EBL基本组成及工作原理

EBL基本组成及工作原理演示文稿当前1页，总共42页。EBL=ElectronBeamLithography=电子束光刻当前2页，总共42页。当前3页，总共42页。一、电子束曝光系统结构当前4页，总共42页。当前5页，总共42页。column当前6页，总共42页。电子源的分类

直热式W，2700K热发射电子源旁热式LaB6，1800K电子源

热场发射ZrO/W，1800K场发射电子源

冷场发射当前7页，总共42页。四种电子源对比电子源三个关键参数：有效源尺寸，亮度，电子能量分布热发射源能量分布大，聚焦斑束大，产生严重相差。冷场致发射稳定性差，对真空要求高。故EBL系统选用热场致发射源。当前8页，总共42页。旁热式&热场致电子源结构示意图阳地超高电场阴阴阳当前9页，总共42页。EBL中电子源结构示意图当前10页，总共42页。几个牌子的EBL性能参数当前11页，总共42页。二次电子探测器Detector当前12页，总共42页。Illustrationswithdifferentsignalsources当前13页，总共42页。当前14页，总共42页。ImagingbymeansofSE2detector:>5mmWDImagingbymeansofInlensdetector:<=10mmWD(dependingonhighvoltagesetting)ImagingbymeansofBSEdetector:8-10mm(OptimumoftheBSelectrondetection)当前15页，总共42页。InfluenceofAccelerationVoltage当前16页，总共42页。InfluenceofBeamCurrent当前17页，总共42页。InfluenceofWorkingDistance当前18页，总共42页。二、坐标系的对准当前19页，总共42页。建立坐标系当前20页，总共42页。写场对准当前21页，总共42页。三、曝光当前22页，总共42页。扫描模式当前23页，总共42页。Exposureparameter当前24页，总共42页。Areadose当前25页，总共42页。Linedose当前26页，总共42页。Dotdoes当前27页，总共42页。Areamode当前28页，总共42页。当前29页，总共42页。Linemode当前30页，总共42页。Circlemode当前31页，总共42页。ExposurestrategiesUsedbyRaith当前32页，总共42页。四、临近效应当前33页，总共42页。VisualizationofEnergyDepositionGrid(EDG)当前34页，总共42页。高能电子打断PMMA内高分子链示意图当前35页，总共42页。前散射和背散射随PMMA厚度的变化关系当前36页，总共42页。MonteCarloSimulations当前37页，总共42页。Energydeposition当前38页，总共42页。ProximityfunctiontrajectoriesenergydepositionenergydistributiondoubleGaussianProximityfunctionproximityfunctionhasthesame

shapeasenergydistribution

withrespecttolateraldistancesbut:nodirectrelationbetween

energyandPE!(it’sjus