清华模电第2讲三极管课件

第三节半导体三极管双极型晶体管(BJT)

一、三极管的结构与种类结构NPNPNP材料SiGe功率小功率管大功率管频率低频管｛｛｛｛NPN型PNP型三极管是由两个PN结、三个杂质半导体组成，杂质半导体有P、N两种类型，所以三极管的组成形式有NPN和PNP两种。NPN型三极管(a)结构示意图(b)符号制造三极管时必须满足工艺要求：

(1)基区必须做得很薄(2)发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。(3)集电区比发射区体积大，且掺杂浓度低。集电区：面积最大基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高PNP型三极管

1、载流子的传输过程收集电流漂移电流

复合电流如图可得2电流分配关系

直流电流放大系数将(1)式代入(2)式将(3)式代入(5)式(1)(2)(3)(4)(5)穿透电流结论由基极电流的微小变化引起的集电极电流的较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。交流电流放大系数一般情况下，直流电流放大系数与交流电流放大系数差别很小，在分析估算中常取1）三电极电流关系：IE=IB+IC2）ICIB

，ICIE

3）ICIB，IE

(1+)IB电流分配关系共基电路（CB）

直流电流放大系数

与的关系共基电路交流电流放大系数与的关系三、三极管的输入特性与输出特性以NPN管共射电路为例1

输入特性曲线族

三极管的输入特性曲线与二极管相同，表示以为参变量时和的关系。即。输入回路输出回路硅NPN管的输入特性曲线1.UCE=0V，b、e极间加正向电压。2.UCE≥1V

分两种情况来讨论。

对于小功率管，UCE=1V的输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。（3）饱和区IC与IB无控制关系没有电流放大作用饱和压降UCES

（4）击穿区（2）截止区IB≤0

没有电流放大作用对小功率管约为(0.3～0.5)V。概念UCES是分隔放大区与饱和区的分隔线。四、三极管的主要参数1电流放大系数

（1）共射电路直流电流放大系数定义交流放大系数定义图解β值

（2）共基电路直流电流放大系数定义为交流电流放大系数定义为（1）反向饱和电流ICBO（2）穿透电流ICEO2极间反向电流

指发射级开路时，集电极与基极间的反向饱和电流。

指基极开路时集电极与发射极间的穿透电流，它与的关系是4频率参数

三极管幅频特性（1）共射截止频率当信号频率较高时，由于管子内部的电容效应作用明显，使值下降。当下降到中低频值的0.707倍时对应的频率称共射截止频率。（2）共射特征频率（3）共基截止频率指当时的频率。当时，管子失去放大作用。>>五、环境温度对三极管参数的影响1温度对ICBO的影响2温度对β的影响3温度对UBE的影响硅管的比锗管小得多，优良的硅管可以做到10nA以下。对硅管来说，随温度的变化往往不是主要问题，因此得到广泛地应用。

三极管的值随着温度的升高而增大。其规律为每升高1℃，值增加(0.5～1)％。当一定，温度每升高，减小2mV左右，或者说，对相同的，会随着温度的升高而增加。ICBO随温度的升高而增大。UBE随温度升高而降低。六、三极管的h参数微变等效电路［h］

适用于中低频段

晶体管在中低频、小信号作用下等效

1.中低频段:kHz数量级以下2.小信号：mv级3.等效：线性化处理简化的h参数微变等效电路可以用公式计算其中指基区的区电阻。对低频小功率管约为；该式