标准解读
《GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底》是一项国家标准,它针对用于LED外延生长的磷化镓(GaP)衬底材料制定了详细的技术要求和测试方法。该标准适用于以磷化镓作为基材生产的各种类型的LED外延片制造过程中的质量控制。
标准首先定义了相关术语与定义,明确了“磷化镓衬底”、“位错密度”等专业词汇的确切含义。接着,在技术要求部分,对磷化镓衬底的关键性能指标进行了规定,包括但不限于尺寸精度、表面粗糙度、晶体完整性以及电学特性等方面的要求。例如,对于直径小于等于两英寸的圆片,其厚度偏差不应超过±0.05mm;而直径大于两英寸但不超过四英寸时,则允许的最大厚度偏差放宽至±0.1mm。
此外,《GB/T 30855-2014》还列出了详细的试验方法来检测上述各项指标是否达标。这些方法涵盖了外观检查、几何参数测量、X射线衍射分析等多个方面,确保能够全面准确地评估磷化镓衬底的质量状况。通过采用标准化的测试流程,可以有效保证不同厂家生产的产品之间具有良好的可比性和一致性。
最后,该文件也提供了关于包装、标志及运输等方面的指导原则,旨在保护产品在整个供应链过程中免受损害,并便于用户识别和使用。
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- 现行
- 正在执行有效
- 2014-07-24 颁布
- 2015-04-01 实施
文档简介
ICS29045
H83.
中华人民共和国国家标准
GB/T30855—2014
LED外延芯片用磷化镓衬底
GaPsubstratesforLEDepitaxialchips
2014-07-24发布2015-04-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T30855—2014
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会及材料分技术委员会
(SAC/TC203)(SAC/TC
共同提出并归口
203/SC2)。
本标准主要起草单位中国科学院半导体研究所有研光电新材料有限公司云南中科鑫圆晶体材
:、、
料有限公司
。
本标准主要起草人赵有文提刘旺林泉惠峰赵坚强
:、、、、。
Ⅰ
GB/T30855—2014
LED外延芯片用磷化镓衬底
1范围
本标准规定了外延芯片用磷化镓单晶衬底片以下简称衬底的要求检验方法以及标志包
LED()、、
装运输储存质量证明书与订货单或合同内容
、、、()。
本标准适用于外延芯片的磷化镓单晶衬底
LED。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
包装储运图示标志
GB/T191
半导体单晶晶向测定方法
GB/T1555
计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样计划
GB/T2828.11:(AQL)
非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T4326
半导体硅片电阻率及硅薄膜层电阻测试方法非接触涡流法
GB/T6616
硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6618
硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T6620
硅片表面平整度测试方法
GB/T6621
硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T6624
硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T13387
硅片参考面结晶学取向射线测试方法
GB/T13388X
硅片直径测量方法
GB/T14140
半导体材料术语
GB/T14264
半导体材料牌号表示方法
GB/T14844
磷化镓单晶片规范
GJB3076—1997
3术语和定义
界定的术语和定义适用于本文件
GB/T14264。
4要求
41分类
.
磷化镓衬底按导电类型分为型和型两种类型
np。
42牌号
.
磷化镓衬底牌号
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