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热载二、定性解释或说明（每2040分1Si电子迁移率μnTN的关2、图给出了 中电子平均漂移速度与电场强度的关系，定性解释这种关三、计算与推导（50分1、单晶硅均匀地掺入两种杂质：掺硼1.5×1016cm-3，掺磷×1015cm-3，试计算室温流子浓度 分室温下能级位置 分室温下电导率（5分（4）600K流子浓度（5分）本征载流子浓度ni(T=300k)=1.5×1010cm-ni(T=600k)=6×1015cm-室温价带顶有效状态密度1×1019cm-3电子迁移率1000cm2/V·s电子俘获系数6.3×10-8cm-空穴俘获系数1.2×10-7cm-电子电1.6×10-定的少子为r r是电子=空穴复合几3、（10分）6个，等能面为旋转椭球面，椭球长轴方向沿<100>，有效质量分别为mt和ml，试证明电子的电导有效质量mc为 1(12 3
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