IRF540中文数据手册要点

QUICKREFERENCEDATAVQUICKREFERENCEDATAVDS£=100VlD=23A^ds；on：百7了ml】IRF540N沟道MOS管特性‘Thrench'工艺低的导通内阻快速开关低热敏电阻综述使用沟渠工艺封装的N通道增强型场效应功率晶体管应用:DC到DC转换器开关电源电视及电脑显示器电源IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。IRF540S中提供的是SOT404(DPAK)表面安装的包裹。管脚管脚描述1Gate2Drain3SourceTabDrainSOT404(DJPAK)tab极限值系统绝对最大值依照限制值符号参数条件最小值最大值单位V_DSS漏源极电压Tj=25?Cto175?C-100VVDGR漏门极电压Tj=25?Cto175?C;-100V

V_GS门源极电压RGS=20k?-士20Vl_D连续漏电流-23ATmb=25?C;VGS=10V-16AI_DM脉冲漏电流Tmb=100?C;VGS=10V-92AP_D总功耗Tmb=25?C-100WTj,Tsig操作点和Tmb=25?C-55175C存储温度雪崩能量极限值符号参数条件最小值最大值单位Eas非重复性雪Unclampedinductiveload,IAS=10A;-230mJ崩能量tp=350s;Tjpriortoavalanche=25?C;1最大非重复VDDW25V;RGS=50?;VGS=10V;-23A1AS性雪崩电流refertofig:14热敏电阻符号参数条件最小值典型值最大值单位D:安装底座交界--1.5K/WRhj_mb处的热阻周围环境热阻SOT78封装，自由空间-60-K/WChj-aSOT404封装，PCB上-50-K/W电特性25C除非另有说明符号参数条件最小值典型值最大值单位V(BR)DSS漏源极崩溃电压Vgs=0V;ID=0.25mA100--VTj:=-55?C89--VVGS(TO)门阀电压VDS=Vss;ID=1mA234VTj=175?C1--VTj:=-55?C--6VRDS(ON)漏源极导通电阻Vgs=10V;ID=17A-4977mQTj=175?C132193mQ

gfs向前跨导Vds=25V;Id=17A8.715.5-S1GSS门源极泄漏电流Vgs=±20V；Vds=0V-10100nA1DSS0门极电压漏电流VDS=100V;VGS=0V-0.0510uAVDS=80V;VGS=0V;Tj=175?C--250uAQg(tot)总共门极电荷ID=17A--65nCQgs门源极电荷VDD=80V;--10nCQgd门漏极电荷VGS=10V--29nCTdon开启延迟时间Vdd=50V;Rd=2.2?；-8-nsTr开启上沿时间Vdd=10V;Rg=5.6?-39-nsTdoff关闭延迟时间Resistiveload-26-nsTf关闭卜沿时间-24-nsLd内部漏电感Measuredtabtocentreofdie-3.5-nHLd内部漏电感Measuredfromdrainleadtocentre-4.5-nHofdie(SOT78packageonly)Ls内部源极电感Measuredfromsourceleadtosource-7.5-nHbondpadCiSS输入电容Vgs=0V;Vds=25V;f=1MHz-8901187pFCoSS输出电容-139167pFCrSS反馈电容-83109pF反向二极管极限值及特性符号参数条件最小值典型值最大值单位

1S连续源极电流IF=28A;--23A1SM脉冲源极电流Vgs=0V--92AVds二极管正向电压-0.941.5Vtrr反向恢复之间If=17A;Vgs=OV；-61-nsQrr反向恢复命令-d|F/dt=100A/us;Vr=25V-200-nC图图2:自然持续漏电流NormalisedPowerDerating,PD(%)Fig.1.Normalisedpowerdissipation.卩。％才00尸疔碍£“（丁韵底座温度-自然功率降低百分比图1：自然功率损耗NormalisedCurrentDerating,ID(%)Fig.2.Normalisedcontinuousdraincurrent.ID%=1001^2^0=f(Tmb);conditions:VGS>10V底座温度-漏电流降低百分比图图4:瞬态热阻抗Fig.3.Safeoperatingarea.Tmb=25CC怙&価二H%）；Ssinglepube;p^enieter匚漏源极电压-脉冲漏极电流峰值图3:安全操作区域Fig.4.Transientthermalimpedance,巳怡阿t>=说）；parameterD=t/T脉宽-瞬态热阻抗图图6:典型导通阻抗Drain-SourceVoltagerVDS(V)Fig.5.Typicaloutputcharacteristics,7}=25C二f(V°s)漏源极电压-漏极电流图5:典型输出特性Drain-SourceOnResistance,RDS(on)(Ohms)Fig.6.Typicalon-stateresistance,T}=25CC.^DS(ON)=f(lD)漏极电流-漏源极导通阻抗图图10:门阀电压I I Inrxe■inv厂ILJAI ■//n厂175C_J/Tj=r-'J////*P jF■十Draincurrent,ID(A)0064208642086420322222111110 1 23456789 10Gate-sourcevoltage,VGS(V)Fig*7.Typicaltransfercharacteristics.

Id=f(VGS)图7:典型传递特性Fig8Typicaltransconductance,7｝二25C

9fS=f(lo)图&典型跨导

NormalisedOn-stateResistanceNormalisedOn-stateResistance-60 -40 -20 0 20 40 60 80 10Q120140160160Junctiontemperature^Tj(C)Normaliseddrain-sourceon-stateresistance.^DS(On/f^DS(ON)25C=f(Tj)图9:漏源极导通阻抗ThresholdVoltage,VGS(TO)(V)JunctionTemperature,Tj(C)Fig.10.Gatethresholdvoltage.仏ThresholdVoltage,VGS(TO)(V)JunctionTemperature,Tj(C)Fig.10.Gatethresholdvoltage.仏g=f(T)；conditions:b二1mA;J二gs3030图图14:最大允许非重复性雪崩电流 （IAS）和雪崩的时间图图12:典型电容值Fig.11.Sub-thresholddraincurrentlD=conditions:T产Fig.11.Sub-thresholddraincurrentlD=conditions:T产25=C;VDS=J1000Q100010010A II八屮 ILII II八W(M 1 10 100Drain-SourceVoltage,VDS(V)Capacitances,Cis$fCoss,Crss(pF)CrssFig.72Typicalcapacitances,CISSiCoss,C*

C=f(VDS):conditions:VGS=0V;f=1MHz

vciS-0V~7vciS-0V~7:/f//.丿/n/r/ij=C/・J厂厂J-4tdr1) 23262422Source-DrainDiodeCurrentIF(A)08642086420CM.11-0 0.10.20.30.40.50,60,70.S0.9 1 1.11.21,31,41.5Source-DrainVoltage,VSOS(V)Fig.73.Typicalreversediodecurrent,