电磁兼容第六章屏蔽

电磁兼容第六章屏蔽第1页，共62页，2023年，2月20日，星期二

在空间中的两个区域之间插入一块金属隔板，这方法通常用于控制电场和磁场从一个区域向另一个区域的传播。前言

将噪声源包围起来，可以将电磁场限制在屏蔽体形成的腔体内部。这种方法可以为所有的屏蔽体外的敏感型设备提供电磁保护。

从系统总体角度来看，屏蔽噪声源的效果要好于屏蔽被干扰源的效果。第2页，共62页，2023年，2月20日，星期二

实际中有些源，本身就是辐射型的（电台、雷达等）。这时需要对被干扰对象进行单独屏蔽。

无论一个屏蔽体的设计有多好，如果有电磁能量通过潜在的路径穿透或离开屏蔽体，屏蔽体就没有任何实用价值。

电缆能够在屏蔽体的一侧拾取噪声，将噪声传入屏蔽体内，并产生二次辐射。为了保证屏蔽体的完整性，所有进入屏蔽体的电缆都必须进行滤波处理。此外，穿过屏蔽体的电缆的屏蔽层必须360°连接到屏蔽体上，以避免端接效应耦合噪声。第3页，共62页，2023年，2月20日，星期二第一节近场和远场

场的特性取决于源、源周围的介质和源到观察点的距离等因素。距离源比较近的点，场的特性由源的特性决定；在距离源比较远的点，场的特性由场传输过程中经过的介质决定。

辐射场空间可以划分为2个区域：到源距离小于λ/2π的区域称为近场或感应场；到源距离大于λ/2π的区域称为远场或辐射场。

在λ/2π的区域范围内则存在一个过渡区域。第4页，共62页，2023年，2月20日，星期二

电场E和磁场H的比值我们称为波阻抗。在近场条件下，E/H的大小由源的特性和场到源中的观察点决定；远场条件下，波阻抗E/H的大小等于介质的特性阻抗（空气中波阻抗等于377Ω）

在近场区域，由于电场和磁强的强度比不是一个常数，所以电场和磁场应当分别进行考虑；如果源具有大电流、低电压特性，近场主要是磁场；如果源具有高电压、小电流特性，近场主要是电场。在远场区域，电场和磁场合成平面波，波阻抗大小为377Ω。第5页，共62页，2023年，2月20日，星期二

确定波阻抗需要使用的介质物理常数：第二节波阻抗自由空间磁导率µ：4π×10-7H/m自由空间介电常数ε：8.85×10-12H/m介质电导率（铜）σ：8.85×10-12H/m波阻抗定义：介质的特征阻抗：如果是远场平面波，介质的特征阻抗Z0等于波阻抗ZW。对于绝缘体(σ<<jωε)，特征阻抗和频率无关。第6页，共62页，2023年，2月20日，星期二

在自由空间中，Z0=377Ω。对于导体(σ>>jωε),介质的特征阻抗也成为屏蔽阻抗。

所有导体的特征阻抗都可以表示为：

铜导体：

铝导体：

钢导体：第7页，共62页，2023年，2月20日，星期二

一般采用两种方法来确定屏蔽效能：一种是应用电路理论；另一种是应用场的理论。根据电路理论，噪声场会在屏蔽体上产生感应电流，反过来这个电流会产生另外一个与原来场方向相反的场与原来的场相互抵消。第三节屏蔽效能第8页，共62页，2023年，2月20日，星期二

实际中更多采用场理论的方法，来分析屏蔽效能。我们可以使用屏蔽体使电场强度或磁场强度削弱的程度来表示屏蔽效能。

采用电场定义的屏蔽效能为：

采用磁场定义的屏蔽效能为：式中：E0(H0)为入射电磁波场强；E1(H1)是穿过屏蔽体的场强。

在进行屏蔽设计时，有两个问题需要重点考虑：1、屏蔽材料本身的屏蔽效能；2、屏蔽体上有开孔或其他不连续性时的屏蔽效能。

一个完整的，没有缝隙或开孔的屏蔽体的屏蔽效能是唯一确定的，而实际上往往是开孔的屏蔽效能决定了一个屏蔽的总体屏蔽效能，而不是屏蔽材料的本征屏蔽效能。屏蔽效能的大小随着频率、屏蔽体的几何结构、被测场在屏蔽体中的位置、被衰减场的类型、电磁波的入射方向和电磁波的极化方向等因素的变化而变化。第9页，共62页，2023年，2月20日，星期二电磁波入射到金属表面是会产生两种类型的损耗：金属表面能够反射部分电磁波，这种损耗称为反射损耗；进入金属的电磁波在穿过介质时会被衰减，这种损耗通常称为吸收损耗。无论是近场、远场还是电场或磁场，都会产生吸收损耗。而反射损耗则取决于波阻抗的类型。任何一种导体材料的总屏蔽效能等于：吸收损耗(A)加上反射损耗(R)以及薄屏蔽体中多次反射的校正因数(B)。如果吸收损耗大于9dB，那么多次反射因数B可以忽略不计。从实际工程实践结果来看，对于电场和平面波，校正因数B也可以忽略不计。第10页，共62页，2023年，2月20日，星期二

电磁波穿过介质传播时，呈指数下降。产生这种衰减的原因是入射电磁波在介质中产生的感应电流导致欧姆损耗。穿过介质的电磁波场强可以表示为：第四节吸收损耗和反射损耗

一、吸收损耗

式中：E1(H1)是介质内距离t处的电磁波场强；σ为集肤深度。我们将电磁波场强衰减到入射电磁波初值的1/e或37%时所经过的距离称为集肤深度。第11页，共62页，2023年，2月20日，星期二第12页，共62页，2023年，2月20日，星期二

为了得到理想的各种介质材料的典型集肤深度值，我们可以用相对电导率和磁导率来化减集肤厚度公式。以英寸为单位可有：我们将屏蔽体的吸收损耗，用分贝表示为形式，可得：

由此我们可以看出：厚度等于一个集肤厚度的屏蔽体的吸收损耗约为：9dB，如果屏蔽体的厚度增加一倍，那么吸收损耗也会增加一倍。第13页，共62页，2023年，2月20日，星期二

图中的结果适用于平面波、电场和磁场。第14页，共62页，2023年，2月20日，星期二

我们将前面的集肤厚度公式，带入吸收损耗的dB表达式中可以获得吸收损耗和屏蔽体厚度的关系式。第15页，共62页，2023年，2月20日，星期二第16页，共62页，2023年，2月20日，星期二二、反射损耗

电磁波从一种介质进入另一种介质会产生反射，反射损耗的大小与这两种介质的特性阻抗之差相关。

电磁波从一特性阻抗为Z1的介质传播到另一个特性阻抗为Z2的介质时，透射电磁波的强度可以表示为：第17页，共62页，2023年，2月20日，星期二

同样，当电磁波从屏蔽体射出时，将会再次产生反射。反射损耗也同样取决于两种介质的特性阻抗之差。

穿过屏蔽体的电磁波可以表示为：第18页，共62页，2023年，2月20日，星期二

如果屏蔽体的厚度大于集肤厚度，综合以上两种情况我们可以得到总透射电磁波的强度。这里我们暂时忽略电磁波的吸收损耗。

如果屏蔽体是金属材料，并且周围充满绝缘介质，那么就有Z1>>Z2成立。在这种条件下，电磁波进入屏蔽体时，电场产生最大的反射；同样，当电磁波离开屏蔽体时，磁场产生最小的透射。由于在第一个界面上产生最大的电场反射，所以即使是很薄的屏蔽材料也能够提供很大的反射损耗。因此当Z1>>Z2时，穿过屏蔽体的电磁波可以表示为：第19页，共62页，2023年，2月20日，星期二

假若用波阻抗ZW代替Z1，屏蔽阻抗ZS代替Z2，并忽略多次反射损耗，那么无论是电场还是磁场，其反射损耗都可以表示为：

式中：ZW为进入屏蔽体前的波阻抗；ZS为屏蔽体的阻抗。

以上我们得出的反射损耗公式，只适用于在法线方向上到达屏蔽体界面的电磁波。如果电磁波不是在法线方向到达屏蔽面，那么反射损耗将会随着入射角度的增加而增大。由于任何电磁波都可以分解为若干个平面波来表示，所以这个结果同样也适合于平面波以外的其它类型的电磁波，而且这个结果也适用于曲线型界面，但是需要满足界面的曲率半径远大于集肤厚度的条件。第20页，共62页，2023年，2月20日，星期二三、平面波的反射损耗

如果电磁波是远场平面波，那么波阻抗ZW等于自由空间的特性阻抗Z0=377Ω，所以电磁波的反射损耗可以表示为：

可以看出：屏蔽体阻抗越小，平面电磁波的反射损耗越大。我们将前面得出的导体特性阻抗的公式带入，可以得到金属屏蔽体的反射损耗表达式：第21页，共62页，2023年，2月20日，星期二钢材、铜材和铝材对平面波的反射损耗屏蔽体的导电性越好对平面波的反射损耗越大。第22页，共62页，2023年，2月20日，星期二四、近场反射损耗在近场的条件下，电场与磁场比值的大小不再取决于介质的特性。电场与磁场的比值更多的地依赖于“源”的特性。如果“源”的特性是高电压、低电流的，那么波阻抗就大于377Ω，近场为高阻抗场（电场）；如果“源”是低电压、大电流的，那么波阻抗就小于377Ω，近场为低阻抗场（磁场）。

由于反射损耗是波阻抗与屏蔽阻抗的比值的函数，所以反射损耗的大小随着波阻抗的变化而变化。因此，高阻抗场（电场）的反射损耗大于平面波；低阻抗场（磁场）的反射损耗小于平面波。第23页，共62页，2023年，2月20日，星期二铜材的反射损耗与频率、到“源”的距离和电磁波类型的关系

电场的反射损耗随着频率的增加而减小，直到与源的距离接近λ/2π，超过这个点之后，它的反射损耗和平面波的反射损耗曲线一致；而磁场的反射损耗随着频率的增加而增大，直到与源的距离接近λ/2π，随后它的反射损耗以和平面波反射损耗相同的速率衰减。

在源与屏蔽体距离一定的条件下，电场、磁场和平面波的3种损耗曲线必然在某一点重合，这个点的频率等于λ/2π。如果源于屏蔽体的距离为30m则电场与磁场的损耗曲线在频率为1.6MHz的点重合。第24页，共62页，2023年，2月20日，星期二

点电场源的波阻抗在r</λ2π的条件下，可以表示为：五、电场的反射损耗

式中：r为屏蔽体到源的距离，单位：m；ε为介电常数。

将它带入前面的反射损耗公式，可得：

自由空间中：

将导体的波阻抗公式带入，可得：第25页，共62页，2023年，2月20日，星期二

对于实际的电场源，除了产生电场之外，还会产生一小部分磁场分量，所以屏蔽体对这种场源的反射损耗就介于电场损耗曲线和平面波损耗曲线之间。六、磁场的反射损耗

点电场源的波阻抗在r</λ2π的条件下，可以表示为：

式中：r为屏蔽体到源的距离，单位：m；μ为导磁率。

将它带入反射损耗公式，可得：

自由空间中：第26页，共62页，2023年，2月20日，星期二

如果使用这个公式计算反射损耗R，如果得出负值，应当使用0来代替。产生错误的原因是我们在推导这个公式时，假设Z1>>Z2，但是实际上这个条件已经不成立了。当R=0时，上面公式的误差为3.8dB。

将导体的波阻抗公式带入，可得：七、反射损耗通用计算公式

通过上面分析，我们可以归纳出一个通用的反射损耗计算公式：第27页，共62页，2023年，2月20日，星期二

如果屏蔽体的厚度比较薄，那么来自第二个界面的反射波就会在第一个界面上再次反射。这样电磁波就反复在第一个边界和第二个边界之间形成多次反射。并且每次反射时都会有部分电磁波穿过屏蔽体。八、薄屏蔽体的多次反射

就电场而言，大部分入射波在第一个边界上被反射，仅有一小部分进入屏蔽体内，所以电磁波的电场大小可以忽略不计。而对于磁场来说，大部分入射波在第一个界面进入到屏蔽体内，仅有一小部分被反射。实际上，透射波的大小相当于反射波的2倍，如此大的磁场在屏蔽体内多次反射就必须要考虑这种效应。第28页，共62页，2023年，2月20日，星期二

厚度为t，集肤深度为δ的薄屏蔽体的多次反射校正因数,可以用下面的公式表示：

从图中可以看出：校正因数B是负值，这表明因为薄屏蔽体的多次反射实际屏蔽体的效能会有所降低。第29页，共62页，2023年，2月20日，星期二

1、平面波

在远场条件下，平面波的总屏蔽损耗等于吸收损耗与反射损耗之和。对于平面波来说，反射损耗很高而校正项很小。九、吸收损耗和反射损耗的合成

铜板的反射损耗随着频率的增大而减小；吸收损耗随着频率的增加而增大，这完全是集肤深度减小的原因。最小的屏蔽效能点的频率在曲线的中间区域，很明显对于低频平面波，反射损耗在衰减的大部分；对于高频平面波，衰减则大部分来自于吸收损耗。第30页，共62页，2023年，2月20日，星期二

2、电场

电场的反射损耗很高，所以校正项很小可以忽略不计。在低频的条件下，电场的屏蔽损耗主要取决于反射损耗部分；高频条件下，吸收损耗是电场屏蔽的主要机理。

3、磁场

如果屏蔽体足够厚，那么磁场的多次反射校正项很小可以忽略不计；如果屏蔽体比较薄，就必须要考虑多次反射校正因数。在近场条件下，由于低频磁场的反射损耗非常小，所以多次反射尤其显著。我们知道磁场的主要损耗是吸收损耗。低频时，磁场的吸收损耗和发射损耗都很低，所以屏蔽低频磁场的难度非常大。如果能够提供一个低磁阻短路路径，使被保护电路周围的磁场转向，那么就可以为低频磁场提供防护。第31页，共62页，2023年，2月20日，星期二第32页，共62页，2023年，2月20日，星期二十、屏蔽效能综述

从图中可以看出：除了低频磁场之外，铝的屏蔽效能相当高。在高频条件下（大于10MHz），吸收损耗占优势，对于多数屏蔽应用任何足够厚的完整屏蔽体都能够足够的屏蔽效能。第33页，共62页，2023年，2月20日，星期二十一、磁性材料的屏蔽

通常随着磁性材料的磁率导的增大，电导率都会减小。这会产生两种效应：1、对于大多数磁性材料，低频时磁导率增加的程度比电导率减小的要大，所以总体的吸收损耗增大。

2、反射损耗减小。

电磁波穿过屏蔽体产生的总能量损耗，等于吸收损耗与反射损耗的相加。对于低频磁场，反射损耗非常小，吸收损耗是主要的屏蔽的机理，所以这种种情况下，就必须使用磁性材料提高吸收损耗。如果是低频电场或平面波，屏蔽机理是反射损耗，所以这个时候使用磁性材料反而会导致屏蔽效能下降。

使用磁性材料做屏蔽，必须要注意磁性屏蔽材料的3个特点：

1、磁性材料的磁导率随着频率的增大而减小；

2、磁性材料的磁导率和场强有关；3、对高磁导率材料进行加工可能导致材料的特性发生变化。第34页，共62页，2023年，2月20日，星期二

大多数磁性材料的资料中提供的都是静态磁导率（直流磁导率），有电磁场理论可知，随着频率的增大，磁性材料的磁导率会减小；通常磁导率越大随着频率的增加磁导率下降的越快。第35页，共62页，2023年，2月20日，星期二第36页，共62页，2023年，2月20日，星期二磁性材料的磁导率随着磁场强度大小而变化。一般情况下材料的磁导率越大，它的饱和场强越小。大多数磁性材料说明书中的最大导磁率都是在最佳的磁场强度下测出的结果。第37页，共62页，2023年，2月20日，星期二为了克服磁通饱和问题，可以采用多层磁屏蔽技术第一层采用低导磁率高导电性屏蔽材料；第二层采用低饱和磁通高导磁率材料。在一些要求比较严格的场合，还可以增加屏蔽层的数量获得更大的衰减。

对磁性材料进行加工时，会使材料的磁性能下降，所以在加工磁性材料是应当进行退火处理。第38页，共62页，2023年，2月20日，星期二十二、磁场衰减的实验数据金属板材近场屏蔽效能实验结果：第39页，共62页，2023年，2月20日，星期二非磁性板材近场屏蔽效能实验结果：非磁性屏蔽材料的磁场屏蔽效随着频率的增加而增大，所以屏蔽效能的测量应当在最低的频率上进行。磁性材料则因为在频率增大时磁导率下降，导致屏蔽效能随着频率的增加而降低。第40页，共62页，2023年，2月20日，星期二我们前面研究的屏蔽体都是完整的，没有开孔和缝隙。除了低频磁场的屏蔽之外，这些屏蔽体都能提供90dB以上的屏蔽效能。但实际上屏蔽体一般都是不完整、不连续的，这将导致屏蔽体的屏蔽效能的降低。实际设计的时候，我们并不特别关注屏蔽材料的本征屏蔽效能，而是要重点考虑屏蔽体的缝隙和开孔所产生的电磁场泄漏。第五节屏蔽工艺通常，屏蔽的不连续性对磁场泄漏的影响大于对电场泄漏的影响，因此在设计中要特别强调减小磁场泄漏的方法。多数应用中，减小电场泄漏使用与磁场泄漏的方法就足够了。总体来说，屏蔽体不连续产生的电磁场泄漏的程度主要取决于三个因数：

1、开孔的最大线性长度；

2、波阻抗；

3、“源”的频率；一、开孔第41页，共62页，2023年，2月20日，星期二

导体产生屏蔽的基本原理在于，电磁场在屏蔽体内产生了感应电流，感生电流产生的场能够在空间区域内与原来场的能量相互抵消。屏蔽体的不连续性迫使感生电流流经另外一个不同的路径，屏蔽效能就会下降，电流流经的路径越长，屏蔽效能下降的越多。第42页，共62页，2023年，2月20日，星期二

屏蔽体上的缝隙，不仅会使屏蔽效能降低，而且还有可能形成缝隙天线，如果缝隙的长度大于1/100波长，产生的电磁能量泄漏也是非常可观的。缝隙和结合部常常能形成发射效率很高的天线，如果这些天线的长度等于1/2波长，则产生的辐射最大。

长度不大于1/2缝隙天线的屏蔽效能可以表示为：

式中：λ为波长；l为缝隙的最大长度。

这说明：当缝隙的长度等于1/2波长时，屏蔽效能等于0，随着缝隙天线长度的减小，屏蔽效能以20dB/10倍的速率增大；缝隙天线的长度每减小半，屏蔽效能增加6dB。在进行屏蔽体设计时，要避免缝隙的长度大于1/20波长（此时，屏蔽效能为20dB）。第43页，共62页，2023年，2月20日，星期二第44页，共62页，2023年，2月20日，星期二第45页，共62页，2023年，2月20日，星期二二、多孔效应

如果屏蔽体上的开孔不止一个，屏蔽效能减小的程度取决于三个因数：1、开孔之间的距离2、频率3、开孔的数量

如果同一尺寸的开孔相距很近（间距小于1/2波长），受多孔效应影响的屏蔽效能可以表示为：或

在屏蔽体的不同表面上开孔不会进一步降低系统的屏蔽效能，因为这些孔所产生的辐射散布在不同的方向上。所以，将开孔分散在不同的表面上，能够有效地减小任何方向上的辐射发射。第46页，共62页，2023年，2月20日，星期二三、接缝接缝是指一个长的窄缝隙，并且沿着接缝长度方向上的不同点被用于连接。接缝可以看作是多缝隙的集合（或阵列）。

接缝阻抗包括阻性分量和容性分量，两个分量为并联关系。第47页，共62页，2023年，2月20日，星期二由于容性分量的存在，接缝的阻抗随着频率的增大而减小，所以屏蔽效能随着频率的增加而增大。缝隙的阻抗与很多因数有关如：1、接合处使用的材料；2、接触压力；3、接触面积。接缝两侧的材料都有应当是导电的，而且多数金属材料都需要进行导电加工。第48页，共62页，2023年，2月20日，星期二

设计时，沿着接缝的长度，应当确保电接触点的间隔足够小，以获得更大的屏蔽效能。良好的电接触可以采用下面的办法：1、多点紧固；2、接触凸点；3、接触指簧；4、导电衬垫。尽管我们期望能够在整个接隙上实现良好的电接触，但除非要求非常高，否这并没有必要。数字电路系统往往会产生很大的高频分量，频率高达300MHz--500MHz。为了降低辐射，天线理论要求接触点的间隔不大于1/20波长，所以通常设计时，规定接触点之间的距离不超过1in---2in。如果有多孔设计，还应当进一步减小间距。第49页，共62页，2023年，2月20日，星期二三、波导与波导的截止频率如果开孔能够形成一个波导，就可以获得附加的屏蔽衰减，任何一个波导都有一个截止频率，在截止频率以下，对于电磁波它都是一个衰减器，其衰减量是波导长度的函数。圆型波导的截止频率可以表示为：根据电磁场理论，只要工作频率远小于波导的截止频率，那么圆型波导的磁场屏蔽效能可以表示为：矩型波导的截止频率可以表示为：第50页，共62页，2023年，2月20日，星期二矩型波导的磁场屏蔽效能可以表示为：如果波导的长度大于直径的3倍，那么波导的屏蔽效能可以超过100dB。如果在屏蔽体上的开孔直径小于屏蔽体的厚度，那么这个空实际上已经形成了一个波导，这时波导的长度等于屏蔽体的厚度。四、导电衬垫理想的屏蔽体是一个封闭的、连续的导电壳体，没有开孔和接缝。连续焊接法和铜焊法形成的连接能提供最大的屏蔽；对于铆钉和螺钉形成的连接则屏蔽效果要差一些。如果需要使用螺钉连接，应尽可能地缩短相邻螺钉之间的距离。除此之外还要尽最大可能保证连接处的电连续性，避免形成缝隙天线。在连接处采用导电衬垫是一个很好的选择，若导电衬垫的压缩量符合设计要求，就能获得连接处的导电连续性，在从几KHz到几GHz的频率范围内控制电磁能量的泄漏。第51页，共62页，2023年，2月20日，星期二普通的EMI衬垫用金属编织丝网做成，衬垫的类型有带状的，截面通常是矩形或圆形。选择衬垫材料应当和各类不同的接触表面化学相容，避免出现电化腐蚀。设计和安装衬垫时，衬垫应当放在开槽中，并且位于螺钉的内侧，以防止螺钉周围产生的电磁泄漏；同时为了保证接缝的导电连性，金属表面不能氧化、不能贴绝缘膜叶不能喷漆。第52页，共62页，2023年，2月20日，星期二如果既要满足EMI保护又要满足环境保护，可以采用两个独立的衬垫或组合衬垫（导电橡胶）。如果同时安装环境保护衬垫和EMI衬垫，EMI衬垫应当位于环境保护衬垫的内侧。当EMI衬垫安装在金属板型壳体上时，可以采用以下方法进行。第53页，共62页，2023年，2月20日，星期二冲孔金属板或屏蔽网可以盖在通风孔上，在它们的接触边沿上，材料必须有电连续性。屏蔽网的边界与底盘之间必须实现电接触。导电衬垫可以安装在屏蔽体上的开关或其它控制装置的之间，进入屏蔽体的线缆应当进行滤波处理，屏蔽体应当接地。第54页，共62页，2023年，2月20日，星期二五、导电窗口仪表控制面板上较大的开口能够彻底破坏屏蔽体的屏蔽效能，这些开孔通常是显示仪表、视频显示器以及数码显示器等。它们屏蔽通常是比较困难的，这类显示需要非常高的透光性，所以需要专门设计的特殊导电窗口。常用的导电窗口有两种类型：透明导电镀膜；金属丝网屏。1、透明导电镀膜

镀膜层的屏蔽效能是表面电阻率的函数（取决于厚度），而光学透明度也和镀膜层的厚度有关，所以两者需要折中考虑。典型的镀膜层的电阻率为：10--20Ω/in2，光学透明度在70%—80%之间。黄金的稳定性高，具有良好的导电性能，所以它是典型的沉积金属材料。实际上由于沉积镀膜的厚度极薄，所以成本并不高。透明导电镀膜采用真空沉积技术，在各种衬底上形成导电镀膜层。使用这种方法可以获得良好的屏蔽特性，光学透明度适中。沉积薄膜的厚度只有几十微米，所以导电镀膜层产生的吸收损耗非常小，屏蔽损耗主要来自于反射损耗，所以必须使用良导体。第55页，共62页，2023年，2月20日，星期二3、屏蔽型窗口的安装采用层压的方法，将导电金属丝网夹在两个塑料或玻璃板之间，就可以制成一个屏蔽性透明窗口；除此之外将金属丝网浇注在透明的塑料中也可以做成透明窗口。金属丝网屏的透明度可以达到65%--98%。编织金属丝网通常可以达到每英寸10—30根金属丝，采用新工艺可以达到80—150根。为了获得较高的屏蔽效能，必须是丝网的交叉点具有良好的电连接性。一般情况下，金属丝网屏的屏蔽效能比透明导电镀膜好，它的缺点是：由于光的衍射作用，不利于高清晰度显示。六、塑料导电工艺塑料是电子产品中使用最广的电子产品组装材料，为了满足屏蔽的需要，塑料也必须具有导电性能。2、金属丝网屏安装导电性窗口时，必须是整个窗口的边界与安装面板之间具有良好的电接触，必须避免接缝的产生。第56页，共62页，2023年，2月20日，星期二通常可以采用以下两种方法是塑料具有导电性：1、使用导电材料喷涂在塑料表面；2、使用导电添充物对塑料进行填充。为了对电磁噪声进行有效的屏蔽，要求塑料的表面必须具备导电性，塑料的电阻率应当小于每平方米几欧姆；但是另一方面，为了满足ESD防护的要求，又必须采用电阻率较高的材料，电阻率应当至少达到每平方米几百欧姆。所以，碳和石墨尽管可以有效的防护ESD，但并不能满足EMI保护的要求。最常见的导电塑料壳体的生产方法有以下几种：1、导电漆；2、火焰喷镀或电弧喷镀；3、真空电镀；5、金属薄膜衬里；6、金属材料填充。4、化学电镀第57页，共62页，2023年，2月20日，星期二目前，导电漆和火焰或电弧喷镀的生产成本最低，是使用最多的方法；化学电镀和金属材料填充将来可能获得更广泛的应用。1、导电漆2、火焰喷镀或电弧喷镀；3、真空电镀；导电漆是由粘合剂（聚氨酯橡胶或丙烯酸）与导电颜料（如：银、铜、镍等金属）组合而成。典型的导电漆中金属的含量高达80%，有机粘合剂只占20%。导电漆具有良好的导电性，便于使用喷雾设备完成表面加工，成本低（除银外）。金属镍是最常用的一种导电性材料。火焰喷镀或电弧喷镀技术是把金属丝或粉末在特制的喷枪中溶化，然后喷镀在塑料表面。这种方法可以产生坚固、致密的金属镀层，具有良好的导电性。这种方法的成本高于喷导电漆。真空电镀一般是使用铝作镀膜材料，在真空炉中将铝蒸发，然后沉积在塑料表面上。这种方法生成的镀膜具有优良的粘附性和导电性，可以用于复杂的机械结构，但是需要特殊的设备，生产成本高。第58页，共62页，2023年，2月20日，星期二5、金属薄膜衬里；6、金属材料填充。4、化学电镀化学电镀是使用可控的化学反应完成金属镀膜，形成的镀膜层厚度一致性好，导电率高，可用于