模拟电子电路频率响应3

共基电路的高频响应

*考察晶体管电容C

b′e和C

b′c以及负载电容CL对高频响应的影响;*与共射电路对比，共基电路输入回路的时常数很小，

上限频率很高。图5―14共基电路高频响应的讨论(a)电路；(b)高频交流通路1.C

b′e的影响:C

b′e直接接于输入端，不存在密勒倍增效应。理论分析的结果fH1≈fT。

2.C

b′c及CL的影响Cb′c直接接到输出端，也不存在密勒倍增效应。输出端总电容为Cb′c+CL。此时，输出回路时常数为RL’(Cb′c+CL)，输出回路决定的fH2为共基极放大电路的高频响应①高频等效电路（b）高频小信号等效电路②高频响应列e点的KCL而所以电流增益为其中电压增益为

其中

特征频率忽略共基极放大电路的高频响应共集电路的高频响应共集电路如图5―13(a)所示。与共射电路对比，共集电路的高频响应比共射电路要好得多，即

f

H(CC)>>f

H(CE)。图5―13共集电路高频响应的讨论(a)电路；(b)高频交流通路及密勒等效1.Cb′c的影响由于共集电路集电极直接连接到电源UCC，所以Cb′c相当于接在内基极“b′”和“地”之间，不存在共射电路中的密勒倍增效应。因为Cb′c本身很小(零点几～几pF),只要源电阻Rs及rbb′较小，Cb′c对高频响应的影响就很小。2.C

b′e的影响这是一个跨接在输入端与输出端的电容，利用密勒定理将其等效到输入端,则密勒等效电容为

A′u为共集电路的电压增益，是接近于1的正值，故Cμ<<C

b′e。---密勒定理I+Vi-+Vo-KK+Vi-+Vo-II12高频等效模型的单向化

3.CL的影响只要源电阻Rs较小，工作点电流ICQ较大，则Ro可以做到很小。所以时常数RoCL很小，fH2很高。因此说共集电路有很强的承受容性负载的能力。共集极放大电路的频率响应Usrbb’Rsrb’eCb’eCb’cUogmUb’eRL’b’三极管的频率参数fβ和fTfT：频率增大使|

|下降到0dB（|

|=1）时的 频率，称为特征频率。00几个上限频率的比较的上限频率特征频率共基极上限频率共发射极上限频率共基极电路频带最宽，无密勒电容。Exit几个上限频率的比较共基极电路频带最宽，无密勒电容共基共射共集上限频率3)在电路输入端采用低阻节点（即RS小）。结论,共基电路频率特性最好、共发最差。提高上限频率的方法1）选rbb、Cbe、Cbc小、T高的三极管使fH2)采用恒压源（RS

0）激励：4)在电路输出端也采用低阻节点（即RL小）5)改进集成工艺，通过提高管子特征频率fT扩展fH。7)在放大电路中引入负反馈扩展上限频率fH。6)利用组合电路扩展上限频率fH。上限截止频率电路中三极管的极间电容决定。例选择正确答案填入空内。（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是

。

A.输入电压幅值不变，改变频率

B.输入电压频率不变，改变幅值

C.输入电压的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是

，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是

。

A.耦合电容和旁路电容的存在

B.半导体管极间电容和分布电容的存在。

C.半导体管的非线性特性

D.放大电路的静态工作点不合适

ABA例选择正确答案填入空内。（3）当信号频率等于放大电路的fL

或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的

。

A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降

。

A.3dB

B.4dB C.5dB

（4）对于单管共射放大电路，当f＝

fL时，输出与输入相位关系是

。

A.＋45˚

B.－90˚C.－135˚

当f＝

fH时，输出与输入的相位关系是

。

A.－45˚B.－135˚C.－225˚BACC(5)全频段放大倍数波特图如果fL1＞fL2，可以画出单级基本放大电路的波特图，如图所示。例子2：试分析如下电路的频率特性RC=10-3

（分析步骤）解:(1)写出电路的传递函数返回(2)根据传递函数画出其频率特性波特图幅频特性波特图：1230-20-40-602012320dB/10倍频相频特性波特图：0o-45o45o-90o90o123-45o/10倍频90o90o0ofL1fL2考虑下限频率时的附加相移0ofH考虑上限频率时的附加相移-90o例子1：试分析如下电路的频率特性RC=10-3（分析步骤）例题2解:(1)写出电路的传递函数返回(2)根据传递函数画出其频率特性波特图0-3-20-40-20dB/10倍频0o-45o-90o-45o/10倍频幅频特性波特图：相频特性波特图：高频段上限截止频率(4)全频段总电压放大倍数全频段总电