集成电路工艺-热氧化薄膜技术

集成电路工艺__热氧化薄膜技术第一页，共121页。微电子工艺学

MicroelectronicProcessing

第三章热氧化和薄膜制备技术张道礼教授Email:zhang-Voice:87542894第二页，共121页。在微电子器件中广泛使用着各种薄膜，这些薄膜可以粗略地分为五大类：热氧化薄膜、电介质薄膜、外延薄膜、多晶硅薄膜以及金属薄膜。其特点是：一、在微电子器件中用途各异，例如：热氧化薄膜和电介质薄膜—导电层之间的绝缘层，扩散和离子注入的掩模，防止掺杂杂质损失而覆盖在掺杂膜上的覆盖膜或钝化膜；外延薄膜—器件工作区；多晶硅薄膜—MOS器件中的栅级材料，多层金属化的导电材料以及浅结器件的接触材料；金属膜和金属硅化物薄膜—形成低电阻内连、欧姆接触及用来调整金属与半导体之间的势垒。3.1概述第三页，共121页。二、用于制备薄膜的材料种类繁多，例如：硅和砷化镓等半导体材料；金和铝等金属材料；二氧化硅、磷硅玻璃、氮化硅、氧化铝等无机绝缘材料；多晶硅和非晶硅等无机半绝缘材料；钼、钨等难熔金属硅化物及重掺杂多晶硅等非金属低阻材料；聚亚酰胺类有机绝缘树脂材料等等。正因为如此，微电子工艺中的薄膜制备方法千差万别，特点各异。薄膜淀积技术一直在飞速进步，发展出了很多种类，已经成为一门独立的工艺技术学科，相应的理论研究非常深入和广泛，从经典的热力学理论到建立在原子级观测的成核理论，几乎涉及到薄膜科学的每个方面。3.1概述第四页，共121页。二氧化硅的结构和性质结晶形和非结晶形（无定形）二氧化硅都是Si－O正四面体结构组成的。这些四面体通过各种不同的桥键氧原子连接起来，形成各种不同状态和结构的二氧化硅。微电子工艺中采用的二氧化硅薄膜是由热氧化法生长的无定形结构(长程无序但短程有序)。3.2热生长二氧化硅薄膜第五页，共121页。①桥键氧原子：位于四面体之间，为两个硅原子所共有的氧原子称桥键氧原子。②非桥键氧原子：只与一个四面体（硅原子）相连的氧原子称非桥键氧原子。它还能接受一个电子以维持八电子稳定结构。桥键氧越少，非桥键氧越多，二氧化硅网络就越疏松。通常的二氧化硅膜的密度约为2.20g/cm33.2热生长二氧化硅薄膜第六页，共121页。3.2热生长二氧化硅薄膜③网络调节剂：网络调节剂即间隙式杂质，处于Si—O四面体网络空隙中孔洞位置，主要有Na,K,Pb,Ca,Ba等正离子。其特点是离子半径较大，多以氧化物形式掺入SiO2膜。电离后，杂质正离子占据网络空隙位置，而氧离子进入网络，使得在一个桥键氧处出现两个非桥键氧。④网络形成剂：网络形成剂即替位式杂质，在Si—O四面体中可取代硅原子并形成网络，主要有B,P,Sb,等正离子。其特点是离子半径较与硅原子半径相近或更小。第七页，共121页。在无定形SiO2网络中，硅在SiO2中的扩散系数比氧的扩散系数小几个数量级。在热氧化法制备的过程中，是氧或水汽等氧化剂穿过SiO2层，到达Si-SiO2界面，与硅反应生成SiO2

，而不是硅向SiO2外表面运动，在表面与氧化剂反应生成SiO23.2热生长二氧化硅薄膜第八页，共121页。二氧化硅的主要性质密度：密度是SiO2致密程度的标志。无定形二氧化硅的密度一般为2.21g/cm3，结晶形SiO2的密度为2.65g/cm3。折射率：折射率是表征SiO2薄膜光学性质的重要参数。不同方法制备的SiO2薄膜由于密度不同，折射率也稍有差别。一般来说，密度大的SiO2薄膜具有较大的折射率。波长为550nm时，SiO2折射率约为1.46。电阻率：SiO2电阻率高低与制备方法及所含杂质数量等因素有关。高温干氧氧化制备的SiO2

，电阻率高达1017Ω⋅cm以上。介电强度：当SiO2薄膜被用作绝缘介质时，常用介电强度即用击穿电压参数来表示耐压能力。SiO2薄膜的介电强度与致密程度、均匀性、杂质含量等因素有关，一般为106－107V/cm。3.2热生长二氧化硅薄膜第九页，共121页。介电常数：介电常数是表征电容性能的重要参数。对于MOS电容器，其电容量与结构参数的关系为：，其中εSiO2为SiO2的相对介电常数，其值为3.9。耐腐蚀性：SiO2膜的化学稳定性极高，不溶于水，除氢氟酸外，和别的酸不起作用。氢氟酸腐蚀原理如下：六氟化硅溶于水。利用这一性质作为掩蔽膜，微电子工艺中利用HF光刻出IC制造中的各种窗口。SiO2的腐蚀速率与HF的浓度、温度、SiO2的质量以及所含杂质数量等因素有关。不同方法制备的SiO2，腐蚀速率可能相差很大。3.2热生长二氧化硅薄膜第十页，共121页。SiO2可与强碱发生极慢的反应，生成相应硅酸盐。SiO2在高温下被活泼金属或非金属还原：SiO2与碳放入电炉内加热到1800℃时，能生成碳化硅：3.2热生长二氧化硅薄膜第十一页，共121页。掩蔽性质：B、P、As等杂质在SiO2的扩散系数远小于在Si中的扩散系数。DSi>DSiO2SiO2

膜要有足够的厚度。杂质在一定的扩散时间、扩散温度下，有一最小厚度。绝缘性质：SiO2能带宽度约9eV。热击穿、电击穿、混合击穿：

a.最小击穿电场（非本征）－－针孔、裂缝、杂质。

b.最大击穿电场（本征）－－厚度、导热、界面态电荷等；氧化层越薄、氧化温度越高，击穿电场越低。

c.介电常数3～4（3.9）3.2热生长二氧化硅薄膜第十二页，共121页。不同方法制备的SiO2薄膜的物理参数氧化方法密度（g/cm3）折射率λ＝546nm电阻率（Ωcm）介电常数介电强度（108V/cm）干氧2.24-2.271.46-1.4663×1015-2×10163.49湿氧2.18-2.271.435-1.4583.82水汽2-2.21.452-1.4621015-10173.26.8-9高压氧化2.321.45-1.487-9热分解淀积2.09-2.151.43-1.45107-108外延淀积2.31.46-1.477×1014-8×10143.545-63.2热生长二氧化硅薄膜第十三页，共121页。二氧化硅层的主要用途二氧化硅对杂质有掩蔽扩散作用，能实现选择性定域扩散掺杂器件表面的保护和电路的钝化膜器件的电隔离（绝缘）作用电容的介电材料作MOS管的绝缘栅材料多层互连的层间绝缘介质缓冲层/热氧化层3.2热生长二氧化硅薄膜第十四页，共121页。1.扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层

SiO2对杂质扩散起到掩蔽作用，利用这个性质结合光刻工艺，就可以进行选择性扩散。这种掩蔽作用是有条件的。随着温度升高扩散时间延长，杂质也有可能会扩散穿透SiO2膜层，使掩蔽作用失效。因此SiO2起掩蔽作用有两个条件(1)厚度足够；（2）所选杂质在SiO2中的扩散系数要比在硅中的扩散系数小得多。3.2热生长二氧化硅薄膜第十五页，共121页。2.器件和电路的保护或钝化膜在硅片表面生长一层SiO2膜，可以保护硅表面和P-N结的边缘不受外界影响，提高器件的稳定性和可靠性。同时，在制造工艺流程中，防止表面或P-N结受到机械损伤和杂质玷污，起到了保护作用。另外，有了这一层SiO2膜，就可以将硅片表面和P-N结与外界气氛隔开。降低了外界气氛对硅的影响，起到钝化作用。但是，钝化的前提是膜层的质量要好，如果SiO2膜中含有大量纳离子或针孔，非但不能起到钝化作用，反而会造成器件不稳定。3.2热生长二氧化硅薄膜第十六页，共121页。3.某些器件的重要组成部分(1)MOS管的绝缘栅材料：在MOS晶体管中，常以SiO2膜作为栅极，这是因为SiO2层的电阻率高，介电强度大，几乎不存在漏电流。但作为绝缘栅要求极高，因为Si-SiO2界面十分敏感（指电学性能），SiO2层质量不好，这样的绝缘栅极就不是良好的半导体器件。3.2热生长二氧化硅薄膜(2)电容器的介质材料：集成电路中的电容器是以SiO2作介质的，因为SiO2的介电常数为3-4，击穿耐压较高，电容温度系数下，这些性能决定了它是一种优质的电容器介质材料。另外，生长SiO2方法很简单，在集成电路中的电容器都以SiO2来代替。第十七页，共121页。4.集成电路中的隔离介质集成电路中的隔离有P-N隔离和介质隔离两种，而介质隔离中的介质就是SiO2。因为SiO2介质隔离的漏电流很小，岛与岛之间的隔离电压较大，寄生电容较小。因此，用SiO2作介质隔离的集成电路的开关速度较好。3.2热生长二氧化硅薄膜第十八页，共121页。5.用于电极引线和硅器件之间的绝缘介质在集成电路制备中，电极引线和器件之间，往往有一种绝缘材料，工艺上大多采用SiO2作为这一层绝缘材料，使得器件之间，电极引线之间绝缘。6.多层互连的层间绝缘介质（ILD／IMD）隔离相邻金属层之间电连接的绝缘材料。金属线传导信号，介质层则保证信号不受临近金属线影响。通常采用CVD方法制备。3.2热生长二氧化硅薄膜第十九页，共121页。7.缓冲层/热氧化层当氮化硅直接沉积在硅衬底上时，界面存在极大应力和界面态密度，多采用Si3N4/SiO2/Si结构。场氧化时，SiO2会有软化现象，可消除氮化硅与衬底之间的应力。通常采用热氧化生成，厚度很薄。3.2热生长二氧化硅薄膜第二十页，共121页。二氧化硅的制备硅表面形成SiO2的方法很多：热氧化、热分解淀积、溅射、蒸发等。

由于热氧化的氧化反应发生在Si-SiO2交界面，接触到的杂质、污染比较少，形成的SiO2质量也就较高，所以，多采用热氧化法生长氧化膜。热氧化法包括干氧、水氧和湿氧三种方法，通常采用干湿干的氧化模式。3.2热生长二氧化硅薄膜第二十一页，共121页。（1）干氧氧化干氧氧化是在高温下，氧分子与硅直接反应生成SiO2，反应为：氧化温度约为1000～1200℃，为了防止外部气体对氧化的影响，炉内的气压要高于炉外的气压。干氧生长的氧化膜表面干燥、结构致密，光刻时与光刻胶接触良好、不易产生浮胶，但氧化速率极慢，这是由于O2

在SiO2中扩散系数通常小于H2O在SiO2中的扩散系数。适用：较薄的氧化层的生长，例如MOS器件的栅极。3.2热生长二氧化硅薄膜第二十二页，共121页。干氧氧化系统3.2热生长二氧化硅薄膜第二十三页，共121页。水汽氧化水汽氧化是指在高温下，硅与高纯水蒸汽反应生成SiO2膜，反应式为：

对高纯水加热产生高纯水蒸气，水汽进入氧化炉与硅片反应生成SiO2膜。水汽氧化氧化速率较快，但膜层不致密，质量很差，特别是对杂质扩散的掩蔽作用较差，所以这种方法基本不采用。3.2热生长二氧化硅薄膜第二十四页，共121页。原理：Si+2H2OSiO2+2H2>1000度3.2热生长二氧化硅薄膜第二十五页，共121页。水氧氧化系统3.2热生长二氧化硅薄膜第二十六页，共121页。水汽氧化的示意图较高的水温只增大通过硅片附近的蒸汽流量，并不改变水汽的浓度大小。第二十七页，共121页。湿氧氧化湿氧氧化中，用携带水蒸气的氧气代替干氧。氧化剂是氧气和水的混合物，反应过程如下：氧气通过95℃的高纯水；氧气携带水汽一起进入氧化炉在高温下与硅反应。湿氧氧化相当于干氧氧化和水汽氧化的综合，其速率也介于两者之间。具体的氧化速率取决于氧气的流量、水汽的含量。氧气流量越大，水温越高，则水汽含量越大，氧化膜的生长速率和质量越接近于水汽氧化的情况。反之，就越接近于干氧氧化。3.2热生长二氧化硅薄膜第二十八页，共121页。一般湿氧氧化是由携带气体通过水浴后，含有水汽的氧气进入石英管对硅片进行氧化，而水汽的多少由水浴的温度控制，同时水浴的质量也将影响氧化层质量的好坏。一种新的湿氧氧化方法，它是依靠高纯的氢气和氧气在石英管中按比例混合燃烧成水，氢和氧的比例为2:1时为水汽氧化，小于这比例为湿氧氧化，当氢气为零时，为干氧氧化。3.2热生长二氧化硅薄膜第二十九页，共121页。三种氧化方法的比较速度均匀重复性结构掩蔽性水温干氧：慢好致密好湿氧：快较好中基本满足95℃水汽：最快差疏松较差102℃3.2热生长二氧化硅薄膜第三十页，共121页。生产中经常采用干氧-湿氧-干氧结合的方法，综合了干氧氧化SiO2干燥致密，湿氧氧化速率快的优点，并能在规定时间内使SiO2层的厚度，质量合乎要求。干氧氧化速度慢，氧化层结构致密，表面是非极性的硅-氧烷结构。所以与光刻胶粘附性好，不易产生浮胶现象。水汽氧化的速度快，但氧化层结构疏松，质量不如干氧氧化的好，特别是氧化层表面是硅烷醇，存在的羟基极易吸附水，极性的水不易粘润非极性的光刻胶，所以氧化层表面与光刻胶粘附性差。3.2热生长二氧化硅薄膜第三十一页，共121页。高压水汽氧化高压氧化方法主要的优点是可以比常压时用更低的温度，更少的时间得到相同的厚度高压水汽氧化时，以氮化硅为氧化掩蔽层。这是超大规模集成电路制造中进行等平面工艺的理想方法同时高压氧化也同样与衬底Si材料的晶向有关硅氧化所需的水汽是由氢气与氧气燃烧产生的3.2热生长二氧化硅薄膜第三十二页，共121页。生长1μm的氧化层要消耗掉0.46μm厚的Si层，

SiO2的体积比消耗掉的硅膨胀一倍3.2热生长二氧化硅薄膜第三十三页，共121页。例题：如果通过热氧化生成的SiO2层厚度为x，那么被消耗掉的Si的厚度是多少？已知Si的摩尔质量为28.9g/mol，密度为2.33g/cm3，SiO2摩尔质量为60.08g/mol，密度为2.21g/cm3。解：1mol硅的摩尔体积为：

Vsi=28.9/2.33=12.06(cm3/mol)同样，1molSiO2的摩尔体积为：VsiO2=60.08/2.21=27.18(cm3/mol)当1mol硅转化为1mol二氧化硅时：Vsi/VsiO2=Adsi/AdsiO2=0.44即：dsi/dsiO2=0.44例如产生100nm的二氧化硅需消耗44nm的硅。3.2热生长二氧化硅薄膜第三十四页，共121页。水汽氯化氢氧化

（1）作用：减少钠离子的玷污，抑制氧化垛层错，提高少子寿命，也就是提高器件的电性能和可靠性。在生产中广泛应用。SiO2-Si界面未饱和键和氯离子结合，减少其被杂质原子的价键所占据造成的玷污。在半导体材料中，经常存在一些重金属杂质，如铜、金等，另外，在氧化过程中，也很容易引入这些杂质。它们在半导体中形成复合中心，使少子寿命变短，如果面外有氯离子存在，它能与这些金属杂质发生作用，生成易挥发的氯化物，而被排除，从而减少了复合中心。3.2热生长二氧化硅薄膜第三十五页，共121页。（2）掺氯氧化机理HCl氧化中的反应：氯在Si--SiO2界面处以氯－硅－氧复合体形式存在，它们与氧反应，释放出氯气。因电中性作用氯气对Na+有吸附作用，将Na+固定在Si－SiO2界面附近，改善器件特性及可靠性。3.2热生长二氧化硅薄膜第三十六页，共121页。氯使界面处的硅形成硅空位，吸收本征层错中的过多的硅原子，减少层错。（3）掺氯氧化膜的负偏压不稳定性掺氯氧化膜加负偏压时，高温负电场会破坏Si－Si、Si－O键，变形或破裂，增加固定氧化物电荷和界面陷阱电荷密度，使C－V曲线向负方向移动。

O－Si+－ClOOO－Si++Cl－OO3.2热生长二氧化硅薄膜第三十七页，共121页。其他常用氧化方法(1).氢氧合成氧化氢氧合成水----汽化===>水汽氧化比湿氧优,均匀/重复性好(2).低温氧化:缺陷少,（1000℃以下）但钝化效果差---加1100℃N2退火(3).高压氧化：指高压水汽氧化，高密度、高折射率低腐蚀速率，杂质分凝效应小。3.2热生长二氧化硅薄膜第三十八页，共121页。热分解淀积二氧化硅热分解淀积是利用硅的化合物热分解，在衬底上淀积一层SiO2，衬底本身不参加反应，因此淀积温度比热生长SiO2要低得多。作为淀积SiO2的主要化合物是烷氧基硅烷和硅烷。硅烷SiH4

在氧气中热分解反应如下：SiH4+2O2—→SiO2+2H2O,反应温度一般选在300℃左右3.2热生长二氧化硅薄膜第三十九页，共121页。热分解常用的烷氧基硅烷材料名称化学式分子量沸点（℃）蒸汽分解温度（℃）最佳分解温度（℃）四乙氧基硅烷（正硅酸乙脂）Si(OC2H5)4208107728-840750乙基三乙氧基硅烷(C2H5)Si(OC2H5)3192161650-750700戊基三乙氧基硅烷C5H11Si(OC2H5)3234198600-740650苯基三乙氧基硅烷C6H5Si(OC2H5)3240234610-750700二甲基二乙氧基硅烷(CH3)2Si(OC2H5)2148111760-9008003.2热生长二氧化硅薄膜第四十页，共121页。热氧化原理1.生长机理：一般认为有两种模式。一种是氧或水汽直接穿过氧表面层上的氧化膜；二是在高温下，硅原子在SiO2界面处，不断夺取二氧化硅中的氧，生成新的氧化膜，使得表面处仍是硅与氧进行氧化，相当于氧原子进入硅中，或硅原子逐步扩散到表面。持前一观点人多。3.2热生长二氧化硅薄膜第四十一页，共121页。2.热氧化经历步骤：

（1）氧化剂从气体内部以扩散形式穿过附面层运动到气体与SiO2界面；（2）氧化剂以扩散方式穿过SiO2层，到达SiO2与硅界面；（3）氧化剂在硅表面与硅反应生成SiO2；（4）反应副产物离开界面。3.2热生长二氧化硅薄膜第四十二页，共121页。3.硅的热氧化存在两个极限：其一是当氧化剂在SiO2中的扩散系数很小时，SiO2的生长速率主要由氧化剂在SiO2中的扩散速度所决定，称为扩散控制；其二如果扩散系数很大，在这种情况下，氧化剂到达硅和SiO2界面的速度就快，这时，SiO2的生长速率就由硅表面的化学反应速度决定，称为反应控制。3.2热生长二氧化硅薄膜第四十三页，共121页。热氧化生长动力学（Deal-Grove迪尔-格罗夫模型）NG气体内部氧化剂浓度NGSSiO2表面外侧氧化剂浓度NOSSiO2表面内侧氧化剂浓度NSSiO2/Si界面处氧化剂浓度toxSiO2薄膜的厚度3.2热生长二氧化硅薄膜对温度700－1300°C，压力2×104－1.01×105Pa，氧化层厚度30－2000nm范围内的氧气和水汽氧化，D-G模型都是适用的。第四十四页，共121页。3.2热生长二氧化硅薄膜热氧化过程包括几个连续的步骤：1.氧化剂从气体内部以扩散形式穿过滞流层到达气体－SiO2界面，流密度为F1。滞流层中的流密度取线性近似，表达式NG是气体内部化剂的浓度，NGS是贴近SiO2

表面上的氧化剂浓度，hG:气相质量转移系数；F1：氧化剂由气体内部传输到气体和氧化物界面的粒子流密度，即单位时间通过单位面积的原子数或分子数。第四十五页，共121页。3.2热生长二氧化硅薄膜2.氧化剂穿过SiO2

层到达SiO2－Si界面，流密度为F2。假定在已生长的氧化层中没有氧化剂的源和漏，则氧化剂的浓度呈线性变化。且有：式中，NOS和NO分别表示SiO2层中和SiO2－Si界面处的氧化剂浓度，tox为SiO2层厚度。D0：氧化剂在SiO2中的扩散系数；F2：氧化剂扩散通过已生成的二氧化硅到达SiO2/Si界面的扩散流密度。第四十六页，共121页。Ks：表面化学反应速率常数；F3：SiO2/Si界面处，氧化剂和硅反应生成新的SiO2层的反应流密度。3.2热生长二氧化硅薄膜3.氧化剂在Si表面与Si反应生成SiO2，流密度为F3。应速率取决于化学反应动力学。由于SiO2/Si界面有充足的硅供应，氧化剂与硅反应的速率及流密度将与界面处氧化剂浓度成正比：4.反应副产物离开界面热氧化过程中，SiO2/Si界面不断内移，这是一个边界随时间变化的扩散问题。此时，可采用准静态近似，即假定所有反应立即达到稳定状态，这样变动的边界对扩散过程的影响可以忽略。第四十七页，共121页。3.2热生长二氧化硅薄膜亨利定律：平衡条件下，固体中某种物质的浓度正比于该物质在固体周围气体中的分压。在气相平衡时，二氧化硅中氧化剂的浓度NS

应与气体中氧化剂分压pg成正比，即：NS＝Hpg，其中H为亨利气体常数。假设氧化过程为平衡过程，且氧化气体为理想气体，则平衡态下应有：F1=F2=F3。再经过一系列，数学运算，得到：第四十八页，共121页。当时，NS→0，NGS→HGpg氧化剂以扩散方式通过SiO2层运动到SiO2－Si界面处的量极少，以至于到达界面处的氧化剂与硅立即发生反应生成SiO2，界面处没有氧化剂堆积，其浓度趋于零。而在SiO2表面处，氧化剂因扩散速度慢而产生堆积，浓度趋向于气相平衡时的浓度Hpg。此时，热氧化硅生长速率主要由氧化剂在SiO2中的扩散速度决定，这种极限情况称为扩散控制。3.2热生长二氧化硅薄膜第四十九页，共121页。当时，NS→NGS→Hpg/(1+kS/hG)在这种情况下，进入SiO2

中的氧化剂快速扩散到SiO2－Si界面。相比之下，界面处氧化剂与硅反应生成SiO2的速度很慢，造成氧化剂在界面处堆积，趋近于SiO2

层中的浓度。此时，SiO2生长速率由硅表面的化学反应速度决定，这种极限情况称为反应控制。氧化剂与硅反应，每生长单位体积SiO2所需氧化剂的分子个数用Nl

表示。已知每立方厘米SiO2的分子数为2.2×1022个，每生成一分子SiO2需要一个O2或两个H2O。那么，对氧气氧化，Nl

为2.2×1022atoms/cm3。对水汽氧化，Nl为4.4×1022atoms/cm3。此时，生长速率为：3.2热生长二氧化硅薄膜第五十页，共121页。假设氧化前已存在厚度为t0

的氧化层，则此微分方程给出SiO2生长厚度与时间的关系：于是有氧化层厚度与时间的关系：3.2热生长二氧化硅薄膜当(t+τ)<<A2/4B(B/A线性速率常数)时有：当(t+τ)>>A2/4B(B/A线性速率常数)时有：氧化层厚度足够薄，反应速率控制氧化层厚度足够厚，扩散速率控制第五十一页，共121页。热氧化生长的两个阶段①线性阶段②抛物线阶段（生长逐渐变慢，直至不可忍受）简记为：tox=B/At简记为：3.2热生长二氧化硅薄膜当(t+τ)<<A2/4B(B/A线性速率常数)时有：当(t+τ)>>A2/4B(B/A线性速率常数)时有：第五十二页，共121页。B/A被称为线性速率系数；而B被称为抛物线速率系数3.2热生长二氧化硅薄膜第五十三页，共121页。热氧化生长速率SiO2的生长的快慢将由氧化剂在SiO2中的扩散速度以及与Si反应速度中较慢的一个因素来决定。即由扩散控制和表面化学反应速率来决定。当在氧化物生长的开始阶段或氧化时间很短时，限制生长速率的主要因素是表面反应，氧化服从线性规律，氧化层厚度随时间线性变化，即此时SiO2的生长速率主要由表面化学反应来决定。当氧化层变厚或氧化时间很长时，氧化剂必须通过氧化层扩散，氧化剂与硅的氧化反应服从抛物型规律，此时SiO2的生长速率主要由氧化剂在SiO2中的扩散快慢来决定。氧化层厚度与氧化时间的平方根成正比。3.2热生长二氧化硅薄膜第五十四页，共121页。决定氧化速率的各种因素1.氧化时间：氧化时间短时，氧化速率与时间呈线性，氧化速率很快，且由表面化学反应控制，氧化层厚度增加快；随着时间的增长，氧化速率与时间成抛物线关系，氧化速率变慢，改为由扩散控制，即氧化层加厚的速度变慢。2.氧化剂分压：抛物线型速率常数B以及线性速率常数B/A与氧化剂分压都是线性关系，所以在一定的氧化条件下，通过改变氧化剂分压可以达到改变二氧化硅生长速率的目的，即所谓的高压氧化和低压氧化技术。3.

氧化温度：B与B/A与温度成指数关系，且在一个大气压下B/A的值由表面化学反应来决定，即由表面化学反应快慢决定氧化速率。只有低压情况氧化速率才由扩散控制。3.2热生长二氧化硅薄膜第五十五页，共121页。氧化速率常数随温度和压强的关系3.2热生长二氧化硅薄膜第五十六页，共121页。温度的影响分析对于抛物线速率常数B，温度的影响是通过扩散系数D体现的。具体表现在干氧和水汽氧化具有不同的激活能，这是因为干氧和水汽在硅中的扩散激活能不一样。对于线性速率常数B/A，温度的影响则主要是通过反应速率常数Ks体现的。具体表现在干氧和湿氧具有相同的激活能，这是因为干氧和水汽氧化本质上都是硅－硅键的断裂，具有相同的激活能。3.2热生长二氧化硅薄膜第五十七页，共121页。抛物线速率常数B随温度的变化（阿列尼乌斯曲线）3.2热生长二氧化硅薄膜线性速率常数B/A随温度的变化（阿列尼乌斯曲线）第五十八页，共121页。影响氧化速率的其他因素1.硅表面晶向：在氧化剂压力一定的情况下，B与硅衬底晶向无关，而（111）面上的B/A比（100）面上的大。随着氧化温度升高，晶向对B/A影响减小，因为在高温下氧化速率受B即扩散控制；同样当氧化时间很长，氧化层很厚时，氧化速率受B即扩散控制，因此晶面取向对B/A也不起作用。2.杂质：(1)硅衬底中掺杂P，B对氧化速率的影响。掺杂浓度增加氧化速率增大，因此在氧化过程中，同一硅片表面上的重区域的氧化层厚度可能比轻掺杂区域的大很多；（2）水汽，钠。加快氧化速率，使得相同条件下生成的氧化层厚度变大；（3）氯。在氧化气氛中加入氯可以改善二氧化硅的特性。3.2热生长二氧化硅薄膜第五十九页，共121页。氯气氛的影响分析在氧化气氛中加入氯可以使SiO2的质量得到很大的改善，并可以增大氧化速率，主要有以下方面：钝化可动离子，特别是钠离子；增加硅中少数载流子的寿命；减少中的缺陷，提高了抗击穿能力；降低界面态密度和固定电荷密度；减少硅中的堆积层错。3.2热生长二氧化硅薄膜第六十页，共121页。氯对氧化速率的影响3.2热生长二氧化硅薄膜第六十一页，共121页。不均匀的氧化率及氧化步骤

经过一些制作工艺后，晶圆表面的条件会有所不同，有的是场氧化区，有些是掺杂区，有些是多晶硅区等等。每个区上面氧化层厚度不同，氧化层厚度的不同被称为不均匀氧化。不同的氧化率导致了在晶圆表面形成台阶。图中显示的是与比较厚的场氧化区相邻的氧化区形成了一个台阶，在暴露区的氧化反应较快。3.2热生长二氧化硅薄膜第六十二页，共121页。自然氧化层迪尔－格罗夫模型在薄氧化层范围内不适用。在薄氧化阶段，氧化速率非常快，其氧化机理至今仍然存在争议，但可以用经验公式来表示。由于薄氧化阶段的特殊存在，迪尔－格罗夫模型需要用τ来修正。3.2热生长二氧化硅薄膜第六十三页，共121页。硅（100）晶面干氧氧化速率与氧化层厚度的关系3.2热生长二氧化硅薄膜第六十四页，共121页。薄氧阶段的经验公式其中：tox为氧化层厚度；L1和L2是特征距离，C1和C2是比例常数。3.2热生长二氧化硅薄膜第六十五页，共121页。硅的氧化系数温度(℃)干氧湿氧A(μm)B(μm2/h)τ(h)A(μm)B(μm2/h)8000.370.00119——9200.2350.00491.40.50.20310000.1650.01170.370.2260.28711000.090.0270.0760.110.5112000.040.0450.0270.050.72其中：τ是考虑到自然氧化层的因素，250Å左右。3.2热生长二氧化硅薄膜第六十六页，共121页。有一硅样品在温度为1200℃下进行干氧氧化1小时，产生的氧化层厚度是多少？在温度为1200℃下再进行湿氧氧化生成0.1μm的氧化层需要增加多长时间？已知在1200℃下干氧氧化速率常数A＝0.04μm，B＝0.045μm2/h，τ＝0.027h。1200℃下湿氧氧化速率常数A＝0.05μm，B＝0.72μm2/h。解：将A、B、τ代入方程得到氧化层厚度为0.196μm干氧氧化后再进行湿氧氧化，则d0＝0.196μm，此时：τ=(d02+Ad0)/B=0.067h最后理想厚度(d0+0.1)＝0.296μm，得到需增加的氧化时间为：τ＝0.075h＝4.5min。3.2热生长二氧化硅薄膜第六十七页，共121页。计算在120分钟内，920℃水汽氧化（640Torr）过程中生长的二氧化硅层的厚度。假定硅片在初始状态时已有1000埃的氧化层。3.2热生长二氧化硅薄膜第六十八页，共121页。热氧化技术

从氧化反应方程式可以看出，氧和硅的反应似乎很简单，但是要达到硅技术中的氧化必须附加条件，那就是加热，给反应过程足够的能量是其满足要求，所以常称之为热氧化。

通常在常压或高压条件下生长。有两种常压技术，如图所示。

3.2热生长二氧化硅薄膜第六十九页，共121页。水平炉管反应炉

最早使用也一直延续至今。主要用在氧化、扩散、热处理及各种淀积工艺中。水平炉管反应炉的截面图如下：整个系统包含反应室、温度控制系统、反应炉、气体柜、清洗站、装片站等3.2热生长二氧化硅薄膜第七十页，共121页。快速升温反应炉

随着晶圆尺寸越来越大，升温降温时间会增加，成本也越来越高。解决这个问题的手段就是确保最大批量，但这又会减慢流程。为了解决这个问题，引进了快速升温、小批量生产的反应炉，这就是大功率加热的小型水平炉。通常反应炉每分钟升温几度，而快速升温反应炉每分钟升温十几度。小容量的低效率缺陷由快速的反应时间来补偿。快速加热工艺（RTP）

快速加热工艺主要是用在离子注入后的退火，目的是消除由于注入带来的晶格损伤和缺陷。传统上的退火工艺由炉管反应炉来完成。3.2热生长二氧化硅薄膜第七十一页，共121页。

但是在退火消除缺陷的同时又会带来一些其他的负面影响，比如，掺杂的再分布。这又是不希望发生的。这就使得人们在寻找其它的退火方式，这个方式就是快速加热工艺。

RTP工艺是基于热辐射原理见右图。3.2热生长二氧化硅薄膜第七十二页，共121页。

加热源（十字钨灯）在晶园的上面，这样晶园就可被快速加热。热辐射偶合进入晶园表面并以75℃～125℃的速度到达工艺温度，由于加热时间很短，晶园体内温度并未升温，这在传统的反应炉内是不可能实现的。用这个工艺进行离子注入后的退火，就意味着晶格破坏修复了，而掺入杂质的分布没有改变。

RTP技术不只是用在“退火工艺”，对于MOS栅极中薄的氧化层的生长是自然而然的选择，由于器件尺寸越来越小的趋势使得加在晶园上的每层的厚度越来越薄，厚度减少最显著的是栅极氧化层。先进的器件要求栅极厚度小于0.01微米。如此薄的氧化层对于普通的反应炉来说，是难以实现的。而RTP系统快速升温降温可以提供所需的控制能力。3.2热生长二氧化硅薄膜第七十三页，共121页。高压氧化

增加氧化剂分压提高氧化速率前面已经提到，在实际的工艺过程中增加氧化剂分压来提高氧化速率，或者降低氧化温度而保持同样的氧化速率都是经常采用方法。因为温度越高时间越长越会引起其它负面影响，比如，晶园表面层中“错位”和温度及高温下的时间密切相关，而这种错位对器件特性是很不利的。3.2热生长二氧化硅薄膜第七十四页，共121页。和普通水平反应炉相似，不同的是炉管是密封的，氧化剂被用10~25倍大气压的压力泵入炉管。在这种压力下，氧化温度可降到300~700℃而又能保证正常的氧化速率。在这种温度下晶园的错位生长可降到最小。

高压氧化也是MOS栅极氧化的优选工艺之一，因为高压氧化中生成的栅极氧化层比常压下生成的绝缘性要强。高压氧化工艺还可以解决在局部氧化(LOCOS)中产生的“鸟嘴”效应问题。在氧化时，当O2扩散穿越已生长的氧化物是，他是在各个方向上扩散的，纵向扩散的同时也横向扩散，这意味着在氮化物掩膜下有着轻微的侧面氧化生长。由于氧化层比消耗的硅更厚，所以在氮化物掩膜下的氧化生长将抬高氮化物的边沿，称之为“鸟嘴效应”。3.2热生长二氧化硅薄膜第七十五页，共121页。3.2热生长二氧化硅薄膜第七十六页，共121页。3.2热生长二氧化硅薄膜第七十七页，共121页。

3.2热生长二氧化硅薄膜第七十八页，共121页。决定杂质再分布的主要因素（1）杂质的分凝现象；（2）杂质通过SiO2表面逸散；（3）氧化层的产生；（4）杂质在SiO2的扩散速度1.分凝现象：硅在热氧化时所形成的界面随着热氧化的进行不断向硅中推进，原存在硅中的杂质将在界面两边再分布，直到达到在界面两边的化学势相同，分凝系数m=杂质在硅中的平衡浓度/杂质在SiO2中的平衡浓度不同杂质的分凝系数不同：磷、砷等为10左右，镓约20；硼的随温度上升而增大，一般小于1。3.3热氧化过程中的杂质再分布第七十九页，共121页。2.杂质通过SiO2表面逸散：影响杂质再分布的第二个因素是杂质会迅速通过SiO2层进行扩散并逃逸至气体环境。如果SiO2中的杂质扩散速率非常大，这个因素将会变得更加重要。3.氧化层的产生：随着氧化层的产生，Si/SiO2界面按时间函数向硅推进。相关的推进速率与杂质通过氧化层的扩散速率之比对杂质的再分布程度影响非常大。如果假设硅中杂质分布是均匀的，且氧化气氛中不含任何杂质，则有四种可能的再分布过程。这些过程可以分为两组，一组是氧化层吸收杂质，另一组是氧化层排斥杂质。每一例中，杂质再分布取决于杂质通过氧化层的扩散速率。3.3热氧化过程中的杂质再分布第八十页，共121页。再分布对硅表面杂质浓度的影响

再分布后的硅表面附近的杂质浓度，只与杂质的分凝系数；杂质在SiO2与在硅中的扩散系数之比；以及氧化速率与杂质的扩散速率之比有关。1.掺杂P：在一定温度下，快速的水汽氧化比慢速的干氧氧化所引起的再分布程度大；在同一氧化气氛中，氧化温度越高，杂质在硅表面浓度与在硅内温度趋于平衡。2.掺杂B：在相同温度下，快速的水汽氧化比慢速的干氧氧化所引起的再分布程度大；温度升高，CS/CB（杂质在硅表面浓度与硅内浓度之比）变大。3.3热氧化过程中的杂质再分布第八十一页，共121页。再分布的四种可能

(1)m<1，在SiO2中是慢扩散的杂质，如硼

(2)m<1，在SiO2中是快扩散的杂质

(3)m>1，在SiO2中是慢扩散的杂质，如磷

(4)m>1，在SiO2中是快扩散的杂质3.3热氧化过程中的杂质再分布第八十二页，共121页。SiO2在微电子器件制造中的重要用途之一，就是作为选择扩散的掩蔽膜。选择扩散是根据某些杂质（例如B、P）在SiO2中的扩散速度远小于在硅中的扩散速度这一性质来实现的。3.3二氧化硅的掩模特性第八十三页，共121页。杂质在SiO2中的扩散系数1.选择扩散的掩蔽膜在各种器件制造中往往是通过硅表面特定区域向硅内掺入一定数量的某种杂质，其余区域不进行掺杂。即选择扩散。选择扩散是根据某些杂质，在条件相同的情况下，在SiO2中的扩散速度远小于在硅中的扩散速度的性质来完成，即利用SiO2层对某些杂质起到“掩蔽”作用来达到。在相同条件下，杂质在硅中的扩散深度已达到要求时，而在二氧化硅中的扩散深度还非常浅，没有扩透预先生长的SiO2层，因而在SiO2层保护的硅内没有杂质进入，客观上就起到了掩蔽作用。3.3二氧化硅的掩模特性第八十四页，共121页。2.服从扩散规律硼、磷：在SiO2中的扩散系数很小，SiO2薄膜对这类杂质是一种理想的扩散掩蔽膜；镓：扩散系数非常大，SiO2对这类杂质起不到掩蔽作用；钠、钾等碱金属离子：在SiO2中的扩散系数和迁移率都非常大，即使在很低温度下也如此。应尽量避免被这类离子玷污。氧化掩模层的厚度一般采用实验测量方法获得，典型厚度为0.5～1.0μm。3.避免钠一类离子的玷污，因为它在SiO2中的扩散系数和迁移率都很大，钠离子的玷污是造成双极器件和MOS器件性能不稳定的重要原因。3.3二氧化硅的掩模特性第八十五页，共121页。一定杂质含量下，常用杂质在SiO2层中的扩散系数3.3二氧化硅的掩模特性第八十六页，共121页。实现掩模遮蔽的条件1，所选用的扩散源在SiO2中的扩散系数必须比在硅中的扩散系数小的多；2，SiO2层必须具有足够的厚度，以确保杂质在扩散区达到预定的结深时，SiO2层还远没有被扩透。3.3二氧化硅的掩模特性第八十七页，共121页。以热氧化法生长的SiO2膜，在微电子器件结构中具有多种用途，其中最主要的是作为MOSFET器件的的栅氧化层。SiO2膜的质量直接关系到半导体器件及集成电路的性能。因此，对SiO2膜的质量要求是很严格的。从宏观上看，要求表面无斑点、裂纹、白雾及发花现象以及没有针孔等缺陷存在。其膜质量要符合要求而且均匀，结构致密，对一些缺陷，尤其是可动钠离子要求含量越低越好。3.4二氧化硅层质量分析第八十八页，共121页。一、氧化层的电荷由于在Si-SiO2界面因氧化的不连续而存在一个过渡区，各种不同的电荷和缺陷会随着热氧化而出现，如钠离子进入SiO2成为可移动电荷。这些电荷的存在会极大地影响器件的参数，降低器件可靠性。氧化层中存在的各种电荷主要有：3.4二氧化硅层质量分析Na+++++++++AlSiO2SiOXSiNa+Na+:可动离子表面正负离子++氧化物陷阱电荷:固定电荷:界面陷阱电荷第八十九页，共121页。1.界面势阱电荷Qn在Si-SiO2界面的正或负的电荷，起源于Si-SiO2界面结构缺陷、氧化诱生缺陷以及由金属杂质和辐射等因素引起的其它缺陷，它的能级在硅的禁带中，电荷密度约为1010cm-2。通常会造成器件参数的不稳定，而且会导致器件表面漏电流和1/f噪声增加以及跨导的降低。目前采用热氧化法生长SiO2的MOS器件，其界面势阱电荷大多采用低温（450℃）氢退火进行钝化处理。2.氧化层固定电荷Qf位于Si-SiO2界面SiO2层约3nm范围内的正电荷。这种电荷很稳定，很难充电或放电，依赖于氧化和退火条件以及硅的晶向，电荷密度约为1010～1012cm-2。固定电荷会使器件的C-V曲线向负方向平移，但不改变其形状。由于其面密度是固定的，所以仅影响阈值电压的大小而不会导致电压不稳定。适当的退火及冷却速率能减小Qf。3.4二氧化硅层质量分析第九十页，共121页。3.氧化层势阱电荷Qot由氧化层内杂质或不饱和键捕捉到氧化过程中产生的电子或空穴而引起，正负均有可能。电荷密度约为109～1013cm-2。氧化层势阱电荷与SiO2的缺陷，即与工艺过程有关。比如，这些电荷可以通过X光辐射或高能电子撞击产生。通过氢退火可降低其浓度甚至完全消除。4.可移动电荷Qm由氧化系统中的碱金属离子（如K+、Na+、Li+等）进入氧化层而引起，电荷密度约为1010～1012cm-2。碱金属离子的玷污会影响器件在高偏置和高温条件下的工作稳定性。这类条件下，可移动离子电荷能够在氧化层中前后移动，导致阈值电压变化。因此，要特别注意消除器件制造过程中产生的可移动离子。可在氧化前通入含氯的化合物清洗炉管，氧化方法采用掺氯氧化。以上这些电荷可采用电容－电压（C－V）法进行检测。3.4二氧化硅层质量分析第九十一页，共121页。氧化层的厚度和密度颜色表：不同厚度的氧化层，呈现出不同的颜色，随厚度的增加，颜色从灰色逐步变到红色，当厚度继续增加时，氧化层颜色从紫色到红色周期性变化。当用垂直方向的白光照射表面被氧化的硅片时，光会穿过氧化层，并被下层的硅反射。相长干涉会增强某一反射光的波长，使相应于这一波长的硅片颜色发生变化。这种方法仅适用于100-700nm之间的氧化层。注意二点：1，观察时也应成垂直角度；2，首先要确定要测的氧化层是属于第几周期，然后再观察氧化层的颜色。物理测定法：更精确判定氧化层厚度的方法。采用掩蔽腐蚀方法在氧化层上形成一个台阶，然后去掉掩蔽膜，使用SEM或TEM测量台阶高度。例如，表面光度法（profilometry）—用表面光度仪测量台阶高度，可测量100nm到5μm间的薄膜厚度。物理测定法是破坏性的，常需要专用的测试片。3.4二氧化硅层质量分析第九十二页，共121页。光学测定法干涉法：用近乎垂直的光线入射到薄膜上，当入射光与反射光发生相长干涉时，出现光强的最大值。当入射光与反射光发生相消干涉时，出现光强的最小值。通过测量最大光强与最小光强之间的波长差Δλ，可计算出薄膜的厚度。这种方法可测量几百埃的透明薄膜，测量上限取决于光在膜中的损耗和分辨高次峰的能力。利用氧化层台阶上干涉条纹数目来求氧化层的厚度劈尖干涉法:n2-二氧化硅的折射率，N-干涉条纹数光干涉显微镜测量3.4二氧化硅层质量分析第九十三页，共121页。不同氧化层厚度的干涉色彩颜色氧化层厚度（×10-8cm）第一周期第二周期第三周期第四周期灰色100黄褐色300蓝色800紫色1000275046506500深蓝色1500300049006800绿色1850330052007200黄色2100370056007500橙色225040006000红色2500430065003.4二氧化硅层质量分析第九十四页，共121页。椭圆偏光法（ellipsometry）：是以光的波动性为理论基础的，当一束椭圆偏振光投射到薄膜上，并从薄膜上反射时，它的偏振状态就要发生变化，其变化的程度与薄膜的厚度和薄膜的折射率有关，通过测定椭圆偏振光在薄膜上反射后偏振状态的变化确定薄膜的厚度和折射率。测量精度高，可达几个纳米，是一种非破坏性的测量方法，不仅可以同时测量出膜厚和折射率，还可以测量非硅衬底上的各种透明膜和半透明膜的厚度与折射率。另外，还可以用来检验膜层厚度的均匀性。氧化层厚度的光学测量是非破坏性的测量技术。此外，SiO2薄膜是否致密可通过折射率得到反映。3.4二氧化硅层质量分析第九十五页，共121页。高频C-V测试利用金属－氧化物－半导体结构，测量其电容－电压关系曲线，由于C-V曲线与氧化层的厚度及膜中含有的杂质，电荷和能级状态有关。确定氧化层中可动电荷密度NNa+

3.4二氧化硅层质量分析第九十六页，共121页。确定氧化层厚度确定等效的界面电荷密度Qss3.4二氧化硅层质量分析第九十七页，共121页。热应力SiO2（5×10-7K-1）与硅（2.6×10-6K-1）的热膨胀系数不同，因此在结束氧化退出高温过程后会产生一定的热应力。对SiO2来说受到的是来自硅的压缩应力，这会导致硅片弯曲并产生缺陷，严重时氧化层发生破裂使硅片报废。所以，在加热或冷却过程中必须使硅片均匀受热，保持升温和降温速率不能太大。3.4二氧化硅层质量分析第九十八页，共121页。二氧化硅膜缺陷检验SiO2膜的缺陷有宏观缺陷和微观缺陷两种。所谓宏观缺陷是指用肉眼就可以直接观察到的缺陷。所谓微观缺陷是指必须借助于测试仪器方能观察到的缺陷。宏观缺陷：又称表面缺陷。它是指：氧化层厚度不均匀、表面有斑点、氧化层上有针孔等等。氧化层厚度不均匀：造成氧化层厚度不均匀的主要原因是氧化炉管内氧气或水汽不均匀。此外，氧化炉温不稳定、恒温区太短、水温变化不均匀等也都会造成氧化层厚度不均匀。这种不均匀现象，不仅影响了SiO2的掩蔽功能，也使得绝缘性变差，而且光刻工序也会出现钻蚀现象。要想得到厚度均匀的氧化层，必须使恒温区长而稳定，石英舟必须严格控制在恒温区中间，对于气体流量、炉温、水温都要很好地控制。3.4二氧化硅层质量分析第九十九页，共121页。氧化斑点：造成氧化层斑点的原因是硅片表面处理的不干净，残留一些玷污杂质颗粒，在高温下粘附在SiO2层表面，形成局部黑点。解决方法是认真处理硅片表面，对石英管进行严格的清洗，严格控制水温合氧化流量。氧化层针孔：针孔的产生与氧化方法有关。一般来说热氧化产生的针孔较少，只有当硅片质量不好时（有严重的位错），扩散系数较大的杂质（如铜、铁等），在位错线处不太会很好地形成SiO2于是就形成针孔。解决方法是严格选择衬底材料，氧化前进行严格的清洗。

3.4二氧化硅层质量分析第一百页，共121页。显示针孔的方法1，电学写真法－利用联苯胺的盐酸溶液在电化学作用后有无色液体变为蓝色产物2，化学腐蚀法－利用对硅和二氧化硅腐蚀不同的腐蚀液进行选择腐蚀3，自愈合击穿技术－涂极薄的金属铝，在MOS结构上加电压，使电容击穿4，染色法－利用电解液，以铜做阳极，硅片做阴极5，液晶探测真空－通过真空引起液晶分子的扰动6，铝的氧化－只能显示有无针孔，对小针孔无能为力3.4二氧化硅层质量分析第一百零一页，共121页。微观缺陷：指的是钠离子玷污和热氧化层层错钠离子玷污：主要来源于操作环境；去离子水及化学试剂；石英管道和气体系统。另外在热氧化时，炉温很高，钠离子扩散系数很大，钠离子会穿过石英管壁进入二氧化硅层。采用双层，夹层中通惰性气体。热氧化层错：含氧的气氛中，由表面和体内某些缺陷先构成层错的核，然后再高温下核运动家具，形成层错。原因：硅片表面机械损伤，离子注入的损伤点缺陷的凝聚，氧化物的淀积等。会造成杂质的局部堆积，形成扩散“管道”，造成电极间短路，严重影响器件的电学性能。3.4二氧化硅层质量分析第一百零二页，共121页。氧化诱生层错是热氧化产生的缺陷，它通常存在于Si/SiO2界面附近硅衬底一侧。产生原因：氧化过程中产生硅自填隙点缺陷，这些点缺陷凝聚起来，在（111）面内形成层错。减少层错的措施：a）磷、硼掺杂引入晶格失配缺陷作为点缺陷的吸收源；b）掺氯氧化可以吸收点缺陷，阻止点缺陷凝聚长大；c）采用高压氧化，从而减少氧化温度和时间；d）采用（111）硅片。3.4二氧化硅层质量分析第一百零三页，共121页。硅工艺技术的未来发展路线第一个DRAM上市年份199719992003200620092012最小特征尺寸（nm）2501801301007050DRAM位/芯片256M1G4G16G64G256G最小电源电压（V）1.8-2.51.5-1.81.2-1.50.9-1.20.6-0.90.5-0.6等效的栅氧化层厚度Tox(nm)4-53-42-31.5-2<1.5<1厚度控制3σ（％）±4±4±4-6±4-8±4-8±4-8等效的最大电场强度（MVcm-1）4-555>5>5>5栅氧化层漏电流（DRAM）（pAμm-2）<0.01<0.01<0.01<0.01<0.01<0.01隧穿氧化层厚度（nm）8.587.576.56最多的布线层数66-777-88-99用于层间绝缘层的介电常数K3-4.12.5-31.5-21.5-2<1.5<1.53.4二氧化硅层质量分析第一百零四页，共121页。为了控制杂志扩散将更多使用低温工艺。低温下生长厚SiO2膜的途径：1，在氧化期间使用高压；2，淀积氧化硅膜，首先要生长一层薄的热氧化硅，然后在其上淀积氧化硅，或在淀积氧化硅之后进行退火。未来趋向于使用组合介质层，氮氧化硅介质，通过热生长氧化硅薄膜暴露于氨气中制备，或用氮注入到衬底及随后的氧化工艺。预测非平面衬底上生长的氧化硅形状，还涉及预测氧化硅中和硅中所产生的应力。3.4二氧化硅层质量分析第一百零五页，共121页。多晶硅作为MOS器件的栅材料，构成硅栅MOS器件互连布线使用多晶硅也被用作浅结器件的欧姆接触材料MOS静态随机存储器存储单元的负载