51屏蔽设计理论及技术

,-./,-01345,-./,-01345678,-9:;<678,-7=./678,9:>?./678,-:@A./45678,-945678,-9?^`fg<—hijdkgk\pqjdrgrgstuw[\Ca€[\BBCD??06IE615873ETS300342ET300342?y=?9?IE615873P?=?ETS300342?iETS300342-3YDN0651?E618yBBCDS304??=4HzB,9.B,9.CD3?:EFGHEFGH7,9EOEES?EFGHEFGH7,9ia?E?EIGH7=,9100B5-490807060504030020040060080010001200?Q?56??(MHz)EIGH7=,9100B5-490807060504030020040060080010001200?Q?56??(MHz)C5-4D5-2E1-1345678,-9:45678,-9:€???:~∼?,-9:JK,-9:JKE1H1SE=20logSE=20log1010E2H2·2,H2),-",-"?;<=.OPFJK8TUV6WMN8XYZ.,-",-",123λπλπB45%45%6789:;<=?4545@789A:;<>4545,-"@789CDEFGHI+(/@789DEJKDZWEE+λr<6789CDE>,-"@789CDEFGHI+(/@789DEJKDZWEE+λr<6789CDE>377ΩZWEFGHI=120π2πr+(/6789DEJUDE+ZWHλλr<@789T6789CDEZWHFG0LMNOPCDEFGQ"%RS+—10k10k3k3k1k1k30030010010030301010123-3-4-1-2-5-7VWCDEFGQX%RS—10k10k3k3k1k1k30030010010030301010123-3-4-1-2-5-7VWCDEFGQX%RS—n]^op3W=W +W@^]^oEH^]^o—n]^op3W=W +W@^]^oEH^]^o⋅E=112ED= ε2WE2p31⋅ ==12W2HHfgh`iCDET]%jlP+r<λ2π WE>>WHWE=WHWE<<WHWE=WH磁场磁场电场电场电偶极子磁偶极子结论：近场时，电偶极子电场大于磁场磁偶极子磁场大于电场磁场磁场电场电场电偶极子磁偶极子结论：近场时，电偶极子电场大于磁场磁偶极子磁场大于电场—r<r>λλ—r<r>λλ/0cqr)*suivwxy+—@y—@yuz{|@}>~|@€??0???|@????>~?\??@?@?∇⋅=ρE???{?+?@vw??@?@??ε0=0×}%js??v?+s⋅=0s—?—??^(??—Z(=V????['??@?—Z(=V????['??@?i?'????YZDE?????r????@??????J?@?????O?X?X?T????[???[????J1jωCjZsV=Vsg1+jωCj(Zg+Zs)—??—????1sjωC'ZjωC''Z j j ⋅ j s VV ='2sg1+jωC'(Z +Z) 1+jωC''(Z+Z)jgjjs!"#$&()*+,-/01'(=???kQ?????@????+——???3∇⋅B=0∂D∇×B=J+6?p?J??p)J???O???)?6?(/∂t6???vw~+??%j??s6???Q?????6????+—0LJ6vw?L"??6?L+VφBm(A) (B)?6Y6vw~QvwV?}N=+VmABVmAB+=φm+φ0J6vw~6DJVW6Dφ=—0LJ6vw?L"??6?L+VφBm(A) (B)?6Y6vw~QvwV?}N=+VmABVmAB+=φm+φ0J6vw~6DJVW6Dφ=RRmR0?}λRm(1/H)=µs—(/)—6?\()λ—6?()6>T——!"$&'.1@'—YttnntrXHttEtrtrHJstEtn—YttnntrXHttEtrtrHJstEtnErrnHtHrEiiiinHiiZ——''''*+,-../0#$%1234s5676789:;<=>?@ABCDE!FGH$%/05IKrtrtEHEHMN3FO2PQRSTTEUVFtrtrHEtt ttE H(+!—YZ[\ln—YZ[\ln"%&!Yttn"%&!ttEnttEttHtt2HttXiiEiin1!#$.2Js Js21————!"#$%&'*()01*+(),-('()./2345——%'--0–SEinSE=−20log10(∑10)20i=1&39;!8%=>?,-GI#$J#$KLOPKLMN>?@(';<=;QISGHIRV+WXI,-GI#$J#$KLOPKLMN>?@(';<=;QISGHIRV+WXI——LQ?k~ ~ ~ *%*(;55@8RDE8Fo n|€45?\]□ CDFGH5JKL□ CDNHI5JKL□ CDOPQRST5JKLZKL"\KL5J]^_`abcKklmnpqr--xyz{|'#--?yz|}'#??G?^1x?G????G??G?^1x?G????G^2!"$%?!"$%?G???&Bx??&/_&$% kD lD mnopg$hd$% k$%$%???:>?4545`789:789:*;<78=dem;<78=deml"G%~d????71fc=15×109HzW??$?GHgPQ?(??g4??>?SE=20logfc+27.3LfW;<78=5SE;<78=5SE=SE−20log10N???r??)???????????V??u?????u???/d?()W(mm)fc(GHz)13.1847.17320070.122.462.5530074.25>?;<>?;<?;<7;<78=8JJ钢制波导通风窗—性能（mm）2.43.18屏蔽效能200kHz（磁场）9080100MHz（电场）115110500MHz（电场）1151101GHz钢制波导通风窗—性能（mm）2.43.18屏蔽效能200kHz（磁场）9080100MHz（电场）115110500MHz（电场）1151101GHz（平面波）11210510GHz（平面波）110100@?;<@?;<;<7?;<78=????/铝制波导通风窗—性能表面涂覆类型导电氧化镀镍镀镍磷合金屏蔽效能(dB)200kHz(磁场)456570100MHz(磁场)708590500MHz(电场)7085901GHz(平面波)6574铝制波导通风窗—性能表面涂覆类型导电氧化镀镍镀镍磷合金屏蔽效能(dB)200kHz(磁场)456570100MHz(磁场)708590500MHz(电场)7085901GHz(平面波)65748310GHz(平面波）506871工作温度（oC）-75~+150ABCD78=ABCD78=????????????N??;???0???+?????ABCDEFABCDEF789:8789:8GHI9:?l????G789:I.!"#$B012%&'()*+,,-5@66B>78;=30~50C789:I.!"#$B012%&'()*+,,-5@66B>78;=30~50C0A.>5>E;=150k~18G60~100?ABC.GHE0KLM14k~40G80~120(?AB.>.>58?;10k~18G90~120789:8GHI12III=789:8GHI12III=789:8GHI2.789:8GHI2.1.m/saBPa<JKL??<JKL??x????\?}x????&????/<JK<JKKs<JK<JKKs???NntEiEtni?HiHt1?/?????/<JKMNOP <JKMNOP <JKQR<JKQR=K(2腐蚀电池模型电化学腐蚀原理•将铜片和锌片稀硫酸溶液中，并用一根导线将其连接，就组成了一个最简单的原电池．锌片原电池的阳极，铜片形成阴极．e+-2HZnCu2SO4H 2Zn2锌腐蚀电位低（－７６０mv）失电子发生氧化反应氢离子腐蚀电位高（０mv）得到电子发生还原反应ZnZn22腐蚀电池模型电化学腐蚀原理•将铜片和锌片稀硫酸溶液中，并用一根导线将其连接，就组成了一个最简单的原电池．锌片原电池的阳极，铜片形成阴极．e+-2HZnCu2SO4H 2Zn2锌腐蚀电位低（－７６０mv）失电子发生氧化反应氢离子腐蚀电位高（０mv）得到电子发生还原反应ZnZn22e2H2eH2输到阴极当没有导线在金属之间连接，而直接使两种金属接原电池,其原理和上例相同触时，也2H2eH2HSO当没有导线在金属之间连接，而直接使两种金属接原电池,其原理和上例相同触时，也2H2eH2HSO2HSO2H22 44Zn2ZnZn22e铜阳极(电位-760mv)锌阴极(电位-244mv)腐蚀较严重部位从上述过程可以看出金属腐蚀基本条件:1从上述过程可以看出金属腐蚀基本条件:1有一对不同腐蚀电位的金属2金属相互接触3存在电解液金属腐蚀基本过程:1阳极过程:电位较负的金属进行阳极溶解,以离子形式进入溶液.2电子通过导体由阳极进入阴极3阴极过程:能接受电子的氧化剂在阴极得到电子进行还原过程导电衬垫的电化学腐蚀•对于导电衬垫,在不同的环境下,导电衬垫的电化学腐蚀•对于导电衬垫,在不同的环境下,其腐蚀机理不相同.在湿热和盐雾环境下,主要是发生氧气和衬垫材料的氧化还原反应.在酸性环境下主要是发生酸与衬垫材料的氧化还原反应•对于Ag/Al填充的导电衬垫在酸性,湿热和盐雾环境主要是发生电偶腐蚀和缝隙腐蚀导电衬垫的电化学腐蚀导电衬垫电磁密封结构电化学腐蚀部位螺栓Ag/Al填充导电衬垫机箱盖板沟槽机箱壁板导电衬垫的电化学腐蚀导电衬垫电磁密封结构电化学腐蚀部位螺栓Ag/Al填充导电衬垫机箱盖板沟槽机箱壁板导电衬垫的电化学腐蚀对于导电衬垫和箱体•为了保持环境和电磁密封,导电衬垫和箱体紧密接触.且对于箱体其材料为钢,导电衬垫的电化学腐蚀对于导电衬垫和箱体•为了保持环境和电磁密封,导电衬垫和箱体紧密接触.且对于箱体其材料为钢,其腐蚀电位为-250mv,对于Ag/Al导电衬垫,其腐蚀电位为-730mv,两种材料之间存在电位差.••在空气中,空气中存在氧气,导电衬垫和箱体水,以及其他化学物质,可以形成电解液.可以看出,这种结构满足电化学腐蚀模型,对于本例,主要是电偶腐蚀和缝隙腐蚀.<JKQR!!"#<JKQR!!"#$,/2$6)77)8$11:-7$"#$=1B($@%^t?x??m???x-./x0<JKRJKRJKQRmaxminminmax<JKRJKRJKQRmaxminminmaxminmax}*+&/1==G<JKQR<JKQR :;?<=3?? 5645'789><JKQR<JKQRM设计安装导电橡胶的槽——机械方面的考虑为了生产失效的槽中的衬料系统，设计者必须考虑三个导致密封失效的机械方面的：衬料变形过大(超变形)和连带的损坏；失密封；料。1.2.3.形状实体O-形10%18%25%实体D-形8%15%20%设计安装导电橡胶的槽——机械方面的考虑为了生产失效的槽中的衬料系统，设计者必须考虑三个导致密封失效的机械方面的：衬料变形过大(超变形)和连带的损坏；失密封；料。1.2.3.形状实体O-形10%18%25%实体D-形8%15%20%矩形5%10%15%O-形中空D-形10%空心部分50%空心部分100%设计安装导电橡胶的槽——计算流程图左示框图表示了的流程。说明：在计算标Y是否超出最大变形极限N的为初始的标称O形的变形为10%~25%，标18%，则标Y是否不到最小变形极限N称槽深GrDnom0.82算例nom根据填充极限，计算沟槽的标称宽度计算最小变形设计安装导电橡胶的槽——计算流程图左示框图表示了的流程。说明：在计算标Y是否超出最大变形极限N的为初始的标称O形的变形为10%~25%，标18%，则标Y是否不到最小变形极限N称槽深GrDnom0.82算例nom根据填充极限，计算沟槽的标称宽度计算最小变形计算最大变形计算标称槽深(并确定公差)(并确定公差)<JKS<JKS]iNiGHBk89PQSPUV#3$4$7(!")*+,-?@ABC:45~6565~9010~1530~80-40~70I!@H:FG50~7590~12025~4510~30-55~160:7:FG55~6590~1255~1225~50-75~250:I!VRSIT:!!Y./055~80100~1253~515~30-55~165WXI[55~80100~1253~520~80-55~225H99_`_`50~7550~8515~2530~45-55~165:!C7950~8055~1005~830~55-55~165#3$4$7(!")*+,-?@ABC:45~6565~9010~1530~80-40~70I!@H:FG50~7590~12025~4510~30-55~160:7:FG55~6590~1255~1225~50-75~250:I!VRSIT:!!Y./055~80100~1253~515~30-55~165WXI[55~80100~1253~520~80-55~225H99_`_`50~7550~8515~2530~45-55~165:!C7950~8055~1005~830~55-55~165AHI50~7050~8012~2025~60-34~125I!opqH:48~8585~1203~525~50-62~165rs:!opqH:52~9085~1053~530~60-62~165—k—k"&479B97E=~675678~97—k—k—k/ss%'#*+,-.-/-012(#*+,—k/ss%'#*+,-.-/-012(#*+,-/-//:,D"--/-"--N(G,C,...$--VR>UD$WRRXUD(_`,"--"--ab"W,D"--"--——k@AB?9CD?:<EFGH??—k—k—k—k!#$!#——k—k—k!"$%25$(")'''*2+,5)679:;<"='>='>=#'>$TUVWTUVWTUVW?TUVWTUVWTUVW?lTvwstDU???Vh5J???WXhYZ?hT`ma???hx{Kc*j/TUVWTUVWTUVWTUVWTUVWTUVW?b.)*??bcD/0???:34?q???b??m\`abc.)*]^_`abcD/0de$34C5fghijkLm<FGKtL7uvwx+)-37*<=C+JORVTUVWTUVWTUV—????#$.1TUV—????#$.1 2(*-.2122.1∼∼B'CD*E—1HHHIKMMHHHSTUXHSTUU—$/ A\_00BTUV—??zKSOW-800KSOW-900KSOM-1000KSOM-1100KSOM-1200100H()^22351522100MH(d)^62802334500M[)^60752334(dB))^1GHz()587023351TUV—??zKSOW-800KSOW-900KSOM-1000KSOM-1100KSOM-1200100H()^22351522100MH(d)^62802334500M[)^60752334(dB))^1GHz()587023351(a32622233fa7060716972ccccc36W25~3025~3025~3025~3025~30aVDC^-55b-55bb36363636_`^_`55 12^_`^_`-55-55-55V\55125551255512555125P-[:H15g(11ms):QM501-15020OP-(1/2)MN:L3H+DEFG*TUVWwTUVWwmλ&/]TUVWTUVW?D€1&0?;aTUVW?TUVW?D/x??~V??t0j??;X;VW??l?X;VW??l??;??<="???,??????j,23Y?stD????x??N|}?x???|}/XY?L?XY?L??P?H???9?CH?`c6fijkm6fijX?Q#?0610dB(GHz-17~-25-30~-45-30~-40-30-17~-256~406~1510~154~403~15mm2500500500500-500-50~+70-50~+70-50~+70-50~+7050~+70500500500500500UL8903mm45100303020X?Q#?0610dB(GHz-17~-25-30~-45-30~-40-30-17~-256~406~1510~154~403~15mm2500500500500-500-50~+70-50~+70-50~+70-50~+7050~+70500500500500500UL8903mm45100303020KSAR P06KSP14KSAR P10KSAR P12-dB()17~2517~2510~2810~2810~2810~4014~405.7~6.39.5~10.511.4~12.6mm500305305305500-54~+163-54~+163mm-50~+70-50~+70-54~+1635003053053052500URL89039132.21.41.7电磁的主要问题电磁要求壳体具有良好的导电连续型，对壳体上的开孔开缝有着严格的限制。孔缝泄漏原理对于产生谐振的机箱，上面的孔缝将产生比未出现谐振更大的孔缝泄漏。电磁的主要问题电磁要求壳体具有良好的导电连续型，对壳体上的开孔开缝有着严格的限制。孔缝泄漏原理对于产生谐振的机箱，上面的孔缝将产生比未出现谐振更大的孔缝泄漏。吸波材料的损耗机理根据麦克斯韦电磁场理论，材料与电磁场的作用可以相对复介电系数和相对复磁导率。吸波材料的损耗机理根据麦克斯韦电磁场理论，材料与电磁场的作用可以相对复介电系数和相对复磁导率。jj吸波材料的损耗介质可分为电损耗型和磁损耗型两大类吸波材料抑制电磁干扰长方体腔可以看成一个两端封闭的波导，当腔体谐振时，腔内产生半波长整数倍的驻波，腔内的电磁波必是矩形波导中传输的那些模式演变而来，与矩形波导相对应，谐振腔内存在着TE型振荡模式和TM型振荡模式。吸波材料抑制电磁干扰长方体腔可以看成一个两端封闭的波导，当腔体谐振时，腔内产生半波长整数倍的驻波，腔内的电磁波必是矩形波导中传输的那些模式演变而来，与矩形波导相对应，谐振腔内存在着TE型振荡模式和TM型振荡模式。吸波材料在不同位置对谐振的抑制效果建模腔体为边长为a的正方体，分别在5个位置上吸波材料。吸波材料在不同位置对谐振的抑制效果建模腔体为边长为a的正方体，分别在5个位置上吸波材料。(,)(,2 22吸波材料在不同位置对谐振的抑制效果贴在z=0的壁上贴在z=0的壁上电场电场磁场磁场两探针的耦合系数（电损耗型吸波材料在不同位置对谐振的抑制效果贴在z=0的壁上贴在z=0的壁上电场电场磁场磁场两探针的耦合系数（电损耗型吸波材料）两探针的耦合系数（磁损耗型吸波材料）电损耗型吸波材料在电场最强的地方对谐振的抑制效果最好磁损耗型吸波材料在磁场最强的地方对谐振的抑制效果最好如果只是为了消除谐振，可以选择反射损耗较大的吸波材料较小反射系数的吸波材料，在面积较大的情况下，对非谐振频段上电磁干扰也有较好的抑制效果不同吸波材料对谐振的抑制效果反射系数－5.5dB反射系数－9dB反射系数－11dB反射系数－22dB反射系数－37dB反射系数－15dB磁损耗型吸波材料，贴装于一侧腔壁磁场最强处如果只是为了消除谐振，可以选择反射损耗较大的吸波材料较小反射系数的吸波材料，在面积较大的情况下，对非谐振频段上电磁干扰也有较好的抑制效果不同吸波材料对谐振的抑制效果反射系数－5.5dB反射系数－9dB反射系数－11dB反射系数－22dB反射系数－37dB反射系数－15dB磁损耗型吸波材料，贴装于一侧腔壁磁场最强处吸波材料对开缝腔体谐振的抑制实际应用中的箱体上会有很多孔洞，如为满足热设计要求而开的通风孔，为操作设置的各种按钮安装孔，为观察等需要开的显示口，各种电缆连接孔，还有体不同部分组合时形成的缝隙等等，这就破坏了箱体的完整性，外界的电磁场很容易耦合到腔体内部形成干扰，尤其产生谐振时，情况就会变得更为严重！！！一般认为，机箱在低频时的效能主要取决效能主要取决于于制造体的材料，在高频时的机箱上孔洞和缝隙。吸波材料对开缝腔体谐振的抑制实际应用中的箱体上会有很多孔洞，如为满足热设计要求而开的通风孔，为操作设置的各种按钮安装孔，为观察等需要开的显示口，各种电缆连接孔，还有体不同部分组合时形成的缝隙等等，这就破坏了箱体的完整性，外界的电磁场很容易耦合到腔体内部形成干扰，尤其产生谐振时，情况就会变得更为严重！！！一般认为，机箱在低频时的效能主要取决效能主要取决于于制造体的材料，在高频时的机箱上孔洞和缝隙。吸波材料对开缝腔体谐振的抑制为了定量分析吸波材料对开缝腔体谐振的抑制效果，建立腔体模型，建如下模型：Length:10cmwidth:1cm吸波材料选取磁损耗吸波材料进行磁损耗：吸波材料对开缝腔体谐振的抑制为了定量分析吸波材料对开缝腔体谐振的抑制效果，建立腔体模型，建如下模型：Length:10cmwidth:1cm吸波材料选取磁损耗吸波材料进行磁损耗：1 tane0 d=1mm tanm0.2吸波材料对开缝腔体谐振的抑制090180270360腔体在TE101模谐振时xoz面内的场强分布吸波材料对开缝腔体谐振的抑制090180270360腔体在TE101模谐振时xoz面内的场强分布吸波材料对开缝腔体谐振的抑制腔体两侧不加吸波材料和加磁损耗吸波材料时腔体中心点处的屏效：TE101TE103TE1021400（MHz）70011000吸波材料对开缝腔体谐振的抑制腔体两侧不加吸波材料和加磁损耗吸波材料时腔体中心点处的屏效：TE101TE103TE1021400（MHz）70011000Z[\0]^_SZ[\0]^_S`???cK??????z&/'???????+4?23Y????/?????23Y?6Z[\0]^_S`,(<CFG2=11 GZ[\0]^_S`,(<CFG2=11 G1 G1 σ−ν(σy)x+σ==γτ+ xy∂y∂σ+ y+ xz∂z∂τ+ yz+F =0 xExyxyzbx1== y−ν(σ+σz) γτ+F =0yzyzEby∂z1∂τzx∂τ+ zy−ν(σy+σx)=σzεzγτE xy??zs??s4?t?zxzx+F =0??s??4?????K0"?uZ[\0]^_S`=R∂θ2(+)+µ∇u+F=Z[\0]^_S`=R∂θ2(+)+µ∇u+F=0λµbx∂x∂θ(+)+µ∇ν+F=0λµby∂y∂θ2(λ+µ+µ∇ω+Fbz=0∂zDZ?YKtAgorVW?23Ym??E??????m??*?1Yms4Y?/Z[\0]^_S`>?STUAZ[\0]^_S`>?STUA??#34/mD?j#$?3?D?VWWZ[\0]^_Z[\0]^_S`?x4x????Z[\0]^_S`εSEs4?12Z[\0]^_S`εSEs4?12*+12?*+εPY?412?12Z[\0]^_S`Z[\0]^_S`)??s4Y?)??12?????45=?/%&s4????/Z[\0]^_S`???12?Z[\0]^_S`???12?????s4Y???5J????12Y???s4Y???120.20.30?Y??D'=??1?????45=?/%&su?MPa?=?/a\01?????}a\01?????}??!?????}??!为尽量减效屏蔽层间的孔缝泄漏，如下图所示需在屏蔽层间加吸波材料。吸波材料采用PY1-100型材料（厚为100mm），其反射损耗如下表所示。为尽量减效屏蔽层间的孔缝泄漏，如下图所示需在屏蔽层间加吸波材料。吸波材料采用PY1-100型材料（厚为100mm），其反射损耗如下表所示。吸波材料的反射损耗加吸波材料的结构示意图!"?!"???O>?.P"?G?HPQ?G?HPQA?55~6550~601~21~2> 5~255~2512~2412~24)*+,-750.10.5!"-585-5854~6( 30-40µm)4~6( 30-40µm)(ZgEI"GJB151A314?!??"RS2RS"%gijeGJB151A314?!??"RS2RS"%gije_Y1TUVWBO,"!"#$%&'(&/7878,935IE<%pqO)*MNOPQ<%pqO)*MNOPQ8.×6m3M%ldklmGHzno电子设备结构特点模型图：微带线缝隙顶部模块图PCB整体图●结构非对称性●内部结构复杂PCB小凸台印制板件众多●中间模块图底部模块图●工作频率较高●典型的电大问题接插件孔电子设备结构特点模型图：微带线缝隙顶部模块图PCB整体图●结构非对称性●内部结构复杂PCB小凸台印制板件众多●中间模块图底部模块图●工作频率较高●典型的电大问题接插件孔&56JZ]Qlo=sqrl?€Lnno=vwqr&56JZ]Qlo=sqrl?€Lnno=vwqrlx?€?`a€?`a2CADMNL??3CAD1oyz{no+|}?,noy~€na#SC23&&56aEQAnsys/MultiphysicsFlowmerics/FLOWEMCEADS/EMC2000Integratedsoft/IESAnsys/FecoAnsoft/HFSS各种电磁分析软件的特点Multiphysics该软件基于CAE环境，采用协同化设计方法，提供结构动静力分析、热分析和高低频电磁场分析，其建模软件支持对CAD几何模型的本征文件进行无缝直接的传递标准。其主要的优点为：和修补，可同时支持多种几何模型多种场及多种场耦合分析：可进行多种场的协同设计具有宏、参数设计语言、用户可编程特性三个层次的用户开发功能直接的CAD几何模型各种电磁分析软件的特点Multiphysics该软件基于CAE环境，采用协同化设计方法，提供结构动静力分析、热分析和高低频电磁场分析，其建模软件支持对CAD几何模型的本征文件进行无缝直接的传递标准。其主要的优点为：和修补，可同时支持多种几何模型多种场及多种场耦合分析：可进行多种场的协同设计具有宏、参数设计语言、用户可编程特性三个层次的用户开发功能直接的CAD几何模型与修补，同时支持多种几何模型传递标准支持异种、异构平台的网络浮动该软件没有试用版，也未能了解到该软件用户使用情况，因此无法。各种电磁分析软件的特点FLO/EMC该软件采用等效传输线（TLM）算法对设备进行电磁效能、泄漏场分析，可设置印制板及其他干扰源的发射类型等，同时还可提供机箱开孔、接缝等结构参数。从Flomerics公司技术介绍情况看，比较适用于机箱机柜的电磁兼容性分析。但通过我们提供的算例看其计算结果与实际情况有较大偏差，一方各种电磁分析软件的特点FLO/EMC该软件采用等效传输线（TLM）算法对设备进行电磁效能、泄漏场分析，可设置印制板及其他干扰源的发射类型等，同时还可提供机箱开孔、接缝等结构参数。从Flomerics公司技术介绍情况看