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可控硅参数说明及中英文对照表符号英文单词参数AVERAGEON-STATECURRENT可控硅参数说明及中英文对照表说明中文说明国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。这也是标称其额定电流的参数。同电力二极管一样，这个参数是按照正向电流造通态平均电流成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义通态平均电流的。因此在使用时同样应按照实际波形的电流与通态平均电流所造成的发热效应相等，即有效值相等的原则来选取晶闸管的此项电流定额，并应留一定的裕量。一般其通态平均电流VTMPeakon-statevoltagedrop通态峰值电压峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。MaximumforwardorreverseleakagecurrentMaximumreverse反向重复峰值漏为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压V和反向重复峰值电压V时流过元件的正反DRMRRM向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结AAleakagecurrent电流Ae-VRMSIT(RMS)Current(full通态电流均方值-A温Non-Repetitive通态浪涌电流(通eakonstateA为dPeakIGM门极峰值电流-Aentsingon-A2sesverateriseofon导迅速扩展至整As个极限，即负一个几μH的不饱和(空心)电感。值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国vepeak压复峰值电压(即断态最大瞬时电压)UDSM的低于正向转折电压V反向重复峰值电在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在压器件上的反向峰值电压。onrepetitiveVPPlinepeakpulse-v引脚到外壳最大-VAveragegate-率Watepower率-WAverageGatePG(AV)门极平均功率-Wrere-℃℃re-℃hermal-unctiontountingbasethjaJunctionto-geringgate门极触发电流温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中境温HoldingCurrent维持电流它态并移除触Latching接入电流(第三象IL发信号后，能维持导通所需的最小电流。对同mACurrent(IGT3)限)/擎住电流te-geringgate门极触发电压得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若需要，通常选择时Nontriggeringwardage门极不触发电压--压VVverseagewardentwardge压流-V-A流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选VRateRiseofOff此值超限将于可控成为影响rateofdecreaseof通态电流临界上(dI/dt)c则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在A/mscommutatingon-升率常发生实质rate时双向可控硅双上升率(dVCOM/dt)若超过允许值，会迫使双可在T1和T2间装S电流，此过能靠近元件本rolledyTime

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