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文档简介

【仿真实验3】MOS管特征曲线仿真分析MOS管特征曲线仿真分析熟悉使用CADENCE进行IC电路设计与仿真分析的流程12熟练掌握MOS管元件参数的设置方法和绘制电路原理图3熟悉使用ADE环境进行spectre仿真分析的操作流程4熟练掌握DC分析的步骤与参数分析方法的设置实验目的：5掌握MOS管漏极电流方程和仿真其特性曲线并可分析验证MOS管特征曲线仿真分析这一次实验，我们来学习MOS管的很重要的参数图：特征曲线。即当MOS管栅源电压VGS不同时，漏极电流ID随着漏源电压VDS的变化曲线。我们以NMOS管特征曲线为例来分析。通过课程学习，我们知道当MOS管中的导电沟道出现夹断时，MOS管就工作在饱和区。即当VDSVGS-VTHN并且VGSVTHN时，有这个公式：

这个公式表示，随着VGS的增大而增大，MOS漏极电流也随之增大。这种关系称为沟道长度调制。称为沟道长度调制系数，长沟道MOS管的典型值为0.01。

练习&作业：MOS管特征曲线仿真分析在以自己的名字为库名的目录下建一个cell，名为PMOS_ID_VSD，PMOS管L：1um，W：10um。电路图如下：提示：启动ADE，使用Spectre仿真，变量VSG初始设置为1V，直流分析VSD从0到5V，每隔0.001V扫描一次，仿真分析。在ADE窗口，点Tools后再点ParametricAnalysis。在弹出的窗口里，VariableName写入VSG，RangeTypeFrom写入0，To写入5，TotalSteps写入6，之后点Analysis，再点Start，开始运行仿真PMOS管的特性曲线（输出ID随输入VSD的变化

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