• 现行
  • 正在执行有效
  • 2017-05-31 颁布
  • 2017-12-01 实施
©正版授权
GB/T 33763-2017蓝宝石单晶位错密度测量方法_第1页
GB/T 33763-2017蓝宝石单晶位错密度测量方法_第2页
GB/T 33763-2017蓝宝石单晶位错密度测量方法_第3页
GB/T 33763-2017蓝宝石单晶位错密度测量方法_第4页
免费预览已结束，剩余4页可下载查看

下载本文档

免费下载试读页

文档简介

ICS77040

H25.

中华人民共和国国家标准

GB/T33763—2017

蓝宝石单晶位错密度测量方法

Testmethodfordislocationdensityofsapphiresinglecrystal

2017-05-31发布2017-12-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

蓝宝石单晶位错密度测量方法

GB/T33763—2017

*

中国标准出版社出版发行

北京市朝阳区和平里西街甲号

2(100029)

北京市西城区三里河北街号

16(100045)

网址

:

服务热线

:400-168-0010

年月第一版

20176

*

书号

:155066·1-56240

版权专有侵权必究

GB/T33763—2017

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位江苏协鑫软控设备科技发展有限公司中国科学院上海光学精密机械研究所深

:、、

圳市中安测标准技术有限公司

。

本标准主要起草人薛抗美黄修康杭寅尹继刚田野张永波张毅

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T33763—2017

蓝宝石单晶位错密度测量方法

1范围

本标准规定了蓝宝石单晶位错密度的测量方法

。

本标准适用于抛光加工后位错密度为个2个2的蓝宝石单晶位错密度的测量

0/cm~100000/cm,

检测面为面

{0001}、{1120}、{1012}、{1010}。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

本方法采用择优化学腐蚀技术显示位错当用某些化学腐蚀剂腐蚀晶体表面时在晶体表面上的

。,

位错线露头处腐蚀速度较快因而容易形成由某些低指数面组成带棱角的具有特定形状的腐蚀坑可

,,。

用单位面积上的腐蚀坑数目标识位错密度N按式计算

d,(1):

n

N=

dS…………(1)

式中

:

N位错密度单位为个每平方厘米个2

d———,(/cm);

n穿过视场面积S的位错线数目单位为个

———,;

S视场面积单位为平方厘米2

———,(cm)。

5化学试剂

51氢氧化钾ρ3分析纯

.(≈2.04g/cm),。

52氢氧化钠ρ3分析纯

.(≈2.13g/cm),。

53二氧化硅ρ3分析纯

.(≈2.2g/cm),。

54稀盐酸

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

温馨提示

  • 1. 本站所提供的标准文本仅供个人学习、研究之用，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或网络传播等，侵权必究。
  • 2. 本站所提供的标准均为PDF格式电子版文本（可阅读打印），因数字商品的特殊性，一经售出，不提供退换货服务。
  • 3. 标准文档要求电子版与印刷版保持一致，所以下载的文档中可能包含空白页，非文档质量问题。

最新文档

评论

0/150

提交评论