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文档简介

随机读 器 一、SRAM的基 单 （以六管电路为例 ○

3.2随机读写 电 （I/O）接Y地址译码线3.2随机读 表示“1”B点高电平(A点低电平)表示“0”。中()是以译码线的正驱动脉冲到来

3.2随机读 地 译 驱

阵 控制电 控制信

3.2随机读 元 210210字线210210

字线m-

00

11

22

位线n-3.2随机读 【练习

3.2随机读 3.2随机读 器

••••••••••••┇┇┇

3.2随机读 00…0 单3.2随机读 地 译 驱

阵 控制电 控制信

3.2随机读 & 字选线&&&& && &

A0

A1

3.2随机读 1K4位RAM0【方案一】

3.2随机读 3.2随机读 现将例中1K4RAM106条A0‾A5）用在横向，41K4RAM A1

3.2随机读写1K4RAM址A2址

A3A4A5器

I/OD3I/OD2I/OD1I/O ○

3.2随机读写 电 （I/O）接Y地址译码线3.2随机读 地 译 驱

阵 控制电 控制信

随机读 用于控 控制信号一般表示为RW或3.2随机读 地 译 驱

阵 控制电 控制信

3.2随机读 ··地器地器

X 驱动译 动器码 器器

1矩 结构框(4K×16

•• Y••

6

••

读 片3.2随机读 课后可作3-2：（看 3.2随机读

3.2随机读 现有2114即1K×4位的SRAM 3.2随机读 把1K4扩成1K16，需用3.2随机读 1K×4扩展成1K×16R/W R/WDDD………

………………3.2随机读 字扩展：1K字—8K字，用上面位扩展得1K×16位单元共8K/1K=8个，即总共用2114

译码

8×4=32片。见下图……

R/W1#CS···

R/W4#

3.2随机读 系统设从计算机系统的角度，提出对器要求，如容量、字长、周期、总

3.2随机读 前例2114RAM的扩展属于以上三个阶

3.2随机读 之间的时序关系。图中省略了R/W信号地 数

3.2随机读 P.7913.9（a

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