标准解读

《GB/T 14144-1993 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法》是一项由中国发布的国家标准，旨在规定硅晶体材料中间隙氧含量沿半径方向变化的测定方法。该标准适用于单晶硅材料，特别是用于半导体器件制造的高纯度硅晶片，因为间隙氧含量直接影响到硅片的电性能和可靠性。

标准内容概览

  1. 范围：明确了本标准适用的硅晶体类型及测量目的，即测定硅晶体内部沿径向分布的间隙氧浓度。

  2. 术语和定义：对“间隙氧”、“径向变化”等关键术语进行了明确界定，以便统一理解和操作。

  3. 原理：介绍了测量的基本原理，通常涉及利用红外光谱、质谱或其他分析技术来检测硅晶体内不同位置的间隙氧含量。间隙氧是指不占据正常晶格位置的氧原子，它们可能影响材料的电学性质。

  4. 仪器与设备：详细列出了进行该测量所需的仪器设备规格和性能要求，包括高精度切割工具、氧含量检测仪器等，确保测量结果的准确性和可重复性。

  5. 样品制备：规范了从硅晶体中取样以进行径向变化测量的具体步骤，包括样品的切割、清洁、处理等，以避免外部污染或损伤影响测试结果。

  6. 测量步骤：详细描述了测量过程，包括如何在样品的不同径向位置取点、如何进行氧含量的精确测量以及数据记录的要求。

  7. 计算与表达：提供了计算间隙氧含量及其径向分布的方法，以及如何正确表达和报告测量结果，确保数据的标准化和可比性。

  8. 精密度与准确度：阐述了测量过程中可能的误差来源，并给出了评估测量精密度和准确度的方法，帮助用户理解结果的可靠性。

  9. 试验报告：规定了试验报告应包含的信息内容，如样品信息、测试条件、测量结果及必要的数据分析等，便于结果的交流和追溯。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 14144-2009
  • 1993-02-06 颁布
  • 1993-10-01 实施
©正版授权
GB/T 14144-1993硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法_第1页
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文档简介

UDC669.782H26中华人民共和国国家标准GB/T14144-93硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法Testmethodfordeterminationofradialinterstitialloxygenvariationinsilicon1993-02-06发布1993-10-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准硅晶体中间隙氧含量径向变化GB/T14144-93测量方：法Testmethodfordeterminationofradialinterstitialoxygenvariationinsilicon1主题内容与适用范围本标准规定了硅晶体中间踪氧含量径向变化的测量方法。本标准适用于室温电阻率大于0.12·cm的硅品体中间隙氧含城径向变化的测量。测量范围为3.5×10"alt·cm-3至间隙氧在硅中的最大固溶度。2引用标准GB1557硅品体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T14143300～900pm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法3方法提要根据待测硅品体的生长工艺特点，在四种测量点选取方案中选择一种适用的方案。在规定的测量位置，按（B1557或GB/T14143规定的方法测定硅中间隙氧含量，并将其值代入计算公式，求出间隙氧含量径向百分变化。4测量仪器4.1红外光谱仪。仪器分辩率小于5℃m1。4.2样品架。具备按选点方案要求作测量位置调整的功能，其光栏孔径为5～8mm。“.3厚度测量仪。精度优于21m。4.4标准平面平品。4.578K低温测量装置5试样要求5.1试样厚度约为2mm或0.3~0.9mm。3当间隙氧含量低于1×10at·cm-3时可选用厚度约为5mm或10mm的硅片。5.2试样经双面机械抛光或化学抛光（仅适用于单品)，表面呈镜面,，无桔皮状皱纹和凹坑。厚度为0.3~0.9mm的试样表面皮符合GB/T14143中5.1-5.2条的规定。5.3试样在测量光栏孔径范围内，平整度应不大于2.2Pm。5.4作差别法测量的试样，其测量位置的厚度与参比样品的厚度差小于0.5%5.5仲裁测量的试样需经双面机械抛光。

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