作业题目-选择判断题_第1页
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1、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子电子。（3、温度升高时，三极管的电流ICEO不变 A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏A、输入电流控制输出电流B、输入电流控制输出电压 A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈A、反向未击穿状态B、反向击穿状态C、正向导通状态D、正向未导通状A、单极性电压控制型器件B、双极性电压控制型器件A、扩散电电容B、扩散电容<势垒电容C、扩散电容=势垒电容D、无法确A、稳定输入电压B、降低输入电阻C、降低输出电阻D、稳定电流放大倍 11A、

1

1B、f 1

C、fo

D、fo A、Uo=0.45 桥1A、fo1

1B、fo1

21C、f21

D、

约为28.28V，这是由于 A、C开 B、C的容量过 C、C的容量偏 D、RL开 B、耦合电容C1决定 D、旁路电容Ce决定19、放大器的Au=10010KFu=0.09和输A、B、C、D、20、测得电路中某NPN型硅三极管各极的直流电位分别为Vc=0.4V，Vb=0.7V，Ve=0V，则该三极管处于 一、判断题：1.√4.√5.×6.√7.×8.√ 10.11.√12.19. 13. 15.√16.×17.√18. 3．D4.A6.Ｄ7.Ａ8.Ａ 10.11

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