标准解读
《GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范》相比于其前版《GB/T 12560-1990》,主要在以下几个方面进行了调整和更新:
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适用范围扩展:1999版标准可能对分立半导体器件的种类或应用领域进行了拓宽,纳入了更多新型或高性能的器件类型,以适应技术进步和市场需求的变化。
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性能参数修订:针对半导体分立器件的关键性能指标,如最大工作电压、最大电流、频率特性、温度特性等,1999版标准可能根据技术发展情况对其测试方法、允许偏差范围或要求等级进行了修订,以更准确地反映当前技术水平和保证器件的可靠性。
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测试方法优化:为了提高测试的准确性和可重复性,新版本可能引入了新的测试设备、技术和程序,或者对原有测试方法进行了细化和改进,确保测试结果的一致性和科学性。
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质量与可靠性要求提升:随着半导体行业对产品质量和长期可靠性的重视增强,1999版标准可能提高了对器件的失效率、寿命、环境适应性等方面的要求,增加了相关检验项目或标准,以满足更高标准的应用需求。
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安全与环保规定:考虑到环境保护和用户安全,新版本标准可能加入了关于限制有害物质使用、提高电磁兼容性、以及器件废弃处理等方面的规定,符合国际上日益严格的环保和安全法规趋势。
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标准结构与表述:为便于理解和执行,1999版标准在文档结构、条款编排、术语定义及表述清晰度上也可能有所改进,使其更加条理化和易于国际接轨。
这些变动旨在跟进行业技术进步,提高产品质量标准,促进半导体分立器件领域的健康发展。
如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
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- 现行
- 正在执行有效
- 1999-08-02 颁布
- 2000-03-01 实施
文档简介
中华人民共和国国家标准GB/T12560—1999idtIEC747-11:1985QC750100半导体器件分立器件分规范SemiconductordevicesSectionalspecificationfordiscretedevices1999-08-02发布2000-03-01实施国家质量技术监督局发布
GB/T12560-1999前言IEC前言1范围总则2.1引用标准2.2,温度的推荐值(优选值)2.3电压和电流的推荐值(优选值)2.4引出端识别2.5型号的色标2.6与制造过程有关的定义3质量评定程序3.1初始制造阶段3.2结构相似器件3.3结构相似性程序3.4鉴定批准的检验要求3.5质量一致性检验3.6D组检验·3.7选?……·3.8油样要求4试验和测试方法
GB/T12560-1999前本规范是根据国际电工委员会IEC747-11《半导体器件分立器件分规范》第一版(1985)及其两份修订单(1991年11月第一次修订,1996年5月第二次修订)对GB/T12560—1990进行修订的。本规范等同采用该国际标准。本规范与前版的主要差别是在标准文本前面增加了目次,以便查阅;增加了前言与IEC前言。2增加了2.6"与制造过程有关的定义",给出了“生产线"和“生产批”的定义。增加了3.3“结构相似性程序",规定了结构相似性的原则、应用条件、一般规则和对应各项试验的判别规则。标准中的条款号以及表的编号作了相应的修改。4增加了3.4.1“小批量程序",规定了批量小于200只器件的检验批的抽样要求和授子鉴定批准时应满足的附加要求5对表3中B5分组和表4中C5分组试验内容作了修改,对不同封装的器件应经受的试验项目与条件分别做了规定、6对表4中C7分组“稳态湿热”试验作了修改,对不同封装的器件分别做了规定"7对第4章中引用的IEC标准和国家标准的试验和测试方法按最新版本的IEC标准和国家标准作了修改和补充,并补充了IEC747-4(1991年第一版,1993年第一次修订)半导体器件分立器件和集成电路第四部分:微波二极管和晶体管》中列出的部分微波二极管电参数的试验和测试方法以及相应的国家标准中的试验和测试方法。这些方法在IEC747-11中尚未列入,本规范对这些方法的引用代号未做编排本规范与IEC747-11的主要差别是:本规范2.6.1注中的“晶片加工”,IEC747-11为“扩散”本规范引用的国家标准及其对应的国际标准如下:IC标准8半导体器件分立器件和集成电路第1部分:总则GB/T17573-1998TEC747-1:1993半导体器件分立器件和集成电路总规范GB/T4589.1-1989TEC747-10:1984GB/T4937-1995半导体器件机械和气候试验方法TEC749:1984本规范引用的国际标准:IECQQC001002《程序规则》本规范自实施之日起,代替GB/T12560一1990《半导体器件分分立器件分规范》本规范由中华人民共和国信息产业部提出。本规范由全国半导体分立器件标准化技术委员会归口,本规范由南京电子器件研究所负责起草。本规范主要起草人:黄玉英、金镇铃、赵英本规范首次发布时间:1990年12月6日。
GB/T12560-1999IEC的言1)IEC(国际电工委员会)在技术问题上的正式决议或协议是由对这些间题特别关切的国家委员会参加的技术委员会制定的,对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。2)这些决议或协议,以推荐标准的形式供国际上使用.并在此意义上为各国家委员会所认可。3)为了促进国际间的统一,IEC希望各国家委员会,在本国条件许可的情况下,采用IC标准的文本作为其国家标准。IEC标准与相应国家标准之间的差异,应尽可能地在国家标准中指出。本标准由国际电工委员会第47技术委员会(半导体器件)制定。本标准是半导体分立器件(不包括光电子器件)分规范,属于IEC电子元器件质量评定体系范睦本标准文本以下列文件为依据:6个月法表决报告47(C0)89547(C0938表决批准本标准的详细资料可在上表所列的表决报告中套阀本标准封面上的QC号为国际电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)的规范号
中华人民共和国国家标准半导体器件分立器件分规范GB/T12560-1999idtIEC747-11:1985750100Semiconductordevices代替GB/T12560—1990Sectionalspecificationfordiscretedevices围本规范适用于除光电子器件之外的半导体分立器件,2总则本规范应与有关的总规范一同使用。本规范给出了有关评定半导体器件所需的质量评定程序、检验要求、筛选序列、抽样要求、试验和测试方法的细节。2.1引用标准GB/T4589.1—1989半导体器件分立器件和集成电路总规范2.2温度的推荐值(优选值)见GB/T17573第W篇,第5章2.3电压和电流的推荐值(优选值)见GB/T17573第M篇,第6章2.4引出端识别2.4.1二极管用下述方法之一清晰地表示二极管的极性1)整流二极管图形符号,箭头指向阴极端。2)按下述色标:-A20外形(IEC191-2《半导体器件的机械标准化第2部分尺寸》,GB/T7581《半导体分立器件外形尺寸》中的D2-04A)和更小外形的二极管;用一条明显的色带或一色点在这些二极管的阴极端进行标志。但当用色带识别型号时,可采用将第一条色带宽度加倍的方法来识别阴极端。如果二极管的管壳比A1B(IEC191-2,GB/T7581的D2-03B)还小,其阴极端色标有可能与型号标志混滑时,则后者应予省略。-比A20外形更大的二极管:阴极端应使用红色。2.4.2品体管应在详细规范中规定引出端的识别2.4.3闸流晶体管(
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