或辞在基耻片表盏面的贸化学酱反应岸(哭热分脆解或态化学鱼台成宰)律生成午要求采的薄得膜财2钉简述帖CV沸D逃制模馅的几承个主扁要阶向段,御何为趁热分岂解反浴应,幕化学兼合成馆反应废,化爪学输琴运反瓦应猪P1配19拨~1倒22坛答:梢主要厚阶段传:虏(1搬)猪反应维气体铸向基恒片表使面扩森散咸;久(2掘)昨反应婚气体瓶吸附刊于基锻片的品表面索,降(3趟)容在基柜片表布面上秃发生音化学塞反应央;市(4蜓)犯在基围片表部面上射产生墙的气滔相副盲产物留脱离烦表面辆面扩设散掉文或被维真空睁泵袖鹅走,且在基通片表意面留扯下不桐挥发锄的固榨体反栋应产构物—叨薄膜扒。依热分馆解反咬应剑:在避简单抢的单类温区婚炉中务,在祖真空够或惰女性气座体保束护下题加热吊基体刚至所乱需温枝度后跃,导合入反边应物越气体它使之务发生物热分盗解,禽最后丢在基臂体上过沉积响出固小态涂奥层。繁化学问合成赠反应粗:两表种或万多种册气态疤反应开物在顾一个黄热基搜体上余发生掉的相他互反卵应酬,这拍类反超应称将化学晋合成酷反应宵。源化学叙输运锈反应算:把墓需要尤沉积松的物反质当标作源瓜物质侮(街不挥紫发性劳物质哗)智,借宋助于海适当症的气之体介浙质与看之反射应而易形成塔一种村气态叹化台飘物,盗这种旅气态丘化合啄物经敢化学栽迁移箩或物路理载敲带痛(鲜利用虾载气闹)臂铂运全到与俘源区简温度票不同律的沉向积区注,并揉在基研板上枝再发语生逆稿向的付反应然.使采源物着质重密新在殖基板盆上沉旋积出冈来,射这样殊的反贫应过度程称诉为化享学输腥运反桐应窑。归3相简述毛CV傍D吨优缺慌点约P1姿24版答:尺优点透:菜(1兴)瓣.既形可以歉制作散金属梯薄膜夜、非执金属洲薄膜言,又富可按肢要求或制作预多成遣分的逆合金裹薄膜狂。坝(薯2傻)疫.成刚膜速扎度可插以很眨快泪,每蛙分钟毯可达再几个唇甚至矛达到昼数百富。王(遍3妻)胳.呜CV胸D妥反应渠在常欢压或永低真授空进周行.框镀膜兴的绕槽射性睁好葡。泻(落4丽)月.能秀得到袄纯度佳高、虎致密示性好雾、残片余应热力小远、结叨晶良续好的邀薄膜仪镀层满。爷(室5肿)股可得巾到纯感度高带,结雅晶完雾全的朗膜层蹈。复(萄6故)警CV喇D倍法可再获得闭平滑屈的沉裕积表伟面。率(英7拦)铲辐射吃损伤侧低。者缺点漠:反猫应温妥度太洗高,地一般旧要在假10忧00适℃敏左右拦,使助许多吼基体衰材料学都耐宇受不魄住坑CV银D督的高冈温,释因此戚限制密了它出的用唐途范训围刚;反庆应物忠余气坟多属省于易饱燃、抛有毒钟、易烫爆。盛4锤简述伟开口急体系磨,大闭管末法特臭点掏P1惹28榆答:党开口犬体系瓜特点银:能蜘连续遵地供贱气和挨排气弯,匹沉淀参工艺傻容易碰控制追,工吓艺重岁复性糊好摄,工时件容屋易取炎放,汉同一露装置状可反枕复多屑次利警用。橡闭管鞠法的漆优点公是反敬应物疯与生雁成物睛被空猫气或锄大气购污染举物〔叙水蒸薪气等并)航偶然情污染木的机址会很阿小,唐不必咬连续既抽气对就可阳以保动持反举应器爹内的旺真空分,对钢于必袋须在权真空丰条件帅下进挑行约横沉积街十分船方便般,可咏以沉印积蒸考气压春高的关物质扔5袍LP思CV钟D牵和忠CV路D品主要趁区别挪P1重29怪答:墓主要辩区别屡是盒由于积低压赞下气申体的必扩散馆系数宜增大仔,使需气态诊反应愚剂与厅副产哪物的做质量余传输睛速度扁加快拼,形携成沉虫积薄洒膜的艳反应刘速度屿增加画。气丰体的愧密度咱和扩表散系描数都肾与压配力有饺关,讨前者伯与压抱力成术正比副,而沸后者尺与压药力成疾反比毁。爆LP娘CV介DD艳系统转内气逐体的尘扩散锦系数仙比常境压雪CV何D尚时大竖10蝴00禽倍。环扩散蕉系数退大意逼味着翠质量填输运句快,路使整崖个系棵统空腥间气倘体分猜子均舅匀分愈布。姿所以坏能生抵长出篇厚度耗均匀矛的薄由膜。夕而且山由于研气体载的扩挨散系赠数和晚扩散陵速度摸都增陷大,砖基片悄就能勺以较享小的茂间距趋迎着壶气流蝴的方来向垂份直排烤列,忠可使晃生产唉效率荒大大谁提高傻,并泪且可敲以减巡少自当掺杂详,改哗善杂抱质分奇布。罪由于姻气体姿分子稀的运柜动速气度快固,它光们的选化学扭反应充速度娇在各葬点上魄也就当会大炸体相让同,鞠这是党生长油均匀国薄膜催的原也因之仙一。周由于纷LP渔CV互D壤比常似压培CV寒D珠系统危中气何体分截子问让的动打量交声换速绩度快订。因笼此被钥激活健的气突体分引子间奸易于年发生德化学羽反应纲。也写就是者说愈LP亮CV邪D轻系统爱中沉路积速骄率高遗。通6拿何为鸽等离蜂子体羡CV箱D去,等森离子裙体在膊CV巩D须中作鹅用架P1钉30肃答港:等团离子春体译CV胃D疏:是晶利用篮辉光惩放电醉的物额理作秒用来贼激活证化学堤气相劝沉积柳反应哭等离判子体追在甘CV惕D喷中作沙用页:轻(1利)购将反少应物鉴中的诉气体灿分子据激活发成活痰性离讲子,拾降低率反应杆所需基的温蒜度铸(2怎)育加速挨反应借物在偶表而拾的扩漂散作碰用相(嚼表而筝迁移逢率峡)制,提田高成招膜速总度糠。拢(3保)热对于暖基体咽及膜涉层表欢面具渗有溅程射清榆洗作模用,惜溅射翁掉那炉些结具合不虏牢的叮粒子叔,从帆而加仿强了勺形成夏的薄线膜和翠基板聪的附浸着力教。慰4)筝由于测反应怨物中汉的原蔑子、耐分子哈、离者子和畅电子牲之间煎的碰格撞片、散趣射作晒用,票使形壶成的肯薄膜抓厚冤度均学匀天。在7品PE梁C蹈V删D豪与普钓通灭CV争D切相比蚊,有添什么栗优点梨P1辅31勇答:辩Ad预va见nt终ag例e藏:惑(1解)尿可以洽低温州成膜柄,对趴基体鄙影响慕小,扛并可距以避织免高集温成寇膜造码成的趴膜层梳晶粒性租大取以及全膜层淹和基体体间疯生成护脆性缸相等社问题鱼。贡(2堂)P看EC肚VD栗在较猜低的女压强垃下进缓行.乘由于匙反应凭物中咬的分秒子、敢原子监、等闯离子右粒团认与电机子之贞间的搂碰撞堆、散舟射、劲电离开等作立用,才提高出膜厚兽及成嘉分的还均匀绕性,慢得到潮的薄胸膜针贸孔少际、组朝织致卸密、趟内应廉力小矛、不延易产槐生裂停纹;些(3邻)深扩大季了化低学气存相沉脱积的搞应用苦范围灯,持范别是土提供捐了在秆不同扮的基德体上均制取熟各种揪金蚕属乐薄膜滑、非骑晶俊态无遵机薄指膜、寿有机棍聚合藏物薄是膜的蝴可能己性;企(4锡)忽膜层抽对基毅体的若附着略力大捷于普铺通浸C揉V猛D湖第六惨章普1逝何为回化学锣镀膜识,与妇CV埋D剑的区页别,巾何为稼溶液朱凝胶拉法,么阳极枕氧化案法、骗电镀顽法,扯答:胀化学向镀膜逆:是块在还陆原剂岂的作蓄用下捡,使柄金属摊盐中酬的金擦属离干子还惠原成段原子马状态的并沉塑积在暑基板隆表面盼上,拿从而蜻获得瞒镀层尼的一腐种方盖法。捎溶液偷凝胶疼法蹈:采桃用适秀当的洁金属钉有机碑化台见物等僚溶液积水解假的方焦法,堡可获回得所市需的毁氧化陡物薄卡膜棕。快用含卵有化令学活齐性的飘组分服的化惊合物良作前世驱体令,在嘉液相税下将序这些铃原料喊混合爷,并江进行滑水解汤、缩严合反决应,立在溶农液中前形成羞稳定赶的溶剖胶体祥系,类溶胶觉经陈疼化,凶胶粒候间缓贿慢聚累合,询形成膊三维岗网络住的凝闯胶,潜网络态间充遭满失矩去流态动性悠的溶融剂,估凝胶来经过随干燥降、烧舅结、脏固化逗制备懂出霸分子营乃至云纳米组材料抄。遭阳极织氧化牵法倾:将针金属模或合村金在尝适当语的电匠解液锋中作拉阳极饥并加射上一婚定直巧流电姐压时瓣,由盖于电自化学傅反应译会在焦阳极布金单属笑表面埋上形杆成氧签化物男薄膜株的潜方法罗。及电镀权法岗:利晶用电斥解反望应在蜂位于蹦负极把的基滴板上迟进行索镀膜唤的过作程称焦为电程镀。件2牛化学字镀膜涝与杯CV加D养的区饱别亏区别洒:化椅学镀男的还定原反啄应必协须在丛催化脏剂的捕作用寨下才毁能进稠行,舌且沉包积反辜应只倦发生余在镀册件的肾表面丛上,蒙而化谨学沉汁积法孝的还情原反仇应却世是在拼整个必溶液郊中均惩匀发替生的窜,只狗有一蚂部分欧金属与镀在径镀件肺上,钻大部棍分则岩成为浪金属魔粉末怜沉淀堂下来某。瞒3沾何为们LB夏膜、叮溶液针镀膜饼法转P1推36跪LB炕膜机:利集用分从子表萝面活鲜性在婆水—亿气界字面上恨形成广凝结真膜,与并将泳该膜墓逐次例转移抽到固薯体基范板上林,形漫成单虏层或虹多层阔类晶置薄膜蜂的一踢种制辰膜方爬法,珠简称乳LB加法,沈所制告得的萌相应皇膜层惊称为韵LB尽膜饥溶液啦镀膜员法冷:站在征溶液哲中利块用化倦学反左应或网电化否学反唤应等孟化学衰方法点在基脖板表琴面肉沉积扮薄膜楼的一际种技视术。佩第七谢章闪1.礼薄膜匹的形模成分劝几聪个轮过程凡,何温为凝汤结过支程拜P1季44圈答:爹薄膜圾的形钞成一项般分削为凝轻结过纯程、通核形搞成与樱生长歉过程索、岛撑形成济与结堆合生甩长过坟程售凝结做过程筒:从饶蒸发屈源中嫌被蒸怨发的婚气相银原子桌、离祝子或休分子盼入射矛到基破体表乔面之们后。怀从气我相到怜吸附喝相,弃再到雪凝结卵相的棋一个裕相丰变观过程封2伸何为四吸附就,物纤理吸经附,猾化学禁吸附捎P1罗44迷答:寨吸附辛:入魔射到非基体第表面疯的气款相原窄子被掩这种旬悬挂虫键吸钉引住激的现艇象。匹物理斑吸附橡:吸浸附仅砍仅是饰由原裤子电挂偶极绘矩之壁间的栏范德谷华力视起作加用称著为物醋理吸摔附委化学于吸附评:吸渗附是骑由化却学键或结合秩力起柱作用秘则称悉为化偿学吸拒附苦3啄理解菠吸附霸原子呢的表伞面扩窝散运餐动是成形成吧凝结姿的必君要条裳件忧P1凯46竿答:迈入射瘦到基型体表罩面上他的气蔬相原丧子终在表基面上诉形成瑞吸附门原子怕后,皂它便拌失去碎了在醒表面比法线堡方向葬的动皱能,俊只具卫有与孙表面浙水平关方向叹相平雁行运截功的巧动能肢。依啦靠这脸种动耽能.风吸附仓原子脖在表疲面上耗作不熔同方勺向的辟表面堪扩散笔运动岭。在垦表面侍扩散计过程途中、雪单个夺吸附后原于削间相险互碰龙检形安成原激子对向之后疯才能涨产生鼠凝结软,所枕以吸南附原截子的抄表面骆扩散棕运动拐是形醋成凝盏结的讯必要收条件沈。慈4池总捕潮获面慌积大确小与古凝结葱关系替P1猾47角答:住总捕党获面会积慎若“别<文l醋,不成发生罗凝结田;隆若揪l仔<达<甚2思,则的发生仗部分携凝结梨;血若惠>得2蓄,达袖到完浇全凝动结村。让5件薄膜降的形票成与推生长对的三芽种形补式钥P1归48泡答:共(1甩)港岛状肥形式纳萍(2黄)碧单层民成长若形式旺坏(3壶)扯层岛骄结合粪形式横6狐简述肌核形监成的漂4矩个步李骤及棒2维种形应核理扒论冷P1页48源~1将55木步骤迷:闭(1迎)赢从蒸西发源厘蒸发务出的堤气相抚原于骆入射尖到基窝体表锈面上亿,其督中有决一部盈分因洒能量妨较大雨而弹坦性锹反射封回去坡,另遥一部羞分则芬吸附载在基耕体表类面上从。在燥吸附兽的气灵相原望子中怨有一饰小部槐分因衡能量喷稍大草而再这蒸发绸出去装。葡(2背)位吸附炎气相择原子学在基曲体表解面上肤扩散穴迁移呜,互穿相碰弯撞结良合刷成原远子对煎或小铃原子锄团并犬凝结存在基广体表孩面上做。棚(3腿)棍这种级原子题团和告其他震吸附阁原子号碰撞帆结合旨,或骆者释屈放一善个单纵原子氏。这蚊个过巡程反掘复进睁行.亚一旦毙原子厨团中剧的原缓子数守超过来其一仪个临目界值李,原只于团胡进一疤步与永其他誓吸附渠原子寇碰撞裕结合面。只纽向着壁长大剃方向梯发展担形成代稳定遍的原谨子团校。含湾有临谢界值椅原子源数的绞原子愉团称肥为临副界核准,稳浑定的分原子诞团称盏为稳熄定核为。史(4驼)匙稳定步核再体捕获舰其它库吸附炒原子饥。或洪者与衬入射蹦气相笨原子垄相结渠合使琴它进退一步筋长大必成为担小岛床.姥两快种形准核理洁论转:(骂1)呢热力贿学界形面能郊理论锣(蛮毛细鸣管现原象理虚论柳)申:这僻种理梳论的胸基本陪思想吉是将燃一般倾气体祸在固振体表略面成响凝结素成微灿液墒文的核兔形成莲理论肺(登类似剩于毛韵细管鼠湿润阅)杨应用擦到薄成膜形架成过则程中瘦的核辛形成蝶研究培。秘〔市2)夏原子容聚集联理论童(桥统计葵理论蚕)萝:原燃子聚块集理坊论研芹究核扣形成靠时,业将核流看作脉一个寄大分艺子聚秀集体必,用帮聚集锁体原描子问津的结味合能厚或聚奏集体伞原子现与基类体表肥面原衡于间晃的结碰合能视代替忙热力碌学自介由能酱.雷7词简述妄岛状妇薄膜鸽形成被过程熊的四小种主劣要阶援段芹P1珠56尾~1颠58文答:站1巾.岛屡状阶光段谨:不累断插捕捷获吸零附原思子生茅长的张核,行逐渐惧从球蚂帽形嫁、圆事形变浊成多典面体牢小岛魔2销.联楼并阶健段堆:随拍着岛县不断临长大穷,岛境间距含离逐脉渐减棒小,俭最后姻相邻闷小岛发可互牌相联附结合姐并为凳一个荒大岛降3酿.沟紫道阶欠段蜂:昆在券岛联捧并之铜后,荣发生吨较大葛的变肤形,份形成释—种宵网状连结构虹,结博构中鸭不规额则的险分布喉着沟敌渠,殃后来贩沟渠们被联水并成汉桥形学并被割填充傲,并润消除名,薄果膜由获沟渠维状变李为有豆小孔咸洞的滩连续梁状结杆构。奥4房.连贴续膜康阶段桨:在承沟渠堂和孔肢洞消振除之遣后殖,再讽入射隆到基市体表攀面上蛋的气菜相原际子便董直接验吸附异在薄寻膜上剂。通私过联套并作灿用轨而斗形成茫不同匆结构积的薄林膜。勾8所简述朴真空振镀膜津与溅帝射镀灯膜形艺成屑过程蹈的不衰同耳P1矮59代答:触(衔1朴)岸沉积图粒子术的产染生过闻程:调真空朴蒸发亭是一顺种热宵过程息,即抗材料莲由固短相变毫到液叉相再责变到尖气相孩的过驴程.凭或辩者从插固相蒜升华递为气梨相的些过程正。溅前射过庸程是袄以动李量传任递的萝离子订轰击寺为基朗础冬的滚动力日学过每程。插(偷2悬)释.沉果积粒组子的棒迁移醉过程锹:援真空债蒸发岁时真丰空度页较高之。纪蒸发弃气相森原子也基本孕保持膨离开孤蒸发惯源时琴具有污的能并量割、能册量分际布和摧直线茄飞行煮轨迹默。握在阴盟极溅刊射时六,不害但使翅溅射吨粒子倒酌韧沫始能逼量减孕少,军而且堆还改漂变溅久射粒励子脱稠离靶牺面时慢所具出有的吨方向朋,到羞达基椅体表隐面的咱溅射慧粒子绢可来育自基易体正崇前方鼠整个锈半球渣面空蝴间的吐所有别方向争(块3暑)胶.成孩膜过悔程:予真空啦镀膜若法乖:成有核条舞件不绳发生鲁变化杜,杂崇质气介体掺米入到指薄膜蓝中的屯可能剥性较勤小,挑蒸发诱的气羽相原况子与迷残余统气体泡很少宅发生消化学返反应僻,基暖体和徒薄膜档的温冲度变桑化也谦不显购著。浮溅射互方法丑却正岭好相阔反,沿成核责条件到有明蹈显变给化,竹杂质猴气体密或外着部材勿料掺絮入薄质膜的锅机会芦较多俊,在降薄膜呢中容罗易发妹生化贷学反谋应,伞基体毕和薄恶膜的戚温度贿变化或也比肠较显积著逃9息何为岸外延好生长酿、辛晶格巡失配牛数,禽其大刷小网如何膛影响旬界面钢P1期60佳答:秃外延复生长恋:是递在一榜块半递导体倘单晶牵片上摊沿着帅单晶御片的疫结晶卧轴方戏向生氏长一备层所鉴需要西的薄秒单晶放层。俱晶格块失配排数乖:沉喉积薄脖膜用诚的基夏片材咐料的嘉品格握常数记为消a妖,薄梯膜材拳料的低品格避常数桐为歼b条,在芒基片匠上外垂延生碑长薄蚕膜的含品格凯失配架数衫m明可用蚕下式龙表示吐:m消=(同b-捐a)耳/a曾,蜡m侮便是孔表征但湾膜姨材料田和基潮片材杀料在址结晶畜学上架晶格厨结构沿相似沟程度触的指孝标之犹一伸影响棚:在m值诞越小笨,表兰明外晌延生撕长的应薄膜露晶格乖结构匀越与停基片焦相类布似。挤m值辉不大艘时适,晶轰体点巷阵出僚现应概变(嫂畸变丧)胆m值撇很大教时,顺出现斑不连宫续过撑度,膝产生巴位错详第八妇章销1芹薄膜牲结构孔分几口类,乌薄膜呼组织房结构粉分几解类膏并解楚释驳答:罢薄膜貌结构搏分为恶:组狂织结搅构、谎晶体律结构霉和表朋面结休构辛薄膜薯组织暮结构贵:无愉定形格结构舰、多胞晶结车构、峰纤维溉结构炕和单直晶结中构鲜无定镰形结剩构是丢一种殖近程伐有序曾结构题,在痒环境蝶温度挠下是蹈稳定瓦的。走多晶踏结构央薄膜敌是由桂若干披尺寸瘦大小盏不等倾的晶束粒所列组成测纤维毛结构墙薄膜担是晶坟粒具哨有择壁优取尤向的券薄膜虾单晶烟结构尽薄膜粮通常至是用灿外延粗工艺显制造佳2.包简述秤薄膜支与块员状晶客体的照区别带答:制在大分多数针情况拒下,敌薄膜膜中晶殖粒的兴晶格啄结构觉与块章状晶头体是绣相同望的。展只是界晶粒横取向府和晶柄粒尺栏寸与煮狂状里晶体竖不同滴。除芦晶体薪类型眯之外架,薄劫膜中巨晶粒聪的晶谈格常肥数也哥常常窃和块免状晶颜体不周同。丧3薄蔽膜中告引起辈位错赔的原吐因。需答:吴原因衔:看(1过)汇基体倦引起察的位百错始:如璃果薄贺膜和妥基体稳之间添有晶秆格失燥陪的惰位错腐,则朽在生烛长成吧单层杏的拟拣似性移结构捉时就跪会有馒位错爸产生输。蒸(2室)骆小岛挤的聚斑结搅:薄座膜中弟产生座位错瘦的主虚要原轻因都蛙来自携小岛露的长困大和英聚结统。检在多峰数的消小岛武中其拖结晶路方向刷都是教任意子的。咐特别期是两越个晶手体方抵向稍沿有不腐同的闷两个碧小岛铸相互鸭聚结卸成长持时,蹄就会旁产生网以位钉错形万式形石成小歉倾斜员角晶验粒间矩界。域4常测用薄婶膜结控构与斑成分护分析植方法荣有哪葱些(青2种篮)半方法公:X圾射线桃衍射锄法,芳电子无衍射胞法(还TE雕M)吊,扫形描电贪子显先微镜筑法(屑SE茂M)糠,顿俄歇把电子挡能谱裁法(纲AE挠S)竟,X驶射线脑光电万子能亦谱法愉(X巨PS坐),补二次跑离子于质谱捐法(集SI诵MS臭)因5纳简述跌沉积叮薄膜扰微观药结构迅的变茂化。激在低谅温时晓,由勾于吸寺附原四子表怪面扩疏散速绩率减吓小抓,成狼核数叫目有纯限,规容易聚生长南成锥葵状晶从粒结井构。免随着糊基体塌温度撕升高库,吸约附原园子表农面扩砌散速廉率增夜大,渔结构招形貌机转移骂到T延区。枝形成礼晶粒模间界秀较模沃糊的雕紧密垂堆积多纤维劣状晶犁粒结论构。抱如果阁温度图继续份升高罗,因上柱状盾晶粒暖尺寸听随凝葛结温迈度升匹高而辽增大谅,其你结构拢变成则等轴般晶形单貌。窜第九私章倚1铺简述嗽薄膜导增加怖附着器力的枕方法棵,及带附着但力测谷量方界法饮P1总89谋-舞19乌0慧增加贱附着孔力
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