标准解读

《GB/T 25076-2018 太阳能电池用硅单晶》与《GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶》相比,在多个方面进行了更新和调整。这些变化旨在更好地适应技术进步和市场需求,提高产品质量和技术指标的合理性。

在新版标准中,对术语定义部分进行了细化和完善,增加了新的定义以更准确地描述材料特性及检测方法。例如,对于某些关键性能参数如电阻率、少数载流子寿命等,规定了更为严格的测试条件和允许偏差范围,确保了数据的一致性和可比性。

同时,《GB/T 25076-2018》还扩大了适用范围,不仅限于传统的直拉法生长的单晶硅棒,也包括了区熔法生产的高纯度单晶硅材料,这反映了近年来光伏行业中不同生产工艺的应用趋势。此外,新版本还特别强调了环保要求,在生产过程中应尽量减少有害物质的使用,并采取有效措施控制废弃物排放。

针对晶体生长过程中的缺陷控制,《GB/T 25076-2018》提出了更加具体的要求,比如明确了微缺陷密度的最大值限制以及如何通过特定方法进行评估。这一改动有助于进一步提升最终产品的电学性能稳定性。

另外,新版标准还加强了对外观质量的要求,除了保持原有的表面平整度、无裂纹等基本条件外,还新增了一些关于颜色均匀性的指导原则,这对于保证太阳能电池片外观一致性具有重要意义。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2018-09-17 颁布
  • 2019-06-01 实施
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文档简介

ICS29045

H82.

中华人民共和国国家标准

GB/T25076—2018

代替

GB/T25076—2010

太阳能电池用硅单晶

Monocrystallinesiliconforsolarcell

2018-09-17发布2019-06-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T25076—2018

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替太阳电池用硅单晶与相比主要技术变化如下

GB/T25076—2010《》,GB/T25076—2010:

将标准名称太阳电池用硅单晶修改为太阳能电池用硅单晶

———《》《》;

修改了适用范围将适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶改为适用于直拉掺

———,“”“

杂制备的圆形硅单晶经加工成的准方形或方形硅单晶产品用于切割成硅片后进一步制作地

面太阳能电池见第章年版的第章

”(1,20101);

增加了引用文件及删

———GB/T1551、GB/T14844、GB/T26068、GB/T32651YS/T28、YS/T679,

除了见第章

GB/T1552、GB/T1553、SEMIMF1535(2);

增加了牌号的规定见

———(4.1);

将年版中第章技术分类中的分类和规格单独列为一章即增加了第章牌号

———201044.14.2,“4

及分类将按外形分类由原来的圆形和准方形年版的改为准方形和方形删除了

”;(20104.1);

圆形硅单晶规格增加了方形硅单晶的规格见

,(4.1、4.2);

删除了圆形硅单晶的尺寸要求见年版的修改了准方形硅单晶的端面尺寸要求

———(20104.3.1),

见图和表年版的图和表增加了方形硅单晶的端面尺寸要求见图和表

(11,201012),(22);

将垂直度单列为一条并增加了准方形或方形硅单晶的端面垂直度应不大于的要求

———,“1mm”

(5.1.3);

电阻率范围下限由改为型型见表年版的表

———0.5Ω·cmP0.2Ω·cm、N0.1Ω·cm(3,20103);

修改了硅单晶的间隙氧含量要求由小于183改为型应不大于

———,1.3×10atoms/cmP1.1×

183型应不大于183或由供需双方协商确定见年版的

10atoms/cm,N1.0×10atoms/cm,(5.4,2010

4.6);

修改了硅单晶的代位碳含量要求由不大于173改为型应不大于

———,1.0×10atoms/cmP1.0×

173型应不大于163或由供需双方协商确定见年

10atoms/cm,N5.0×10atoms/cm,(5.5,2010

版的

4.7);

晶体完整性中增加了无滑移位错的要求见

———(5.6);

增加了硅单晶的体金属含量的要求见

———(5.7);

增加了表面质量的要求见

———(5.8);

增加了体金属和表面质量的试验方法检验项目及检验结果判定的内容见

———、(6.10、6.11、7.3、

7.4、7.5.3);

将取样和抽样合并改为表格的形式见表年版的和

———(4,20106.46.5)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位有研半导体材料有限公司浙江省硅材料质量检验中心隆基绿能科技股份有限

:、、

公司内蒙古中环光伏材料有限公司苏州协鑫光伏科技有限公司泰州隆基乐叶光伏科技有限公司洛

、、、、

阳鸿泰半导体有限公司宜昌南玻硅材料有限公司有色金属技术经济研究院

、、。

本标准主要起草人孙燕张果虎楼春兰杨素心刘培东宫龙飞邓浩李建弘李洋蒋建国

:、、、、、、、、、、

张鹏

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T25076—2010。

GB/T25076—2018

太阳能电池用硅单晶

1范围

本标准规定了太阳能电池用硅单晶简称硅单晶的牌号分类要求试验方法检验规则以及标

()、、、、

志包装运输贮存质量证明书和订货单或合同内容

、、、、()。

本标准适用于直拉掺杂制备的圆形硅单晶经加工制成的准方形或方形硅单晶产品经切割成硅片

后进一步制作太阳能电池

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550

硅单晶电阻率测定方法

GB/T1551

硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T1554

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T1558

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T6616

硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/

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