IBM FlashSystem产品及解决方案介绍-V1

IBMFlashSystem

旗舰级的全闪存阵列齐会勇系统与科技事业部qihuiy@前言：过去十年间，IT技术发生了多大进步:

CPUPerformance8-10xDRAMSpeed7-9xNetworkSpeed

100xBusSpeed

20xDiskSpeed

1.2X…大家都在等你，亲！Source:IBMandIndustryEstimates摩尔定律不适用于机械运动部件存储迟缓的代价有多大？全球最大的电子商务网站亚马逊，I/O每1毫秒的额外延迟，会造成总额达480万美金的订单损失

Source:RichardIrvingCapacityMagazine对华尔街的一些从事高频交易的金融机构来说，每1毫秒I/O响应时间的提升，可以给他们带来平均每年1亿美金的增收TapeHDDFormFactorSSDPCIeSSDSeconds5-15milliseconds~1milliseconds1

second（秒）=1,000milliseconds（ms,毫秒）=1,000,000microseconds（μs,微秒）向低延迟迈进之路<1millisecond100microseconds(μs)

IBMFlashSystem

研讨内容1IBM

FlashSystem是什么2IBMFlashSystem的战略地位3解决方案和成功案例

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FlashSystem是什么2IBMFlashSystem的战略地位3解决方案和成功案例IBMFlashSystem系列:全闪存储eMLCFlashSLCFlashModel710720810820可用容量1-5TB5or10TB2-10TB10or20TB延迟(读/写)100/60μs100/25μs110/60μs110/25μsIOPS570K525K550K525K带宽5GB/s5GB/s5GB/s5GB/s接口4x8GbFC或4x40GbIB4x8GbFC或4x40GbIB1U机架高度,少于

400W功耗FlashSystem840架构冗余电源*冗余风扇12闪存模块*(10+1+1)2U机箱

N+1电池冗余管理控制处理器冗余RAID控制器TwoDual-Ported8Gb/sFC或

40Gb/sQDRIB接口*为可热更换部件Series-7FlashController™2perBoard

4perModuleeMLCFlashChips20perFlashController

40perBoard,80perModuleInterfaceProcessorDualportstobackplanePrimaryFlashBoardExpansionFlashBoardFlashModule绝不是SSD！FlashModule结构——FlashSystem-840为例：FlashSystem840优化数据中心的利器最低延迟

Write90µsRead135µs最大IOPS4KBRead(100%,random)1,100,000Read/write(70%/30%,random)775,000Write(100%,random)600,000最大带宽256KBRead(100%,sequential)8GB/sWrite(100%,sequential)4GB/s容量选项Flashmodule配置2x2TB4x2TB4x4TB8x2TB12x2TB8x4TB12x4TB

裸容量5TB11TB21TB21TB32TB42TB65TBRAID0可用容量4TB8TBN/A16TB24TB32TB48TBRAID5可用容量N/A4TB8TB12TB20TB24TB40TB性能一览表数据中心存储优化：极速性能、灵活容量配置，全部的数据保护IBMFlashSystem840:逻辑视图

硬件数据通道实现极低延迟基于可定制的FPGA可使数据迁移相对于软件控制具有更快的响应时间，实现极低延迟分布式的out-of-data-pathCPU处理极致性能（高IOPS），超大带宽FCFCoEIBFCFCoEIBCPUs(18)接口控制器管理模块RAID控制器闪存模块(12)FPGAIBMFlashSystem840:闪存模块,

逻辑视图FPGA网关接口I/O接口及直接存储通路

PPC及DRAM控制OutofDatapath操作垃圾数据收集，错误处理，系统健康，耗损平衡，统计等。闪存芯片每个闪存控制器控制20个闪存芯片每个模块由40个或80个闪存芯片组成XOR校验数据主板(2TB)副板(2TB)–可选FPGAFPGAFPGAFPGAFPGAFPGAFPGA闪存控制器-FPGA

每个模块2个或者4个控制器数据通道，硬件I/O逻辑模块LookupTables

及写缓存每个控制器控制20个闪存芯片扩展性及并行性：7,680个并行flash操作及1,600个并行DMA操作思考时刻：在大多数混合式或基于固态硬盘的解决方案中，大多数的操作是由软件层控制的，这是影响延迟现象最根本的原因。13IBMFlashSystem840:闪存控制器设计闪存控制器-FPGA数据通道，硬件I/O逻辑模块LookupTables

及写缓存每个控制器控制20个闪存芯片LookupTablesDRAMPPC及DRAM控制Outofdatapath操作垃圾数据收集，错误处理，系统健康，耗损平衡，统计等。DRAM写缓存GatewayInterfaceFPGAFPGA网关接口I/OandDirectMemoryAccess(DMA)NAND闪存FPGAFPGAMicroLatencyTM,微延时:

-提供微妙级的响应时间，比传统磁盘存储系统的延迟降低1~2个数量级。ExtremePerformance,卓越的性能:

-

传统顶级企业级存储系统的高IO性能。MacroEfficiency,超强的效能:

-远超传统磁盘存储的性能密度和容量密度，实现电力、冷却、体积和成本的超高效益。EnterpriseReliability,企业级可靠性:

-耐用和可靠的设计、企业级闪存元件和专利数据保护技术，满足企业级可靠性要求。闪存时代已经到来！与磁盘技术相比，闪存在性能、成本效益、体积、能量损耗以及部署速度上更优越。

IBMFlashSystem：颠覆传统存储的四大优势

IBMFlashSystem颠覆传统存储的四大优势

MicroLatencyTM–微延时ExtremePerformanceMacroEfficiencyEnterpriseReliabilityIO延时的组成I/OTimeNetworkTimeCPUTimeI/OTimeNetworkTimeCPUTimeI/OTimeNetworkTimeCPUTime从应用程序的角度看，每个客户端请求需要消耗哪些时间…采用更新更好的CPU呢…如果，能够减少IO的时间消耗…TimeRecoveredQueryTime传统硬盘和Flash的延时1seconds=1000milliseconds=1,000,000microseconds15krpmHDDgives：

180-200IOPS

@5-6ms10krpmHDDgives：

130-140IOPS@7-8ms7.2krpmHDDgives：

80-100IOPS @10-12msIBMFlashgives200microsecond(μs)

=0.2ms减少延时对性能的改善TimeI/OServicedbyDiskIssueI/Orequest (~100μs)WaitforI/Otobeserviced (~5,000μs)ProcessI/O (~100μs)

1个IO操作的总耗时

=100μs+5,000μs+100μs=5,200μsCPU利用率

=Waittime/Processingtime=200/5,200=~4%Processing~100µs~100µsWaiting~5000µsCPUState1I/ORequestTimeI/OServicedbyIBMFlashSystemIssueI/Orequest (~100μs)WaitforI/Otobeserviced (~200μs)ProcessI/O (~100μs)

1个IO操作的总耗时

=100μs+200μs+100μs=400μsCPU利用率

=Waittime/Processingtime=200/400=~50%Processing~100µs~100µsWaiting~200µsCPUState1I/ORequest减少延时对性能的改善5200/400=13x!13X的延时改善！！CPU利用率timeI/OServicedbyDiskIssue/ProcessI/Orequest ~100+100μsWaitforI/Otobeserviced ~5,000μs

WaitingforI/OWorkWaitingforI/OWorkWaitingforI/OWorkCPUUtilization=~4%LessWork,MoreWaitCPU利用率timeI/OServicedbyFlashSystemIssue/ProcessI/Orequest ~100+100μsWaitforI/Otobeserviced ~200μs

CPUUtilization=~50%MOREWork,LESSWaitFlashSystemWorkWaitWorkWaitWorkWaitWorkWaitWorkWaitWorkWait减少延时对性能的改善：从主机CPU的角度

50%/4%≈12x!只改变了存储的latency，就提升了12X的应用性能！！IBMFlashSystem颠覆传统存储的四大优势

MicroLatencyTM

–微延时ExtremePerformance–卓越的性能MacroEfficiencyEnterpriseReliabilityIBMFlashSystem为什么快端到端完整的架构设计，均来自TMS的专利技术，而非组合“大拼盘”FlashSystem

系统提供硬件数据路径

基于FPGA基础的数据移动相比软件实现的存储控制器算法大大减少了延迟时间分布式

CPU独立处理路径相比于所有竞争厂商更低的延迟度不管是直连PCIe卡，还是SAN网络SSD阵列“OurSymmetrix-VMAXEnginuityconsistsofmillionsoflinesofcode.”RAIDControllersIOModulesFlashModules12x“Youcannotincreaseperformancebyaddinglinesofcode.”端到端的硬件加速基于软件的设计:软件控制数据路径（传统存储中运行SSD）Flash存储基于硬件和软件的设计对比FrontEndDirectorsBackEndDirectorsOSCPUOutsideWorldSSD/SAS/SATAHDD’sCache

多处增加延时:控制器和其中运行的软件SAS控制器和共享总线分层管理和共享数据通道SSD本身的硬盘壳/数据接口SSD

最大化性能、最小化延时:优化的FPGA硬件数据路径定制的硬件设计大规模并行处理25us的写入延迟到闪存介质IOInterfaceFPGAFPGACPUOutsideWorldFlashMediaFPGACPUAutobahnFlash存储基于硬件和软件的设计对比基于硬件的设计:硬件控制数据路径（IBMFlashSystem）FPGA专用处理器vs传统存储CPUIBMFlashSystem高并发+低延时=高性能!IBMFlashSystem颠覆传统存储的四大优势

MicroLatencyTM

–微延时ExtremePerformance–卓越的性能MacroEfficiency–超强的效能EnterpriseReliabilityIBMFlashSystemHighPerformanceDisk（15kRPM）0.15PB1PB6.7xMore容量效能——超高容量密度1RackIBMFlashSystem1块地板格，42U机柜1PB可用容量

22millionIOPS/210GB/s@

100μs

IO延时12.6KW耗电量同样部署1个机柜，IBMFlashSystem的容量优于传统存储：

6.7倍IBMFlashSystemHighPerformanceDisk（15kRPM）IOPS效能——超高性能密度1RackIBMFlashSystem1块地板格，42U机柜1PB可用容量

22millionIOPS/210GB/s@

100μs

IO延时12.6KW耗电量1个机柜315xLess315个机柜同样实现22millionIOPS，IBMFlashSystem只需要部署1个机柜，优于传统存储：

315倍！IBMFlashSystemHighPerformanceDisk（15kRPM）电力消耗效能——超低能耗1RackIBMFlashSystem1块地板格，42U机柜1PB可用容量

22millionIOPS/210GB/s@

100μs

IO延时12.6KW耗电量19千瓦115xLess2200千瓦同样实现22millionIOPS，IBMFlashSystem只需要部署1个机柜（峰值功耗19千瓦），优于传统存储：

115倍！IBMFlashSystemHighPerformanceDisk（15kRPM）采购成本效能——超高性价比1RackIBMFlashSystem1块地板格，42U机柜1PB可用容量

22millionIOPS/210GB/s@

100μs

IO延时12.6KW耗电量19xLess同样实现的IOPS性能，IBMFlashSystem的采购成本优于传统存储：

19倍！$19x$1xIBMFlashSystem颠覆传统存储的四大优势

MicroLatencyTM

–微延时ExtremePerformance–卓越的性能MacroEfficiency–超强的效能EnterpriseReliability–企业级可靠性四层数据保护保护层次可容忍的故障级别系统级别RAID5*保护由集中的RAID控制器管理模块故障模块内的RAID5保护模块内的跨芯片管理闪存页故障模块内可变条带RAID™保护

（VSR）由跨模块的芯片管理芯片内部、芯片或跨芯片保护芯片级别ECC校验保护由各模块的芯片管理数据位或数据块错误2DFlashRAIDTM*FlashSystem720/820OnlyIBMFlashSystem为什么可靠问题解决方案有限的擦写次数Wearleveling，损耗均衡Bit级错误Chip-levelECC校验Block/plane/device级错误Block

Remapping，坏块重定位(Blockfailure)2DFlashRAID，模块级RAID5(Modulefailure)VariableStripeRAID™，可变条带RAID技术(Sub-chip,chipormulti-chipfailure)ActiveSpare，Flash模块冗余干扰错误Disturberrors(read/write/erase)Voltageandtimingadjustments，实时电压校准擦除时间和块大小Over-provisioning,超额供给掉电保护N+1组电池冗余保护，冗余电源闪存保护技术使用寿命不同MLC:Multilevelcellflashisconsumer-gradeeMLC:Enterprise-gradeMLC10x优于MLCSLC:Single-levelcell33x优于MLCeMLC可以承载绝大多数的企业及业务负载需求，10TB的FlashSystem可以在1GB/s的写压力下工作十年IBMFlashSystem

采用独有技术，例如：VariableStripeRAID™and2DFlashRAIDTM,wearlevelingandover-provisioning，进一步提升eMLC和SLC设备使用寿命优于同类型产品的Flash介质寿命IBMFlashSystemVariableStripeRAID™(VSR)专利技术，使得芯片的RAID条带大小可变一个10芯片的条带，如果某块写入区损坏，只有该写入区被绕过，以后这个条带的数据会用这剩下的9个芯片来写入VSR减少了Flash页面损坏带来的内部开销……16

Planes10ChipsFAIL独特的用户益处:减少Flash模块的更换RAIDGroup2DFlashRAID™(FlashSystem840)RAID控制器

ARAID控制器BRAID5跨越

Flash模块(10数据+1校验+1热备)服务器接口

A服务器接口

B外接模块(FC,IB)RAID控制器Flash模块内部RAID5

(9数据+1校验)IBMFlashSystem2DFlashRAID™

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FlashSystem是什么2IBMFlashSystem的战略地位3解决方案和成功案例IBM企业级存储战略：“多兵种合成”应对需求

1、IBMXIV存储系统：性能足够、稳健可靠、管理简单2、IBMDS8870存储系统：极端的高性能、久经考验的可靠性

3、IBMFlashSystem全闪存储：以最小的体积和能耗，为IO密集型应用提供超强响应能力

4、IBMSVC虚拟化控制器：化繁为简、能力倍增为复杂、异构、高容量和高性能环境提供管理优化能力IBM企业级存储组合：最佳搭档！IBM通过持续的存储创新，不断引领业界变革及方向StoragenetworkvirtualizationFirstIntelligentdataplacement19561956World’sFastestStorageAnalytics&TransformationIn-linecompressionProgrammableNetworkController(Nortel)LiveDataMobilityStorageservices2007Storagere-inventedIn-linededuplicationFirstmagneticharddiskdrive19931993FirstRAIDstorage20032008201020122010友商关注的层面nsmssecus闪存解决方案竞争分析FlashSystem720/8205/10/20TBFlashSystem710/8101-5/2-10TBIBM/IBMFlashSystemPCIeCardsVFCacheXtremIOFASTVPFASTCache3xx06xx0ArraysViolinMemoryEMCFusion-ioHANon-HA3xx04-16/16-32TB6xx05-13/10-22TBXtremIO56TBDe-DupFASTVPinVMAX/VNXFASTCacheinVNXVFCache300/700GBioFX420GBioDrive160/320/640GBioDriveDuo320/640/1280GBioDrive2365-1200GBioDrive2Duo1200/2400GBioDriveOctal5.1/10.2TBNotYetAvail.YouShouldKnowNon-HAArray需要增加gateway，延时增加；最多只有2级高可用保护，不如IBM

FS的4级保护；MLC阵列可靠性不及eMLC；效能差：同样性能的阵列，占3U高，是IBMFS的3倍；能耗是IBMFS的2-5倍；公司前景不明朗，产品单一FASTVP依赖于VMAX/VNX的的软件功能，FASTCache依赖于VNX的软件功能，共性是延时性差，软件收费，部署需要额外服务（传统存储架构）；VFCache是PCIe卡和软件功能的集成，价格很贵，服务器的CPU和内存开销大，且与EMC现有产品集成度差；XtremIO：今年3季度才会提供产品，性能不足PCIe卡是没有共享性和扩展性的；带来明显的服务器CPU和内存开销，其中CPU额外增加20-30%的开销，而80GBFIO卡会带来2-5GB内存开销；无HA，内部RAID需要在两块卡以上才支持；与SAN阵列没有任何功能集成，如快照、复制等极速性能：最高可达5GB/s的强大吞吐带宽和500KIOPS，领先于业内绝大部分竞争对手；微秒级延迟：100/25微秒读/写的响应延迟，在读写性能方面最为均衡；宏伟的效能：1U的高度，不到500W的功耗，提供最佳的ROI；企业级可靠性：4级高可用保护方式：ECC，VSR，2D-RAID；其他：阵列的共享性、扩展性；与IBMSVC、V7000、GPFS等产品的集成。IBMFlashSystem相对ViolinMemory的优势IBM丰富的产品线

(FromServertoStorage)

FlashSystem的高可靠性:2DRAID,VSR,eMLC/SLC.FlashSystem的产品成熟度（34年的技术发展和经验）IBM公司的能力和经验FlashSystem的高效能(体积，能耗)SANEnterpriseVMAXFASTVP(Tiering)Mid-RangeVNXFASTVP(Tiering)VNXFASTCache(Caching)Flash-OnlyXtremIO(2013Q3)InterimVNX5500-FEMCSSD产品线PCIe(in-server)XtremeSF/XtremeSW低密度：7TB/6U模块低扩展性：最多8个模块，56TB高能耗：1150W/模块不足的IO能力：<250KIOPS/模块来历：2009年创立，2012年被EMC收购，从无产品面市EMCXtremIO的扩展性4K70/30Mix4K100%ReadsIBMFlashSystem820:

4K70/30Mix430KIOPS4K100%Reads525KIOPSFlashSystemis2Xfaster!1RackIBMFlashSystem1块地板格，42U机柜1PB可用容量

22millionIOPS/210GB/s@

100μs

IO延时12.6KW耗电量All-FlashEF540——FlashRay

面市前的临时替代，就是传统阵列里放SSDFlashRay——2014年面市NetAppFlash&SSD产品名字里有“Flash”,但实际上是

SSD!EF540：2U,双控制器,24x2.5”MLC800GBSSD,24GBCache(12GB/controller)Upto9.6or19.2TB(裸容量),300KIOPS&6GB/sBW,Sub-millisecond延迟传统RAID0,1,3,5,6&10(SW-RAIDw/heavyimpactonperformance)FlashSystem对于IBM的战略价值主流的、世界范围的供应商StorageSystemSolutionsFlashSystem进一步扩大了IBM与追随者之间的技术优势。随着FlashSystem

系列产品的推出,IBM能够提供完整、优化和高效的全闪解决方案：从服务器到存储。IBMFlashSystem开启全闪时代。Server/ModuleSolutions

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FlashSystem是什么2FlashSystem的战略地位3解决方案和成功案例IBMFlashSystem解决方案包EasyTier/HSMSVC/V7000EasyTier免费,GPFS免费,SONAS/V7000UHSM对后端存储透明,性能加速适用于所有后端存储架构自动的存储分层HA

+PreferredReadSVC/V7000VDiskMirror,NSeriesSyncMirrorApplication-Based解决方案:SQLServerAlwaysOn,OracleASM,DB2ManagedSpaceOS-Based解决方案:AIX/LinuxLVMMirror,Veritas(PreferredReadPlex),SolarisSVMManualDataPlacementSVC/V7000的在线数据迁移功能PartialApps:DBHotTables,Indexes,Temp,Undo,LogsCompleteApps:WholeDBs通过IBM现场集成交付IBMFlashSystem和SVC组合解决方案极致性能企业级特性与SANVolumeController高性能的企业级存储解决方案

按需在线增加连接在SVC后面FlashSystem的个数性能可拓展达到150万

IOPs的高性能企业级存储系统具备微秒级的低延迟500kIOPS的极致性能20TBRAID保护的数据容量1U高机架空间的非凡效率可变条带RAID和2-DRAID实现企业级可靠性

IBMFlashSystem数据复制服务保障业务连续性

基于快照的备份和理想的可用性采用精简供应与实时压缩降低存储成本利用EasyTier提升存储效率WRITESVdiskMirror2ACTIVEDATATRANSITIONALDATA20TB5TBREADSSVC+FlashSystem，大幅提升存储读性能VdiskMirror1ACTIVEDATATRANSITIONALDATA20TBSSDFCSAS5TB增强性能

增强冗余度

-无中断

-不增加磁盘-不损失功能IBMFlashSystemSANSANDBServersMirrorSANVolume

Controller写

IO镜像到两边READSWRITES读IO从高速的FlashSystem进行，µs级的响应时间FlashSystem作为High-EndStorage的性能加速器(HA+PreferredRead)如何利用FlashSystem+LVM提升现有存储性能通过读写I/O分离，优先读FlashSystem来提高I/O性能使用OracleASMMirror、LVM方式，把读I/O放到Flashsystem上，写I/O到FlashSystem和原存储上。不仅能大幅度提高读性能，写性能也会大幅提高，因为原来的存储需要处理读写，现在只需要把全部的能力都用来处理写，自然写性能也有提高。同时安全性也得到保证，不改变原有使用方式和容灾构架(MM/GMorSRDF)*可以通过以下软件实现FlashSystem和原有存储的结合：SQLServerAlwaysOn,OracleASM,DB2ManagedSpace,LVMMirror,Veritas(PreferredReadPlex),SolarisSVMHotpublicAFC-SANIBMFlashSystemEMC/IBMHigh-EndStorageLVM/ASMMirrorLVM/ASMMirror快照备份批处理报表PreferRead生产IO读路径备份/报表IO读写路径生产IO双写路径原有容灾方式不变(MM/GMorSRDF)FlashSystem上可以放置全部数据或部分数据(热点)，用户可以通过数据库和系统工具来确定热点数据或热点盘容灾存储HotHot应用IBMFlashSystem加速数据库应用系统应用挑战

——大多数Oracle应用程序为读密集型。

因此，单独依靠额外的CPU处理能力几乎无法提升性能。通过将全部读数据存放在低延迟的全闪存阵列上，读操作会被更快的处理，与传统的硬盘系统可以提升系统性能高达12倍，而无需任何系统架构或软件代码调整。IBMFlashSystem全闪存阵列可以实现：对于关键业务应用降低I/O等待时间实现SAN环境下可能达到的

最低延迟加速一般的I/O密集型负载，包括交易、批处理和数据分析等帮助客户减少DB“percore”license投资，因为CPUCore的利用率提高了针对Oracle数据库实现

极致性能、超低延迟和企业级可靠性（Oracle/DB2/SQLServer/Sybase）IBM

FlashSystem

与虚拟机及虚拟桌面环境应用挑战

——虚拟机和虚拟桌面环境会将传统存储系统推向性能的极限，其结果是：导致较差的应用响应时间和不良的客户体验。将IBMFlashSystem全闪存阵列引入系统，可以使大多数一般的虚拟应用响应时间提升16倍。藉此应对“登录风暴”与“启动风暴”，并恢复系统的服务能力。IBMFlashSystem全闪存阵列可以实现消除I/O密度高和热点集中问题，这些在一般的高度虚拟化环境中很常见控制和减轻“登录风暴”和“启动风暴”时的性能问题在不牺牲性能的前提下实现存储整合，从而实现更高的V:P比例，以提升服务器利用率在VMWARE层面进行存储分级定义,FlashSystem可作为最高级别存储池使用针对虚拟机/VDI系统实现

极致性能、超低延迟和企业级可靠性IBMFlashSystem加速SAP应用应用挑战

——

世界上的绝大多数SAP数据库占用的存储容量少于2TB，而SAP正在督促客户通过采用HANA内存数据库方式来提升性能。

这将导致整个SAP体系的重大调整，从而带来较高的成本和服务中断的风险。IBMFlashSystem全闪存阵列可以实现消除SAP关键业务中的

I/O瓶颈对于时效性较高的工作负载，提供SAN环境下的所有存储可能具有的最低延迟（IBMMicroLatency™）采用较小容量，但较高成本效益的闪存资源池带来极大的性能提升为SAP高带宽应用负载提供性能水平近似于HAHA的解决方案，无须重新修改整体架构针对SAP系统实现

极致性能、超低延迟和企业级可靠性&FlashonlypoolEasyTier

poolHDDonlypool解决方案中引入SVC+FlashSystemERPFlashSystemV7000/XIVSVCnodesSCMSRMCRMBWSAPproductionDBserverSAPnon-prodDBserverERPSCM………PutDBwithahighIO/sperTBratioonFlashonlyPutallSAPproductionDB

onEasyTiertieredstoragePutallnon-productionDBs

onHDDonlySVCstoragepools(manageddiskgroups)IBMFlashSystem加速SAP应用适用场景应用需求IBM解决方案客户收益拓扑证券集中交易系统证券交易系统在股市交易的4小时内，要求存储提供快速响应和高并发处理能力，以应对“跳水”等反转行情引发大量的交易和查询机房供电紧张，要求节能采用RamSan-720/820全闪存盘阵替代现有的磁盘系统，通过数据库复制实现存储高可用1、IOPS性能10×提高，访问延迟减少90%，轻松应对峰值交易压力2、TMS4GB的吞吐能力，更快速的查询3、提供高40万IOPS性能，同时减少高转数磁盘存储系统的高能耗E-commence商业分析系统网络零售产生大量的电子商务信息，海量数据挖掘需要后端存储提供更大的吞吐量和更高的并发响应通过OracleRAC镜像数据到RamSan-720/820全闪存盘阵，TMS用于分析查询1、轻松集成现有IT架构，优化现有系统2、提升分析系统性能，极大缩短批处理时间3、架构简单容易实施制造业SAPERP系统数据库快速响应，物料需求计划MRP等系统要求快速交付，缩短供货信息的处理时间提供高并发，高响应和高可靠性TMSRamSan-720/820作为ERP的核心存储系统1、MRP系统性能提升12倍，数据库一致性校验时间缩短90%2、生产中心的成功优化后，灾备中心也部署了TMS3、提高工作效率Flashsystem在GB用户中的应用场景适用场景应用需求IBM解决方案客户收益拓扑银行核心交易系统银行核心系统要求提高系统性能以应对突发的峰值交易压力，机房占地、供电紧张，寻求更高效且节能的存储方案一：采用RamSan-720/820全闪存盘阵替代现有的磁盘系统，通过数据库复制(或LVM)实现存储高可用1、高性能40万IOPS，性能10×提高，访问延迟减少90%，轻松应对峰值交易压力2、减少传统高转数磁盘存储系统的高能耗，高存储密度的TSM仅1U高，节省空间银行核心交易系统核心系统高可用HA保护，快速查询SVC虚拟化现有核心存储，通过VDM镜像到RamSan-720/820全闪存盘阵，SVC夸盘阵即时快照提供查询1、轻松集成现有IT架构，优化现有系统2、EasyTier自动分层存储，系统性能自动优化3、TMS缩短核心交易响应时间，优化系统性能期货交易系统期货实时接收行情数据，通过量化交易分析后生成订单，数据分析要求系统快速处理数据量<1TB，TMSRamSan-70作为期货分析系统的缓存数据量>1TB，TMSRamSan-720/820全闪存盘阵作为主存储系统1、TMS的40万IOPS、4GB的吞吐性能极大提高数据分析处理性能，缩短期货订单生成时间，提高期货交易盈利Flashsystem在GB用户中的应用场景案例参考客户行业环境挑战方案结果EVEOnline在线网游，世界上最大的网游公司之一OLTPonSQLServer在并发用户数不断增加的同时，响应速度和加载速度变得缓慢RamSan400提供3GB/s的吞吐吞吐性能提升了40倍，数据库处理能力提升了6倍ICSource电子商务，全球最大的电子元件B2B网站SQLServer消除积压订单，加快库存数据库读写速度；曾经尝试过增加一倍的