标准解读

《GB/T 26069-2010 硅退火片规范》是一项国家标准，旨在为硅材料在半导体行业中使用时提供统一的技术要求与测试方法。该标准涵盖了硅单晶圆片经过退火处理后的物理特性、尺寸公差以及表面质量等方面的规定。

根据此标准，硅退火片应满足一定的纯度要求，以确保其适用于各种电子器件的制造过程。对于不同应用场景下的硅片，标准还设定了具体的电阻率范围、晶体取向偏差等参数限制。此外，《GB/T 26069-2010》对硅片的直径、厚度及其均匀性也做出了明确规定，要求生产企业严格按照这些指标进行控制，以保证产品的稳定性和一致性。

关于外观质量，《GB/T 26069-2010》同样给出了详细说明，包括但不限于裂纹、划痕、点缺陷等可能影响最终产品性能的因素，并提供了相应的检测方法和合格判定准则。同时，标准中还包括了对包装、标识及运输条件的要求，以避免因不当处理而造成的产品损伤或污染。


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  • 2011-01-10 颁布
  • 2011-10-01 实施
©正版授权
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文档简介

ICS29045

H80.

中华人民共和国国家标准

GB/T26069—2010

硅退火片规范

Specificationforsiliconannealedwafers

2011-01-10发布2011-10-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T26069—2010

前言

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会负责

(SAC/TC203/SC2)

归口

。

本标准起草单位万向硅峰电子股份有限公司有研半导体材料股份公司宁波立立电子股份有限

:、、

公司和杭州海纳半导体有限公司共同负责起草

。

本标准主要起草人楼春兰孙燕朱兴萍宫龙飞王飞尧黄笑容方强汪成生程国庆

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T26069—2010

硅退火片规范

1范围

本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求试验方法检验规则等

、、。

本标准适用于线宽和工艺退火硅片

180nm、130nm90nm。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550

硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T1554

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1557

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样计划

GB/T2828.11:(AQL)

硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

GB/T4058

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法

GB/T6616

硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6618

硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6620

硅抛光片表面平整度测试方法

GB/T6621

硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T6624

硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T11073

硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T13387

硅片参考面结晶学取向射线测试方法

GB/T13388X

硅片直径测量方法

GB/T14140

硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

GB/T14144

半导体材料术语

GB/T14264

硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T19921

硅片表面金属沾污的全反射光荧光光谱测试方法

GB/T24578X

硅片边缘轮廓检验方法

YS/T26

3术语和定义

中界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4要求

41产品分类

.

本标准将硅退火抛光片按线宽分为线宽和线宽

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