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本文格式为Word版,下载可任意编辑——期中考试模拟电路试卷…………_…_…__…_…__…_…号…学线…………__…_…__…_…__…_…_名……姓………封_…_…__…_…__…_…级…班……………__…_密__…_…__…业…专……………2023-2023学年第一学期期中考试试卷

《模拟电路》

(供电子信息专业使用)

本卷须知:

1.请按要求在试卷的密封区填写专业、班级、姓名和学号。2.请细心阅读各种题目的答题要求,在规定的位置填写答案。

3.不要在试卷上乱写乱画,不要在密封区填写无关的内容。题号一二三四总分得分

总分合计人:复核人:

得分评卷人一、填空题

(类型说明:共19题,每空1分;总分值45分)

1、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。

2、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。

3、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

4、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。5、频率响应是指在输入正弦信号的状况下,输出随频率连续变化的稳态响应。

6、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。

7、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电

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容,影响高频信号放大的是结电容。

8、三极管的三个工作区域是截止,饱和,放大。

9、已知某两级放大电路中第一、其次级的对数增益分别为60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为80dB,总的电压放大倍数为10000。

10、三种不同耦合方式的放大电路分别为:阻容(RC)耦合、直接耦合和_变压器耦合_,其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。

11、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的负载,而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。

12、为了保证三极管工作在放大区,要求:

发射结正向偏置,集电结反向偏置。

13、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。

14、影响放大电路通频带下限频率fL的是隔直电容;上限频率fH的是极间电容。

15、场效应管有共源、共栅、共漏三种组态。

16、场效应管属于电压控制电流型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。17、根据场效应管的输出特性,其工作状况可以分为可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区四个区域。

18、用示波器观测到NPN硅管uce的波形如图1所示饱和失真

Rb可使波形趋向于正弦,Rb数值应增大。

19、画放大电路的直流通路时,可视电容为____开路___,电感为___短路___得分评卷人二、单项选择题(类型说明:共15题,每题1分;总分值15分)1、PN结正向偏置时,其内电场被()

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A、减弱B、加强C、不变D、不确定2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于()A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态3、在本征半导体中掺入()构成P型半导体。

A、3价元素B、4价元素C、5价元素D、6价元素4、PN结V—I特性的表达示为()

vD/VTvDi?I(e?1)i?I(e?1)SSA、DB、DvD/VTvD/VTi?Ie?1i?eDSDC、D、

5、对于单管共射放大电路,若其上、下限频率分别为FH、fL,当f=fL时,UO滞后Ui()度

A、180B、135C、90D、456、三极管工作于放大状态的条件是()

A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏7、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源VCC应当()A、短路B、开路C、保存不变D、电流源8、带射极电阻Re的共射放大电路,在并联交流旁路电容Ce后,其电压放大倍数将()

A、减小B、增大C、不变D、变为零9、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示,当VCE=6V,其电流放大系数β为()

A、?=100B、?=50C、?=150D、?=25

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图1

10、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,(见图2所示)则此三极管为()

A、PNP型锗三极管B、NPN型锗三极管

图2

C、PNP型硅三极管D、NPN型硅三极管

11、多级放大电路的级数越多,则其()

A、放大倍数越大,而通频带越窄B、放大倍数越大,而通频带越宽C、放大倍数越小,而通频带越宽D、放大倍数越小,而通频带越窄12、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时,要求()A、独立信号源短路,负载开路B、独立信号源短路,负载短路C、独立信号源开路,负载开路D、独立信号源开路,负载短路13、与甲类功率放大方式比较,乙类OCL互补对称功放的主要优点是()A、不用输出变压器B、不用输出端大电容C、效率高D、无交越失真

14、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()A、耦合电容和旁路电容的存在;

B、半导体管极间电容和分布电容的存在;C、半导体管的非线性特性;D、放大电路的静态工作点不适合。

15、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是()。A、电阻阻值有误差B、晶体管参数的分散性

C、晶体管参数受温度影响D、受输入信号变化的影响

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得分1、放大电路如图1所示,若VCC=12V,Rc=5.1kΩ,Rb=400kΩ,Re1=100Ω,Re2=2kΩ,RL=5.1kΩ,?=50,rbb??300?

(1)、求静态工作点;(2)、画出其h参数小信号等效电路;(3)、求Av、Ri和Ro。

评卷人四、计算题

(类型说明:共4题,每题10分

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