第四次课件能谱在催化中应用

CoO(3.6%)+MoO3

(12.5%)+其余为γ-Al2O3对催化剂硫化还原，用XPS测Mo的各种状态把硫化还原后的催化剂进行CS2还原反应测活性：CS

4H

CoMoCH

2H

S2

2

4

2CoMo催化状态

面积%硫化还原样eV)品

M+6-O

Mo+4-OMo+4-S(MoS2)MoS3163683

2510475

54112015Eb

(Mo

3d3/2235.9233.8232.3231.1不同硫化还原后的催化剂表面各化学状态含量比例结论：中间态氧化物和硫化物全部有活性，因为成直线关系。125130140145Ni-P/SiO2Ni-P纯PP2P130.0

eV135电子结合能（eV）B

1s正位移B给Ni电子P2p无位移无电子转移180185200205188.2eVNi-B/SiO2Ni-B纯BB1S187.1eV190

195电子结合能(eV)非晶态NiB、NiP合金中的电荷转移S=C=SNi

BeElectron

lone

paireNi

BS-interactionElectron

lone

pairSB酸和L酸测定样品处于-90oC，吸附吡啶后用XPS记录N

1s

峰。有二个，彼此相隔2eV，均属氧化态。Eb高的与B酸有关，Eb低的与L酸有关。B酸意味着表面有质子存在，吡啶中的N接受质子而氧化。这样吡啶分子吸附在B位时带正电。L酸意味着表面存在接受电子对的部位，吡啶中的N有一对自由电子，可与L酸共价或配位。这样吡啶中的N的外层电子总的说远离了些，N也氧化了，但不及B酸位上接受质子而氧化的强烈。测得吸附吡啶后两个N

1s

峰的强度与Si

2p比值Rd1和Rd2脱气温度未作任何处理300400500600L

酸，Rd10.00.020.180.11B

酸，Rd20.330.120.130.020.0说明活化温度低，B酸为主，活化温度高，L酸为主组分间的相互作用高分散Pt/SiO2Pt4f能级出现位移，尤其是价带谱在5~10

eV处出现峰R，反映了界面态的存在。虽然SiO2载体和原子簇相互作用不强，正由于界面态存在，导致内层能级和价带发生变化失活和机理研究e

Pd/Al2O3

两年活性下降，(1)表面C增加一倍，(2)出现As

3d，(3)出现部分还原态的Pd。可能是As的外层电子填入Pd2+的3d未满轨道，形成牢固结合。无法用蒸气冲洗来恢复或在480oC空气中加热恢复（再氧化Pd）·

水对非晶态NiB/SiO2催化剂表面状态的影响用金属组分的峰强同载体组分的峰强之比（强度比）Rd表征金属组份的相对分散度Pt/SiO2:用化学吸附法测H2吸附量(mol/g)后，用公式算分散度分散度测定W

(%Pt)

1.3

H

2吸附量dH由Rd(Pt

4f/Si

2p)得到的分散度公式WXPSd

K

Rd(用吸附法测K=1.63×103)样品Pt

w%H2

吸附量µmol/gXPS分散度Rd(Pt/Si)

化学吸附法

XPS

法11.501400.092100(121)10021.10870.067100(103)9930.38290.022999442.201110.076625450.53230.0195658不同方法得到的分散度数据催化剂表面组成的分析Ag-Pd合金退火前后的AES谱a.退火前；b.700K退火5min.研究表明，表面组成和体相组成不同，这是由于发生表面富集或形成强的吸附键所导致的。用AES或XPS能测量样品表面“富集”情况。体相Pd原子浓度为40%的Ag-Pd合金Ar轰击表面清洁处理后，由于Ag的溅射几率较高，合金表面Pd的相对浓度为57%高温退火后，合金稳定的表面组成为Pd32Ag68，表面为

Ag富集。NiB催化剂深度分析Ni-B合金表面Ni、B、O的表面浓度与氩刻时间的关系体相Ni72B28氧化态B元素态B催化剂表面化学状态的鉴定原子化学环境的变化对XPS和AES中测量的电子能量都有影响，使之偏离标准值产生所谓的化移。根据化学位移的数值，可以给出待测样品的化学状态的信息。下面是Ni80P20合金表面Ni的2P3/2、O的1S以及P的2P

XPS图谱。Ni-P合金的Ni

2p3/2

XPS谱a清洁表面；b

1barO2、403K氧化1小时金属态的镍Ni较高氧化态的镍Ni3+Ni-P合金的O

1s

XPS谱a清洁表面；b

1barO2、403K氧化1小时氧化镍中的氧表面污染的氧P2O5中的氧Ni-P合金中P的2p

XPS谱a清洁表面；b

1barO2、403K氧化1小时P2O5中的磷氧吸附对表面B和Ni的影响氧化态B于处172eV的谱线出现并逐渐变强元素态硼主要在180eV处有一个强峰Ni-B合金表面AES谱1L=1.3×10-4Pa×60s