标准解读

《GB/T 33922-2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法》是一项国家标准，旨在规范MEMS（微机电系统）压阻式压力敏感芯片在圆片级别上的测试流程与方法。该标准适用于采用半导体工艺制造的压力传感器芯片，在未进行封装前即圆片状态下的性能检测。通过定义一系列测试条件和步骤，确保不同制造商之间能够有一致性高的测试结果，从而促进产品质量控制和技术交流。

标准中详细描述了测试所需环境条件、仪器设备要求及具体操作步骤。对于环境条件，规定了温度、湿度等参数范围；关于仪器设备，则明确了精度等级及其他技术指标。测试项目包括但不限于零点输出、灵敏度、非线性误差、迟滞、温度特性等关键性能指标。每项测试都有明确的操作指导，比如如何设置加载压力值、读取数据的方法以及如何计算最终结果。

此外，《GB/T 33922-2017》还提供了数据处理与分析的方法，帮助使用者准确评估被测样品的质量状况。通过标准化的数据记录格式和统计分析手段，使得实验结果更加直观可靠，便于后续的研究开发或质量控制工作。

此标准为MEMS压阻式压力敏感芯片的研发人员、生产厂家及相关检测机构提供了一个统一的技术依据，有助于提高整个行业的产品质量和竞争力。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2017-07-12 颁布
  • 2018-02-01 实施
©正版授权
GB/T 33922-2017MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法_第1页
GB/T 33922-2017MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法_第2页
GB/T 33922-2017MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法_第3页
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文档简介

ICS31200

L55.

中华人民共和国国家标准

GB/T33922—2017

MEMS压阻式压力敏感芯片性能的

圆片级试验方法

WaferleveltestmethodsforMEMSpiezoresistivepressure-sensitive

dieperformances

2017-07-12发布2018-02-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T33922—2017

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

试验条件

4…………………1

大气条件

4.1……………1

电磁条件

4.2……………2

振动条件

4.3……………2

测试系统

4.4……………2

试验的一般规定

5…………………………2

证书文件

5.1……………2

预热时间

5.2……………2

连接方式

5.3……………2

试验内容和方法

6…………………………2

试验准备

6.1……………2

电阻

6.2…………………2

常压输出

6.3……………3

静态性能试验

6.4………………………4

温度性能试验

6.5………………………7

Ⅰ

GB/T33922—2017

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国微机电技术标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC336)。

本标准主要起草单位北京大学中机生产力促进中心北京必创科技股份有限公司中国电子科

:、、、

技集团公司第十三研究所中北大学

、。

本标准主要起草人张威程红兵陈得民李海斌崔波石云波朱悦

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T33922—2017

MEMS压阻式压力敏感芯片性能的

圆片级试验方法

1范围

本标准规定了压阻式压力敏感芯片简称压力敏感芯片的术语和定义试验条件试验的

MEMS()、、

一般规定试验内容和方法

、。

本标准适用于闭环和开环压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验

MEMS。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样计划

GB/T2828.11:(AQL)

半导体器件第部分半导体传感器压力传感器

GB/T2052214-3:———

微机电系统技术术语

GB/T26111(MEMS)

3术语和定义

和界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T20522GB/T26111。

31

.

压阻式压力敏感芯片piezoresistivepressure-sensitivedie

采用技术在硅衬底上制造腔膜结构在膜上制作半导体电阻并组成惠斯通电桥利用半导

MEMS,,

体的压阻效应实现将压力信号转化为电信号的芯片

。

32

.

闭环压阻式压力敏感芯片closedlooppiezoresistivepressure-sensitivedie

惠

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