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文档简介
CMOS硅晶圆（Silicon单晶生柱状晶体：直径75~300mm，长度1m在晶体生长时参切割成硅晶
1015/0.5~0.7mm厚，厚度由物理强度~在硅表面形成二氧化硅（SiO2）用氧化物在硅表面生长生长方干法（薄氧100~1000湿法（厚氧生长的温度：700~1100两种扩散机在高温下进参杂的精确在低温下进需要退火处~用氮化氧化金不同的技术蒸溅化学刻蚀~去除 选择性和各向两种基本的刻蚀~基本单掩模：和版图数据相对应，使光刻胶部分区 光刻。正胶 在紫外光下的区域将会去除负胶— 在紫外光下的区域将会去除形成图形的材料：如二氧化方式：接触式、接近式、投影式（扫描和步进光源：UV步骤涂胶→预烘 （光刻版）→显影→坚膜→刻蚀→去胶N阱CMOS阈值电压“自对准”LDD轻参杂N阱CMOSP
PPnN阱CMOSN型场注PnPnPnN阱CMOSnP
nPN阱CMOSPPn
nS/DFFnPnN阱CMOS
nS/DLDDFnPnLDD扩LDD扩Pn形成n沟道LDD晶体管和p沟道LDD晶体N阱CMOS
nPnCVD氧CVD氧PnN阱CMOSPolysideSilicide减小电阻率：TiSi2、WSi2、N阱CMOSN阱CMOSnnPWWLN 最小宽度最小间距最小间距最小包围最小延展 限制和栅极相连的大每一个电阻层的矩形RLRR L
，W=20um，L=2R=(20/2)×10=100N扩散电阻P+扩散电阻N阱夹断多晶-扩散多晶
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