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文档简介
1光刻
在衬底表面形成光刻胶掩膜，以便于对图形内的衬底进行腐蚀去除或金属介质的淀积添加处理。234接触式曝光机高压汞灯滤光镜+镜头光刻版衬底5步进式曝光机6电子束曝光机7什么是阳版？什么是阴版？答：如光刻版与设计图形的透光区和不透光区相一致，此版叫阳版。
如光刻版与设计图形的透光区和不透光区不一致，此版叫阴版。设计图形阳版阴版8什么是正胶？什么是负胶？答：光刻胶曝光显影后，如曝光区的光刻胶可以被显影液溶去，则此光刻胶为正胶。
如曝光区的光刻胶不能被显影液溶去，则此光刻胶为负胶。光刻版正胶负胶9我们的光刻设备——光刻机10我们的光刻设备——涂胶机11我们的光刻设备——热板烘胶台12我们的光刻设备——烘箱13我们的光刻设备——显微镜14我们的光刻设备——超纯水系统15我们的光刻设备——超声清洗机16光刻步骤1、衬底准备2、光刻胶涂覆3、前烘4、曝光5、显影6、后烘7、刻蚀8、去胶17光刻步骤1、衬底准备2、光刻胶涂覆3、前烘4、曝光5、显影6、后烘7、刻蚀8、去胶流程片清洗吹干后，用烘箱烘干。建议条件：90摄氏度，30分钟18光刻步骤1、衬底准备2、光刻胶涂覆3、前烘4、曝光5、显影6、后烘7、刻蚀8、去胶选择光刻胶，在流程片表面上涂胶。建议条件：预涂：500rpm，4～6秒主涂：2000～8000rpm，20～30秒19光刻步骤1、衬底准备2、光刻胶涂覆3、前烘4、曝光5、显影6、后烘7、刻蚀8、去胶烘胶，去除胶中的有机溶剂，提高胶与片子表面的粘附性能。建议条件：温度：90～120摄氏度时间：2～4分钟20光刻步骤1、衬底准备2、光刻胶涂覆3、前烘4、曝光5、显影6、后烘7、刻蚀8、去胶选择光刻版，对光刻胶进行局部曝光，将光刻版上的图形转移到流程片上。建议条件：时间：4～30秒21光刻步骤1、衬底准备2、光刻胶涂覆3、前烘4、曝光5、显影6、后烘7、刻蚀8、去胶选择显影液，显出光刻胶图形。建议条件：温度：室温显影液：时间：10秒～1分钟22光刻步骤1、衬底准备2、光刻胶涂覆3、前烘4、曝光5、显影6、后烘7、刻蚀8、去胶去除光刻胶中的水分，提高胶与衬底的粘附性能，固化光刻胶。建议条件：温度：90～120摄氏度时间：4～30分钟23光刻步骤1、衬底准备2、光刻胶涂覆3、前烘4、曝光5、显影6、后烘7、刻蚀8、去胶对片子进行刻蚀或溅射蒸发等工艺建议条件：24光刻步骤1、衬底准备2、光刻胶涂覆3、前烘4、曝光5、显影6、后烘7、刻蚀8、去胶将片子上的光刻胶去除。建议条件：丙酮超声清洗，时间30秒。清洗，烘干25光刻间注意事项1、有机溶剂用完后及时清理。2、强
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