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文档简介
第二讲二极管及其应用电路演示文稿目前一页\总数五十九页\编于八点目前二页\总数五十九页\编于八点问题:一个简单的二极管电路一个二极管电路如图所示,现在我们利用PSpice(或在实验室)给输入端加上正弦信号,看一看,输出端会产生什么样的波形?如果我们用一个电阻替换掉二极管,输出端波形又是什么样的?两种情况下的输出为什么会产生形状上的差别,问题的关键是什么?
D1N4002第二讲半导体二极管及常用二极管电路
+
-
vi
vo
-
+
R
D
目前三页\总数五十九页\编于八点PN结的形成PN结的单向导电性半导体二极管
2.1二极管的物理机制
关键词
二极管的单向导电性第二讲半导体二极管及常用二极管电路目前四页\总数五十九页\编于八点第二讲半导体二极管及常用二极管电路
2.1二极管的物理机制
【例1.2-1】已知在T=300K时本征硅受激产生的电子浓度为1.431010cm-3,而本征硅原子浓度为5.11022cm-3,如果在本征硅中掺入十亿分之一的施主杂质,即,杂质浓度为,此时的杂质半导体中空穴浓度、电子浓度分别是多少?解:此时的电子浓度:n=Nd>>空穴浓度为:目前五页\总数五十九页\编于八点第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.1二极管的物理机制
1.PN结的形成
目前六页\总数五十九页\编于八点2.PN结的单向导电性
外加正向电压
阻挡层内的总电场减弱,空间电荷总量减少;空间电荷区变窄;
势垒区的电位差减小。
正向偏置情况下,给PN结一个小电压,可得到较大的电流。第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.1二极管的物理机制
目前七页\总数五十九页\编于八点外加反向电压
阻挡层内的总电场增强,空间电荷总量增加;空间电荷区变宽;
势垒区的电位差增大。
反向偏置情况下,反向电流很小,可以认为PN结基本上不导电,表现为一个很大的电阻。
第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.1二极管的物理机制
2.PN结的单向导电性
目前八页\总数五十九页\编于八点第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.1二极管的物理机制
3.半导体二极管目前九页\总数五十九页\编于八点关键词
二极管正向门坎电压二极管最高反向工作电压VBR
2.2二极管的伏安特性
正向特性反向特性第二讲半导体二极管及常用二极管电路目前十页\总数五十九页\编于八点1.二极管的V-I特性当vD
0,且 时,当vD
0,且 时,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.2二极管的伏安特性
目前十一页\总数五十九页\编于八点1.二极管的V-I特性例:已知PN结在T=300K时,,m=1,求
及时的结电流。解:当时,PN结上为正偏压,有当时,PN结上为负偏压,有第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.2二极管的伏安特性
目前十二页\总数五十九页\编于八点1.二极管的V-I特性第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.2二极管的伏安特性
目前十三页\总数五十九页\编于八点2.正向特性第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.2二极管的伏安特性
目前十四页\总数五十九页\编于八点3.反向特性对Si二极管而言,一般地
VBR6伏----齐纳击穿;
VBR7伏----雪崩击穿;6伏
VBR7伏----两种击穿都有
第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.2二极管的伏安特性
目前十五页\总数五十九页\编于八点例:Si二极管I-V特性曲线如图,把Si管接入电路,求二极管上的电压降和通过二极管的电流。Q解:电路方程E=iDR+vD
从图中查出,
ID=7(mA),VD=0.8(V)第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.2二极管的伏安特性
目前十六页\总数五十九页\编于八点温度对正向特性的影响第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.2二极管的伏安特性
目前十七页\总数五十九页\编于八点
2.3
二极管的常用模型关键词二极管的理想开关模型和恒压源模型模型分析法的实质常用的二极管模型二极管的分析方法
第二讲半导体二极管及常用二极管电路目前十八页\总数五十九页\编于八点第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.3二极管的常用模型1.常用的二极管模型理想二极管开关模型正向导通,VD=0(内阻r=0),相当于开关闭合反向截止,IS=0(内阻r=),相当于开关断开。目前十九页\总数五十九页\编于八点1.常用的二极管模型恒压源模型Si管:Von≈0.7(V)(实际:0.6~0.8)Ge管:Von≈0.2(V)
VVon,D通,通后压降为Von
V<Von,D止,Is≈0,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.3二极管的常用模型目前二十页\总数五十九页\编于八点1.常用的二极管模型交流小信号模型(微变等效)
第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.3二极管的常用模型目前二十一页\总数五十九页\编于八点2.分析方法
解析法模型分析法(等效电路分析法)第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.3二极管的常用模型目前二十二页\总数五十九页\编于八点2.分析方法
例,如图,已知E和vi(微小变化电压),求iD、vD。解
:①设vi=0
,②E=0,③叠加交,直流量,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.3二极管的常用模型目前二十三页\总数五十九页\编于八点
2.4
常用二极管电路
关键词二极管常用电路的理解和分析限幅和箝位电路多二极管电路整流电路
整流滤波电路
第二讲半导体二极管及常用二极管电路目前二十四页\总数五十九页\编于八点第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
1.限幅和箝位电路E为直流10V,vi峰值20V、频率1kHz目前二十五页\总数五十九页\编于八点第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
1.限幅和箝位电路串联下限幅电路目前二十六页\总数五十九页\编于八点1.限幅和箝位电路箝位电路
第一个T/4时间,当vi大于二极管的导通电压Von时,二极管导通,电容C充电,
vi到达峰值,vC=Vim-Von
vi下降。理想情况下,电容不放电,当vi下降到与
vc值相等时,二极管变为反偏。输出第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前二十七页\总数五十九页\编于八点1.限幅和箝位电路箝位电路第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前二十八页\总数五十九页\编于八点2.多二极管电路例1,电路如图,判断图中二极管是导通还是截止,并确定输出电压Vo,设二极管Von=0.7V。将D1、D2断开,
对D1管,有VD1=Va-Vb1=15-0=15V;
接入二极管后,
D2管优先导通,将电位限制在
Va=-10V+0.7V=-9.3V
,此时D1因承受反向压降而截止。所以,Vo=-9.3V。
第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前二十九页\总数五十九页\编于八点2.多二极管电路例2,求如图所示电路当Vi=0V、Vi=4V时输出电压和二极管上的电流。二极管的Von=0.7V。当Vi=0V时:当Vi=4V时:VO=3.3+0.7=4(V)iD1=iR2-iD2=0.63(mA)
iD1=0,VO=1.2+0.7=1.9(V)第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前三十页\总数五十九页\编于八点2.多二极管电路例2电路的输出与输入特性曲线第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前三十一页\总数五十九页\编于八点2.多二极管电路例2电路中D1和D2的电流第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前三十二页\总数五十九页\编于八点2.多二极管电路二极管与逻辑电路V1(V)V2(V)Vo(V)逻辑输出000.70500.70050.705551第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前三十三页\总数五十九页\编于八点2.多二极管电路二极管或逻辑电路V1(V)V2(V)Vo(V)逻辑输出0000504.31054.31554.31第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前三十四页\总数五十九页\编于八点3.发光二极管电路
发光二极管(LED)由砷化镓等化合物半导体材料制成,它能将电流转化为光信号,也就是将电能转化为光能。
如果二极管正偏,电子和空穴注入空间电荷区成为过剩少子。这些少子扩散到N区或P区,在那里与多子复合,复合时会发出光子。
七段LED显示器第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
电子和空穴之间的能隙越大,产生的光子能量就越高,光子的能量与光的颜色对应,不同材料具有不同能隙,因而能发出不同颜色的光。一般工作电流10mA,正向压降1.5~6V。目前三十五页\总数五十九页\编于八点4.整流电路
整流电路是二极管的一个重要应用。是小功率(200W以下)直流稳压电源的组成部分。其主要功能是利用二极管的单向导电性,将市电电网的单相正弦(AC)→单方向脉动(DC)(后经滤波、稳压→直流电源)。即,整流是将交流电转化成单一极性的直流的过程。
可用二极管的理想模型分析这类电路。工作原理
电路分析
第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前三十六页\总数五十九页\编于八点4.整流电路——工作原理单相半波整流
利用二极管的单向导电性能,使经变压器出来的电压只有半个周期可以到达负载,造成负载电压Vo是单方向的脉动直流电压。
特点:电路结构简单,脉动大。
第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前三十七页\总数五十九页\编于八点4.整流电路——工作原理单相桥式全波整流
电桥的简化符号:
特点:输出电压高;波纹电压较小(脉动小);Tr在正负半周都有电流供给RL,效率较高。第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前三十八页\总数五十九页\编于八点4.整流电路——电路分析
分析整流电路的性能时,主要考察四项参数:①整流电路的输出电压平均值(直流电压)Vo(AV)②整流电路的输出电压脉动系数S③整流二极管正向平均电流ID(AV)④整流管的反向峰值电压VRM
第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前三十九页\总数五十九页\编于八点4.整流电路——电路分析
1)Vo(AV):输出电压在一个周期内的平均值。(即输出电压的直流分量)
半波整流:
全波整流:
第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前四十页\总数五十九页\编于八点4.整流电路——电路分析
2)S:表征整流输出波形脉动的量。定义:
Vo1M指的是输出电压的基波峰值
半波整流:
第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前四十一页\总数五十九页\编于八点4.整流电路——电路分析
2)S:表征整流输出波形脉动的量。定义:
Vo1M指的是输出电压的基波峰值
全波整流
:第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前四十二页\总数五十九页\编于八点4.整流电路——电路分析
3)ID(AV)半波整流
:全波整流
:第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前四十三页\总数五十九页\编于八点4.整流电路——电路分析
4)VRM:二极管承受的最大反向峰值电压VRM。
半波整流:处于负半周时,二极管截止,承受的最大反向电压为全波整流:v2
0时,D1、D3通,D2、D4止,
v2
0时,D2、D4通,D1、D3止,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.5常用二极管电路
目前四十四页\总数五十九页\编于八点5.整流滤波电路——电容整流滤波电路
单相桥式整流滤波电路
第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前四十五页\总数五十九页\编于八点5.整流滤波电路——电容整流滤波电路
讨论:①加了电容滤波后,输出电压直流成分提高了(输出电压的平均值增加)②加了电容滤波后,输出电压的脉动成分减小。③电容放电的d=RLC↑→放电过程↑→则输出电压↑,同时脉动成分↓,滤波效果↑。当RLC→∞,VO(AV)=∴应选择C大,RL大。第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前四十六页\总数五十九页\编于八点5.整流滤波电路——电容整流滤波电路
讨论:④电容滤波电路中二极管的导电时间缩短了。
导电角<180°,且τd↑,导电角↓。因此,整流管在短暂的导电时间内流过一个很大的冲击电流,对管子的寿命不利。所以必须选择较大容量的整流二极管。第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
目前四十七页\总数五十九页\编于八点5.整流滤波电路——电感整流滤波电路
第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路
适用于负载电流大的场合目前四十八页\总数五十九页\编于八点
2.5稳压管及稳压电路关键词
稳压管的稳压作用稳压电路的稳压机制
稳压管是利用PN结的反向击穿特性所具有的稳压性能而做成的,是一种用特殊工艺制造的面结型Si半导体二极管。第二讲半导体二极管及常用二极管电路稳压管的伏安特性及模型稳压管的参数稳压电路目前四十九页\总数五十九页\编于八点第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.5稳压管及稳压电路1.稳压管的伏安特性及模型反向击穿电压为VBR=-VzDz的反向击穿特性越陡,稳压特性越好。目前五十页\总数五十九页\编于八点2.稳压管的主要参数①Vz:Dz中I为额定电流时,稳压管两端的电压值。
②Iz:Dz正常工作时的参考电流值。(~Izmin)
③rz:rz随工作电流不同而变。
④Pz:额定功耗。Pz=IzmaxVz第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.5稳压管及稳压电路目前五十一页\总数五十九页\编于八点3.稳压电路稳压原理
限流电阻R的选择
主要指标
第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.5稳压管及稳压电路目前五十二页\总数五十九页\编于八点3.稳压电路当RL不变:(输入电压变大)VI↑→IR↑→VO↑→Iz↑↑→IO↓
当VI不变:(负载变小)RL↓→VO↓→IZ↓↓→IO↑
VO稳压原理电路稳压的实质是,齐纳二极管利用调节自身的电流大小(端电压基本不变)来满足输出电流的改变,并和限流电阻R配合将电流的变化转换成电压的变化以适应电网电压的波动。VO第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.5稳压管及稳压电路目前五十三页\总数五十九页\编于八点3.稳压电路限流电阻R的选择设Dz的工作点在IZmin≤IZ≤IZmax电网电压最高时整流输出VImax,最低为VImin
负载电流Io的最小值为IOmin,最大为IOmax
当VImax和IOmin,IZ的值最大:
当VImin和IOmax,IZ的值最小:
第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.5稳压管及稳压电路目前五十四页\
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