切片倒角加工原理

关于切片倒角加工原理第一页，共十七页，编辑于2023年，星期日切片加工原理一、加工流程：晶棒的受入：晶棒的粘结：晶棒的加工：硅片的交付：第二页，共十七页，编辑于2023年，星期日切片加工原理1.1晶棒的受入：

1.1.1根据每天的生产计划，到仓库领用晶棒；

1.1.2晶棒受入前进行品名/批号、晶棒长度、外观的确认；

1.1.3根据生产预定表制作加工指示卡，并附在晶棒上；

1.1.4按照加工指示卡上的日期先后进行粘接；1.2晶棒的粘接：

1.2.1目的：用粘接剂将晶棒与碳板粘接起来，以防止硅片在加工的过程中松散地掉落下来；

1.2.2粘接过程如下：第三页，共十七页，编辑于2023年，星期日切片加工原理GraphitebeamIngot1.3晶棒的加工：将晶棒切成具有精准几何尺寸的薄晶片。1.4硅片的交付：将符合客户要求的硅片交付至倒角。第四页，共十七页，编辑于2023年，星期日切片加工原理二、切片重要制程参数

2.1面方位：切片常见的面方位有（100）及（111）两种；检测装置为X光机（利用X射线的衍射,如图）nλ＝2dsinθ

2.2硅片厚度：影响切片厚度的主要因素：切片机的进给量、修刀程度；检测装置：厚度测定仪

2.3WARP、BOW:影响因素为刀片状况、切削液、作业员修刀技巧等；检测装置：切片端面规及磨检ADE;入射-X光X光接受器d第五页，共十七页，编辑于2023年，星期日切片加工原理三、切片工程的主要缺陷及产生原因：

3.1切片工程的主要缺陷：翘曲厚薄片

崩边3.2产生缺陷原因：作业员的加工技巧：切片机状况：如动平衡不佳；切削液流量及浓度：ID刀片的加工状态：（下面将详细介绍）切削液的作用：润滑、冷却、清洗第六页，共十七页，编辑于2023年，星期日切片加工原理四、ID内圆刀片及其产生缺陷的机理：

4.1ID刀片的种类：

序号刀刃厚度（uum）刀体厚度（um）金刚石粒度126010030-50227010030-50329012040-60430013040-60第七页，共十七页，编辑于2023年，星期日切片加工原理4.2ID刀片的形状：第八页，共十七页，编辑于2023年，星期日4.3ID刀片“失效”模式：

切片加工原理序号“失效”模式原因产生不良类型对策实施1金刚石无1、损伤层

2、擦伤

3、翘曲刀片的更换2金刚石不均匀1、翘曲

2、厚薄片固定修刀或手动修刀3刀片张力下降1、擦伤

2、翘曲1、张力的上调

2、固定修刀4刀片有擦伤1、擦伤

2、翘曲刀片的更换第九页，共十七页，编辑于2023年，星期日切片加工原理4.4ID刀片的修整方法修刀的作用：1、去除阻塞层；

2、去除异常突出的部分；

3、去除影响切削的电镀层；

4、金刚石的露出与修整；

5、刃厚及真圆度的调整；第十页，共十七页，编辑于2023年，星期日倒角加工原理一、加工流程：硅片的受入：硅片的洗净（AC-2N)：硅片的倒角：硅片的厚度分类：硅片的交付：第十一页，共十七页，编辑于2023年，星期日1、避免边缘崩裂：

硅片在加工和使用过程中会受到片盒或机械手等的撞击，硅片边缘会产生应力集中而导致破裂，破裂的颗粒会形成污染。2、防止晶格缺陷的产生：

硅片在进入元器件的制造过程中会有较多的热周期，这些加热或冷却的过程非常迅速，在某些区域会产生热应力，一旦热应力超过晶体的弹性强度，会产生差排及位错，而硅片的边缘正是热应力易于集中的区域3、增加外延层及光阻层的平坦度：

外延生长过程中锐角区域的生长速率会比平面高，因此使用未经倒角的硅片容易在边缘区域产生突起

倒角加工原理二、倒角的目的：第十二页，共十七页，编辑于2023年，星期日三、倒角重要制程参数

2.1倒角角度：常见的倒角角度（θ)有11°（H型）及22°（G型）两种；影响因素为：1、磨石角度不良2、磨石沟槽的磨损检测装置为倒角轮廓仪；

2.2倒角宽幅：影响倒角宽幅的主要因素：

1、硅片厚度；

2、硅片翘曲；

3、设备厚度有无补偿；检测装置：显微镜

2.3OF方位:影响因素为倒角机中心定位装置、晶棒本身；检测装置：OF方位测定仪;2.4倒角直径：影响因素为设备故障、设定错误；测定装置：游标卡尺；倒角加工原理磨石剖面图θ第十三页，共十七页，编辑于2023年，星期日倒角加工原理四、倒角工程的主要缺陷及产生原因：

3.1倒角工程的主要缺陷：倒角残留宽幅不均倒角崩边裂纹

3.2产生缺陷原因：倒角残留：中心定位装置故障或中心定位不到位；宽幅不均：硅片厚度不良、硅片翘曲、磨石精度不良；倒角崩边：

1、硅片厚度（薄片容易产生崩边）

2、磨石金刚石不均匀；

3、冷却水流量不足或位置的偏离；裂纹：

1、倒角机吸附部件上有异物；

2、研削台上有毛刺；第十四页，共十七页，编辑于2023年，星期日五、无厚度补偿设备加工H型产品原理：倒角加工原理θ＝11°ba基准面θ＝11°基准面无厚度补偿设备有厚度补偿设备分析：1）右图为H型硅片剖析图，a为硅片厚度偏差，b为硅片宽幅偏差（按规格b在＋/－100um内为良品）；

2）从三角函数可得：a＝b*tgθ＝100*tg11°

＝100*0.195＝19.5。

（即理论上硅片厚度偏差超过＋/-19.5um时，硅片将因宽幅超出规格而造成不良。）方法：1）将硅片按正常（10um）的厚度段进行分类；2）把相邻三个厚度段的