常用电子元器件符号

249常用电子元器件参考资料第一节局部电气图形符号图形符号

一．电阻器、电容器、电感器和变压器名称与说明 图形符号 名称与说明电感器、线圈、绕组或扼电阻器一般符号 流图。注：符号中半圆数不得少于3个可变电阻器或可调电阻器滑动触点电位器

带磁芯、铁芯的电感器带磁芯连续可调的电感器极性电容

双绕组变压器注：可增加绕组数目可变电容器或可调电容器

绕组间有屏蔽的双绕组变压器注：可增加绕组数目双联同调可变电容器。

在一个绕组上有抽头的变压器微调电容器二．半导体管图形符号图形符号名称与说明图形符号(1)二极管的符号(2)发光二极管名称与说明JFET结型场效应管N沟道P沟道PNP型晶体三极管光电二极管稳压二极管NPN型晶体三极管全波桥式整流器变容二极管三．其它电气图形符号图形符号图形符号名称与说明具有两个电极注：电极数目可增加cry图形符号名称与说明或接机壳或底板熔断器导线的连接指示灯及信号灯导线的不连接扬声器动合(常开)触点开关蜂鸣器动断(常闭)触点开关接大地手动开关其次节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器电阻器和电位器的型号命名方法第一局部：主称其次局部：材料符符第三局部：特征分类第一局部：主称其次局部：材料符符第三局部：特征分类意义第四局部：序号符对主称、材料一样，仅性能指标、尺寸大小有差异，但根本不影响互换使用的产品，赐予同一序号；假设性能指标、尺寸大小时，则在序号后面用大写字母作为区分代号。号 意义 号 意义 号 电阻器 电位器R电阻器T碳膜1一般一般W电位器H合成膜2一般一般S有机实芯3超高频――N无机实芯4高阻――J金属膜5高温――Y氧化膜6――――C沉积膜7周密周密I玻璃釉膜8高压特别函数P硼碳膜9特别特别U硅碳膜G高功率――X线绕T可调――M压敏W――微调G光敏D――多圈R热敏B温度补偿用――C温度测量用――P旁热式――W稳压式――Z正温度系数――例如：周密金属膜电阻器R J 7 3多圈线绕电位器W X D 3

第四局部：序号第三局部：类别〔周密〕其次局部：材料〔金属膜〕第一局部：主称〔电阻器〕第四局部：序号第三局部：类别〔多圈〕其次局部：材料〔线绕〕第一局部：主称〔电位器〕电阻器的主要技术指标额定功率为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时肯定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功2所示。名称额定功率〔W〕表名称额定功率〔W〕实芯电阻器0.250.5125－0.51261015线绕电阻器253550751001500.0250.050.1250.250.51薄膜电阻器25102550100标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。依据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12E6系列也适用于电位器和电容器。标称值系列精度电阻器标称值系列精度电阻器、电位器、电容器标称值P〕1.01.11.21.31.51.61.82.0E245%2.22.42.73.03.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.11.01.21.51.82.22.7E1210%3.33.94.75.66.88.2－－E620%1.01.52.23.34.76.88.2－10nn为正整数或负整数。允许误差等级表4 电阻的精度等级允许误差(%) 0.001EXYHUEXYHUWB0.20.51251020CDFGJ〔I〕K〔II〕M〔III〕

0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1电阻器的标志内容及方法文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数51R51.5，2K7表2.7k，表５文字符号文字符号R表示单位 欧姆()K M G T千欧姆(103) 兆欧姆(106) 千兆欧姆(109) 兆兆欧姆(1012)例如：

RJ71－0.125－5k1－II

允许误差10%标称阻值(5.1k)额定功率1/8W型号1/8W5.1k，允许误差为10%。色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色〔色环或色点〕标注在它的外外表上。色标电阻〔色环电阻〕器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义12所示。标称值第一位有效数字标称值其次位有效数字颜色第一位有效值其次位有效值倍率允许偏差颜色第一位有效值其次位有效值倍率允许偏差100101102103104105106107108109101102―20%~+50%5%10%20%黑00棕11红22橙33黄44绿55蓝66紫77灰88白金银无色99图1 两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值〔2010102＝1.0k20%的电阻器。四色环电阻器的色环表示标称值〔二位有效数字〕及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15103＝15k5%的电阻器。五色环电阻器的色环表示标称值〔三位有效数字〕及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表275104＝2.75M1%的电阻器。标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的〔1.5~2〕倍。有些色环电阻器由于厂家生产不标准，无法用上面的特征推断，这时只能借助万用表推断。标称值第一位有效数字标称值其次位有效数字标称值第三位有效数字倍率允许偏差100倍率允许偏差1001021031041051061071081091011021%2%0.5%0.250.1%颜色第一位有效值其次位有效值第三位有效值黑000棕111红222橙333黄444绿555蓝666紫777灰888白999金银图2 三位有效数字阻值的色环表示法电位器的主要技术指标额定功率率不等于中心抽头与固定端的功率。标称阻值标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。允许误差等级20%10%5%2%1%的误差。周密电位器的精度可达0.1%。阻值变化规律指阻值随滑动片触点旋转角度〔或滑动行程〕之间的变化关系，这种变化关系可以是任何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式〔指数式。在使用中，直线式电位器适合于作分压器；反转对数式〔指数式〕电位器适合于作收音机、录音机、电唱机、电视机中的音量掌握器。修理时假设找不到同类品，可用直线式代替，但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调掌握等。电位器的一般标志方法WT－2 3.3k 10%允许误差10%3.3k额定功率2W碳膜电位器WX－1 510 J

允许误差5%510额定功率1W线绕电位器二．电容器电容器型号命名法称符号 意义其次局部：称符号 意义其次局部：材料符意义符第三局部：特征、分类意义第四局部：序号电容器对主称、材料一样，仅尺寸、性能指标略有不同，但根本不影响互使用的产品，赐予同一序号；假设尺寸性能指标的差异明显；影响互换使用时，则在序号后面用大写字母作为区别代号。号号瓷介云母玻璃电解其他C瓷介1圆片非密封－箔式非密封Y云母2管形非密封－箔式非密封I玻璃釉3迭片密封－烧结粉固体密封O玻璃膜4独石密封－烧结粉固体密封Z纸介5穿心－－－穿心J金属化纸6支柱－－－－B聚苯乙烯7－－－无极性－L涤纶8高压高压－－高压Q漆膜9－－－特别特别S聚碳酸脂J金属膜H复合介质W微调D铝A钽N铌G合金T钛E其他例如：铝电解电容器C D 1 1圆片形瓷介电容器C C 1－1纸介金属膜电容器C Z J X电容器的主要技术指标

第四局部：序号第三局部：特征分类〔箔式〕其次局部：材料〔铝〕第一局部：主称〔电容器〕第四局部：序号第三局部：特征分类〔圆片〕其次局部：材料〔瓷介质〕第一局部：主称〔电容器〕第四局部：序号第三局部：特征分类〔金属膜〕其次局部：材料〔纸介〕第一局部：主称〔电容器〕电容器的耐压：常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V，10V，16V，25V，40V，63V，100V，160V，250V，400V。电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表7所示。7+20%+50%+100%容许误差 2%5%10%20%-30%-20%-10%级别 0.2IIIIIIIVVVI标称电容量：表8 固定式电容器标称容量系列和容许误差系列代号系列代号容许误差标称容量对应值E245%〔I〕或〔J〕10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,90E12E610%〔II〕或〔K〕20%〔III〕〔m〕10,12,15,18,22,27,33,39,47,56,68,8210,15,22,23,47,6810nnpF。电容器的标志方法直标法容量单位：F〔法拉、F〔微法、nF〔纳法、pF〔皮法或微微法。1法拉=106微法=1012微微法，1微法=103纳法=106微微法1纳法=103微微法例如：4n7 表示4.7nF或4700pF，0.22 表示0.22F，51 表示51pF。1的两位以上的数字表示单位为pF101100pF；用小于1的数字表示单位为F0.10.1F。数码表示法一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字，1i910-223J代表2103pF＝22023pF＝0.22F，允许误差为5%479K4710-1pF，允许误差为5%的电容。这种表示方法最为常见。色码表示法这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF。有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22023pF。三．电感器电感器的分类偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。电感器的主要技术指标电感量:在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比其比例常数称为自感系数，用L表示，简称为电感。即：LI式中：＝磁通量 I＝电流强度固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感器的固有电容。品质因数：电感线圈的品质因数定义为：QLR式中：－工作角频率，L－线圈电感量，R－线圈的总损耗电阻额定电流：线圈中允许通过的最大电流。线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻。2．电感器电感量的标志方法直标法。单位H〔亨利、mH〔毫亨、H〔微亨、数码表示法。方法与电容器的表示方法一样。色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相像，色码一般有四种颜色，前两种颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为H，第四种颜色是误差位。四．半导体分立器件半导体分立器件的命名方法我国半导体分立器件的命名法第一局部其次局部第三局部表第一局部其次局部第三局部第四局部第五局部用数字表示器用汉语拼音字母表示器用汉语拼音字母用数字件电极的数目件的材料和极性表示器件的类型表示器件符 意义符 意义符意义 符意义序号号号号号代号2 二极管A N型，锗材料P一般管 D低频大功率管B P型，锗材料V微波管〔f＜3MHz,C N型，硅材料W稳压管P1W)CD P型，硅材料C参量管 A高频大功率管Z整流管〔f3MHz3 三极管A PNP型，锗材料L整流堆P1W〕CB NPN型，锗材料S隧道管 T半导体闸流管C PNP型，硅材料N阻尼管)D NPN型，硅材料U光电器件 Y体效应器件E 化合物材料K开关管 B雪崩管X低频小功率管 J阶跃恢复管〔f＜3MHz,CS场效应器件P<1W〕CBT半导体特别器件G 高频小功率管FH复合管〔f3MHzPINPIN型管P<1W〕CJG激光器件例：锗材料PNP型低频大功率三极管： 2)硅材料NPN型高频小功率三极管：3 A D 50 C规格号3DG201B规格号序号序号低频大功率PNP型、锗材料三极管低频大功率PNP型、锗材料三极管3)N型硅材料稳压二极管： 4)单结晶体管：2 C W 51 B T 3 3 E序号 规格号稳压管 耗散功率N型、硅材料 三个电极二极管 特种管半导体国际电子联合会半导体器件命名法表10 国际电子联合会半导体器件型号命名法第一局部用的材料

其次局部

第三局部

第四局部型号者分档符号 意义 符号符号 意义 符号意义检波、开关和符号M意义封闭磁路中的符号意义符号意义A 锗材料 ABP三通用半导体器件低频小功率三 位 的登记序C 极管 Q 发光器件 数 号〔同一 同一硅材料 低频大功率三 字 类型器件 A 型号器极管 R 小功率可控硅 使用同一 B 件按某隧道二极管 S 小功率开关管 登记号〕 C 一参数砷化镓 高频小功率三 一 D 进行分F 极管 T 大功率可控硅 个 专用半 E 档的标复合器件 字 导体器件 志D 锑化铟 G 及其它器件 U 大功率开关管 母 的登记序H 磁敏二极管 X 倍增二极管 加 开放磁路中的 两 复合材 K 霍尔元件 Y 整流二极管 位 使用同一R 料 高频大功率三 稳压二极管即 数 登记号〕L 极管 Z 齐纳二极管 字例如〔命名：A F 239 SAF239型某一参数的S档一般用登记序号高频小功率三极管锗材料国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：这种命名法被欧洲很多国家承受。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，DR的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。第一个字母表示材料AB表示硅管，但不表示极性NPN型或PNP型。率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。假设记住了这些字母的意义，不查手册也可以推断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。第三局部表示登记挨次号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，AC184为PNPAC185则为NPN型。第四局部字母表示同一型号的某一参数〔如h 或N〕进展分档。FE F型号中的符号均不反映器件的极性〔指NPN或PN量。(3)美国半导体器件型号命名法3)其次个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功命名法，即美国电子工业协会〔EIA〕规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表11所示。第一局部其次局部用数字表示第一局部其次局部用数字表示PN结的数目第三局部(EIA)注册标志第四局部登记挨次号第五局部器件分档J军用品23三极管三个PN结器件n个PN结器件N无非军用品nABCD别符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义JAN1二极管多该器件在位美国电子工数业协会登记登记字的挨次号例：1)JAN2N2904 2)1N4001JAN 2 N 29041N4001EIA登记序号EIA登记序号EIA注册标志三极管EIA注册标志二极管军用品美国晶体管型号命名法的特点：型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。组成型号的第一局部是前缀，第五局部是后缀，中间的三局部为型号的根本局部。1N、2N3N开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。第四局部数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如，2N3464为硅NPN2N3465为N沟道场效应管。不同厂家生产的性能根本全都的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差特别用后缀字母表示。因此，型号一样的器件可以通用。登记序号数大的通常是近期产品。日本半导体器件型号命名法日本半导体分立器件〔包括晶体管〕或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日本工业标准〔JIS〕规定的命名法〔JIS－C－702〕命名的。日本半导体分立器件的型号，由五至七局部组成。通常只用到前五局部。前五局部符号及意义如表12所示。第六、七局部的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六局部的符号表示特别的用途及特性，其常用的符号有：M－松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上防卫队参谋部有关标准登记的产品。N－松下公司用来表示该器件符合日本播送协会〔NHK〕有关标准的登记产品。Z－松下公司用来表示专用通信用的牢靠性高的器件。H－日立公司用来表示专为通信用的牢靠性高的器件。K－日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的牢靠性高的器件。T－日立公司用来表示收发报机用的推举产品。G－东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。S－三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。R，G，012四位以上的数字3始，表示在近期产品BCDEF012四位以上的数字3始，表示在近期产品BCDEF表示对原n-1管及其组合管S本电子工业协会(EIAJ)注册BCDPNP型低频管NPN型高频管NPN型低频管二极管分立器件FP掌握极可控硅第一局部其次局部第三局部第四局部第五局部用数字表示类型S表示日本电子工用字母表示器件用数字表示在日用字母表示或有效电极数的极性及类型本电子工业协会对原来型号注册产品登记的挨次号的改进产品符符符符符号意义号意义号意义号意义号意义光电(即光敏)表示已在日APNP型高频管从11开A用字母GN掌握极可控硅两个以上PNHN基极单结晶体管结的其他晶JP沟道场效应管体管KN沟道场效应管具有四个有M双向可控硅效电极或具PN结的晶体管具有n个有效电极或具有n-1PN结的晶体管例如：1〕2SC502A〔日本收音机中常用的中频放大管〕2 S C 502 A2SC502型的改进产品日本电子工业协会登记挨次号NPN型高频三极管日本电子工业协会注册产品三极管〔两个PN结〕2〕2SA495〔日本夏普公司GF－9494收录机用小功率管〕2 S A 495日本电子工业协会登记挨次号PNP高频管日本电子工业协会注册产品三极管〔两个PN结〕日本半导体器件型号命名法有如下特点：型号中的第一局部是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。其次局部均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。第三局部表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三极管。但是，第三局部既不表示材料，也不表示功率的大小。第四局部只表示在日本工业协会〔EIAJ〕注册登记的挨次号，并不反映器件的性能，挨次号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW2SC2681100W。但是，登记挨次号能反映产品时间的先后。登记挨次号的数字越大，越是近期产品。第六、七两局部的符号和意义各公司不完全一样。日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常承受简化标记的方法，即把2S省略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A简化为C502A。在低频管〔2SB2SD型〕中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征频f100MHz，所以，它们也可当高频管用。T日本通常把P

1W的管子，称做大功率管。cm常用半导体二极管的主要参数f(MHz)1H50f(MHz)1H50二极管2AP11251010f(MHz)4H0锗开关二极管200150150参最大正向压反向最高反反向反向恢复类数整流降(在左击穿向工作电流时间/ns型型电流/mA栏电流电压电压/V/A容号/mA值下)/V/V/pF一般2AP92.54020检波2AP7165115010025012AP171510110025012AK130102AK21501402032AK52000.9604022AK1010170502AK13604022AK142500.77050硅2CK70A~E10 3开2CK71A~E200.8A30A201.54关二极管2CK72A~E2CK73A~E2CK74A~D2CK75A~D30501001501B45C60D75E90B30C40E60152CK76A~D200参最大正向压反向最高反反向反向恢复时类数整流降(在左击穿向工作电流间/ns型型电流/mA栏电流电压电压/V/A容号/mA值下)/V/V/pF整整流二极管2CZ52B H2CZ53B M2CZ54B M2CZ55B M2CZ56B B1N4001 40071N539120.1160.31100.5120112560050100050100050100025同2AP管6530.83011.1 53991000501000501000505501.51.4101N5400 540820031.2101000常用整流桥的主要参数QL460.310QL460.31050，100，200，400，130参数型号不重复正向浪涌电流/A整流电流/A正向电压降/V反向漏电/A/V最高工作结温/oCQL110.05QL220.125，QL5100.5 1.2500，600，700，800，QL6201900，1000QL7402QL8603 15常用稳压二极管的主要参数2CW534~5.84112CW534~5.841150-6~40.251110.2测试条件工作电流为稳定电环境温度稳定电稳定电流下环境温度参稳定电流压下<50oC流下＜10oC型 数稳定电压稳定电最大稳定反向漏电动态电电压温度系最大耗散号/V流/mA电流/mA流阻/数/10-4/oC功率/W2CW512.5~3.571560-92CW523.2~4.555270-82CW545.5~6.510 3830-3~52CW56 7~8.8 27 1572CW578.5~9.8260.52082CW5910~11.8203092CW6011.5~12.55194092CW1034~5.850165120-6~42CW11011.5~12.520760.52092CW11316~1910520.540112CW1A530240202CW6C15307082CW7C6.0~6.51030100.05常用半导体三极管的主要参数(1)3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管原型号型号3AX31P (mW)极原型号型号3AX31P (mW)极限参数直流参数CMCBOFE3AX51A100100753012125001240~150500－3AX51B100100753012125001240~15050083AX51C100100753018123001230~100500－3AX51D100100753024123001225~70500－T＝25oCI (mA)aT (oC)CMBV (V)jMI＝1mABV (V)CI (A)CEOI＝1mACV ＝-10VI (A)CBOCBI (A)CEOV ＝-6VCEEBOhV ＝-6VEBV ＝-1V I＝50mA交流参数f(kHz)CECV ＝-6VN(dB)CBI＝1mAEV ＝-2V I＝0.5mA f＝1kHzh(k)FCBEV ＝-6V I＝1mAh(ie10)CBEf＝1kHzh(s)reoehfehFE色标分档(红)25~60；(绿)50~100；(蓝)90~150B管脚EC0.6~4.50.6~4.50.6~4.50.6~4.52.22.22.22.280808080－－－－〔2〕3AX81型PNP型锗低频小功率三极管表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数型号型号极限参数I (mA)T (oC)CMBV (V)jMCBOBV (V)CEOV (V)EBOA)3AX81A20020075-20-10-7301000300.60.6540~27063AX81B20020075-30-15-1015700150.60.6540~2708测试条件PCM(mW)I＝4mACI＝4mABV (V)CI＝4mAI (A)EBOE直流参数I (A)CBOV ＝-6VCBV ＝-6VI (CEOCEV ＝-6VEBBESV ＝-1V I＝175mAV (V)CECCESV ＝VhCE BEVCB＝0I＝200mACFEV ＝-1V I＝175mACE沟通参数f(kHz)色标分档CV ＝-6VCBI＝10mAEhFE(黄)40~55绿)55~80蓝)80~120紫)120~180灰)180~270白)270~400B管脚EC〔3〕3BX31型NPN型锗低频小功率三极管型号极限参数I (mA)CMCBOI (CEO3BX31M 3BX31A型号极限参数I (mA)CMCBOI (CEO3BX31M 3BX31A125 125125 12575 75-15 -20-6 -12-6 -1025 201000 80025 200.6 0.60.65 0.6580~400 40~1803BX31B12512575-30-18-1012600120.60.6540~1803BX31C12512575-40-24-10640060.60.6540~180测试条件P(mW)T=25oCaT (oC)CMBV (V)jMI＝1mABV (V)CCEOI＝2mABV (V)CI (A)EBO I＝1mAE直流参数I (A)CBOV ＝6VCBV ＝6VCEV ＝6VV (V)EBOA)EBBESV ＝6V I＝100mAV (V)CECCESV ＝VV ＝0 I＝125mAhCE BECBCFEV ＝1V I＝100mACEChFE色标分档(黄)40~55(绿)55~80(蓝)80~120(紫)120~180(灰)180~270(白)270~400B管脚EC沟通f(kHz)－－8f465V ＝-6V I＝10mACB E参数3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管表19 3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原 型原 型 型号号3DG6P (mW)极限参数I (mA)CMBV)BV)BV)CMCBO3DG100A10020(V 303DG100B 3DG100C100 10020 2040 303DG100D1002040测试条件I＝100µACCEO(V 20302030I＝100µACEBO(V 4444I＝100AEI (A)直流参数I (A)CBOI (A)0.010.10.011130150740.010.10.011130150740.010.10.011130300740.010.10.01113030074VCB＝10VCEOV ＝10VCEV ＝1.5VV (V)EBOEBBESV (V)I＝10mACESCII＝1mA＝10mABI＝1mAhCBFEV ＝10V I＝3mAf(MHz)CEC交流参数K(dB)TV＝10VI＝3mAf＝100MHzR＝5CBELPC(pF)V＝-6V I＝3mA f＝100MHzCBobV ＝CBE10V I＝0EhFE色标分档(红)30~60 (绿)50~110管脚(蓝)90~160BE(白)>150C3DG130(3DG12)NPN型硅高频小功率三极管3DG12P极限参数I (mA)CM(mW)BV (VCMCBO3DG12P极限参数I (mA)CM(mW)BV (VCMCBO3DG130A700300403DG130B700300603DG130C700300403DG130D70030060测试条件I＝100µA)CBVCEO(V30453045I＝100µA)CBVEBO(V4444I＝100A)EI (A)直流参数I (A)CBOI (A)CEO0.510.510.6301506100.5 0.51 10.5 0.51 10.6 0.630 30150 3006 610 10(红)30~60 (绿)50~1100.510.510.630300610(蓝)90~160BVCB＝10VV ＝10VCEV (V)EBOV ＝1.5VEBBESV (V)I＝100mA I＝10mACESCI＝100mA ＝BI10mAhCBFEV ＝10VCEI＝50mAC交流参数f(MHz)TV＝10VI＝50mAf＝100MHzR＝CBE5LK(dB)PV＝10V I50mA ＝100MHzCBEC(pF)obVCB＝10VI＝0Eh 色标分档FE(白)>150管脚EC原型号型号(5)9011~9018塑封硅三极管CMCM参数BV (V)BV (V)CBOCMCM参数BV (V)BV (V)CBOBV (V)CEOI (A)EBO直流参数I (A)CBOI (A)CEOV (V)EBO0.010.10.010.5V (V)CESBESh0.510.50.51300,510,50.5130交流参数f(MHz)FETC(pF)ob301003.50.050.50.050.5130802.50.050.50.050.51308040.050.50.050.51305001.6K(dB)P0.050.50.050.35130600410hFE色标分档(红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)>150管脚EBC(3DG)(3CX)(3DX)(3DG)(3CG)(3DG)(3DG)型号9011901290139014901590169018极P (mW)200300300300300200200限I (mA)20300300100100252020202025252530181818202020205554444常用场效应管主要参数N沟道结型MOSN沟道结型MOSN沟道耗尽型mGS参数名称3DJ2D~H3DJ4D~H3DJ6D~H3DJ7D~H3D01D~H3D02D~H3D04D~H饱和漏源电流I (mA)DSS0.3~100.3~100.3~100.35~1.80.35~100.35~250.35~10.5夹断电压V (V)GS<1~9<1~9<1~9<1~91~91~91~9g(V)>2023>2023>1000>3000100040002023最大漏源电压BV (V)DS>20>20>20>20>20>12~20>20最大耗散功率P (mW)DNI10010010010010025~100100栅源绝缘电阻r ()108108108108108108~101009GD管脚SD或SG五．模拟集成电路模拟集成电路命名方法〔国产〕第0局部 第一局部 其次局部第0局部 第一局部 其次局部用字母表示器件 用字母表示器件的类型 数符合国家标准 件第三局部第四局部符号意义符号意义的系列和品种代号符号意义符号意义C中国制造TTTLC0~70oCW陶瓷扁平HHTLE-40~85oCB塑料扁平EECLR-55~85oCF全封闭扁平CCMOSM-55~125oCD陶瓷直插F线性放大器P塑料直插D音响、电视电路J黑陶瓷直插W稳压器K金属菱形J接口电路T金属圆形例：CF741CT金属圆形封装0o~70oC器件代号线性放大器中国国家标准国外局部公司及产品代号表24 国外局部公司及产品代号公司名称代号公司名称代号(BCA)CA美国悉克尼特公司(SIC)NE美国国家半导体公司(NSC)LM日本电气工业公司(NEC)PC(MOTA)MC日本日立公司(HIT)RA(PSC)A日本东芝公司(TOS)TA(TII)TL日本三洋公司(SANYO)LA，LB美国模拟器件公司(ANA)AD日本松下公司AN(INL)IC日本三菱公司M局部模拟集成电路引脚排列(1)运算放大器，如图3所示： (2)音频功率放大器，如下图：抑 抑正输调 电自制 制输电出零 源举纹空纹入空8 7 6 5141312 1110 9 8源端端 端端波脚8 7 6 5141312 1110 9 8LM741LA410012 341