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文档简介

快速熔断器的选择及应用的效率等整流变电参数。部现象。快速熔断器的配置快速熔断器在半导体电力整流器保护中的配置一般分2类。变流臂内部并联支路配置保护式当变流臂中某〔1仅标出1对快速一般状况下仅1前1所示。分相配置总体保护式此类型主要用于,2所示。快速熔断器的选用因快〔RS0RS3〔我4个阶段,第一代是全国联合设计的RS0、RS3480A、750V以下,分断力气为50kA,是量〕而言,1.41.2、快速晶体管为1来选配,如ZP10001400A快速熔断器。针对上述其次类配置方案〔2〕,Iv以及变电流,来选择有足够分断力气的快速熔断器,如50kA100kA,其50kA为合格品,100kA为一级品。快速熔断器的应用特性电流通过力气30%~70%。快速熔断器使用时或其一端被半导体强制风冷来把握温升使之保持电流通过力气。整流器中快速熔断器接头处的连接状况直接影响着快速熔断器如无镀层的面产生弹性变形。并联的快速熔断器要求逐个检测接触面的压降。快速熔断器的温升与功耗W=ΔUIw;ΔU=f(Iw)式中:Iw---工作电流;ΔU---快速熔断器的压降。小的快速熔断器有利于降低温升,由于电流通过力气主要受温升限快速熔断器的温升低于80℃时可以长期运行,温升100℃时制造工艺稳定的产品仍能长期运行,温升120℃是电流通过力气的临140℃时,快速熔断器不能长期运行。400~600V效果更佳。1.0~2.0℃。5m/s时一般可25%的通流力气,风速假设再增加将不会有明显的作用。依据制造厂供给的快速熔断器电压降曲线以及额定电流下的功际电流。器的双并与半导体器件串联,如700A×21400A×2、2500A×2。双并的快速熔断器靠螺栓和连板连接,另一类是连板〔端子〕2个熔体〔端子〕800V外表积较大,而熔体产生的热量经由填料、外壳传导散热,故电压高的快速熔断器风冷效果较显著。分断力气的选择快速熔断器的外壳强度在很大程度上确定了对最大故障电流的计算“整流变压器”的快速熔断器。分断力气缺乏的快速熔断器会持续燃弧直至爆炸,严峻时会导致交直流短路,故额定分断力气是一个安全指标。另外,产品制造的分散性也是影响分断力气的因素之一。断器分断时所产生的电弧能量的大小与电路感抗的大小有很大的关cosφ<0.2时对分断力气有特别高的要求。快速熔断器分断时的能量Wo=Wa+Wr+W1Wa---电弧能量;Wr---电阻消耗能量;W1---线路电感释放的能量。在分断力气满足“整流器””〕不能过高,要在快速熔断器制造件将会损坏。故分断时间最短的熔断器不愿定最适用。一般状况下快速熔断器假设用在直流电路中只能用到快速熔断器额定60%,最好选用直流快速熔断器。I2t的选择熔断器的熔断时间t与熔断电流I的大小有关,其规律是与电流3t∞1/I2的关系曲线,称为熔断器的秒-安特性曲线。备的过载特性,使这一特性恰当地处在熔断器秒-安特性的保护范围之内。3可见,熔断电流Io的熔断时间在理论上是无限大的,称断。所以选择熔体的额定电流IeIoIoIe的比值1.5~2.0,称作熔化系数。该系数反映熔断器在过载时的不同保护避开电动机起动时的短时过电流使熔体熔化,溶化系数就应高些。I2t值。只有当快速熔断器的I2tI2t值时,才能对半导体器件起到保护作用。短路故障时I2t值分为两个阶段,I2tI2t电流时间积分可以认为是确定值,由设计来确定。弧前I2t值对于不当熔体金属变I2t即为熔断I2t,它是一个变量。这一过程主要依靠填料被腐蚀而吸取能量。在设计快速熔断器时,为满足半导体器件不断提高的额定电流,1倍时,快速熔断器的I2t4倍,I2tI2t值有较大的难度,只有多方面实行措施,如合理的熔片分布、缩短熔体长度、减小电弧栅和提高灭弧材料的熄弧力气等。I2t值是精选快速熔断器的重要指标之一。绝缘电阻2090年月大量的产品中参与了钾盐、钠盐,钠盐可以提高电弧栅的分断力气。而制造较差的快速熔断器分断后绝缘电阻大多低于这将引起更大的故障。质量好的快速熔断器〔

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