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电性能参数介绍电参数介绍Uoc:开路电压Isc:短路电流Rs:串联电阻Rsh:并联电阻FF:填充因子Pmpp:最大功率Umpp:最大功率点电压Impp:最大功率点电流Irev1:反向电流1(-10V)Irev2:反向电流2(-12V)Ncell:转换效率PmppImppPmax△I△VRs是該段線斜率Rs=dU/(Isc1-Isc2)欧姆特性和二极管特性各个参数之间的关系在所有参数中,只有电压和电流是测量值,其他参数均是计算值。Pmpp为在I-V曲线上找一点,使该点的电压乘以电流所得最大,该点对应的电压就是最大功率点电压Umpp,该点对应得电流就是最大功率点电流ImppRs为在光强为1000W/M2和500W/M2下所得最大功率点的电压差与电流差的比值,只是一个计算值,所以有时候会出现负值的情况Rsh为暗电流曲线下接近电流为0时曲线的斜率Irev1为电压为-10V时的反向电流Irev2为电压为-12V时的反向电流Rs和Rsh决定FFRsh和Irev1、Irev2有对应的关系计算公式:Ncell=Pmpp/S(硅片面积)Pmpp=Umpp*Impp=Uoc*Isc*FFFF=(Umpp*Impp)/(Uoc*Isc)测试外部参数影响I/AU/V温度升高温度正常测试温度为25±2℃,随着温度的升高,开路电压急剧降低,短路电流略微增大,整体转换效率降低正常光强为1000±50W/M2,随着光强的降低,开路电压略微降低,短路电流急剧下降,整体转换效率降低U/V光强I/A光强降低串阻Rs组成测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成:1.材料体电阻(可以认为电阻率为ρ的均匀掺杂半导体)2.正面电极金属栅线体电阻3.正面扩散层电阻4.背面电极金属层电阻5.正背面金属半导体接触电阻6.外部因素影响,如探针和片子的接触等烧结的关键就是欧姆接触电阻,也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。可以这样考虑,上述1.2.3.4项电阻属于固定电阻,也就是基本电阻;5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响Rs的最终值;6属于外部测试因素,也会导致Rs变化Rs影响因素探针脏探针寿命到期是是是是Rsh影响因素Uoc影响因素Isc影响因素四、粗线:1.网版使用次数太多,张力不够——更换网版2.网版参数不合格——核对该批网版参数,更换网版3.浆料太稀,浆料搅拌时间太长——严格执行浆料搅拌时间规定4.网印机参数不合适

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