电子电路基础习题册参考答案第一章

1、电子电路基础习题册参考答案-第一章第一章 常用半导体器件1-1 晶体二极管一、 填空题1 导体 、 绝缘体 和 半导体三大类，最常用的半导体材料是 硅和 锗。2、根据在纯净的半导体中掺入的 杂质元素不同，可形成 N型半导体和 P型半导体。3、纯净半导体又称 本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等 。N 型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是空穴 P 型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是电子 。4、晶体二极管具有 单向导电性 ，即加正向电压时，二极管 导通 ，加反向电压时，二极管 截止 。一般硅二极管的开启电压约为 0.5 0.1 一般硅二极管的正向压降约为 0.7 锗二极

2、管的正向压降约为0.3 。5.锗二极管开启电压小，通常用于 检波电路 ，硅二极管反向电流小，在 整流电路及电工设备中常使用硅二极管。6.稳压二极管工作于 反向击穿 区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能 好 。1 / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章7 限流 反向击穿电流 超过极限值而发生 热击穿8 点接触 型、 面接触 型和 平型。9 普通二极管稳压二极管开关 、 热敏 、 发光10、二极管的主要参数有 最大整流电流 、 最高反向工作电压 、 反向饱和电流 和 最高工作频率损坏稳压管。面、 整流二极管、和 光电二极管 等二极管。11、稳压二极管的主要参数有 稳定电压 、 稳定电流和

3、动态电阻 。12、图1-1-1 所示电路中，二极管V2均为硅管，当开关S 与 M相接时，A点的电位为无法确定 当开关 S 与 N相接时，A点的电位为 0 V.13 图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S 打开时，A点的电位为 10V、流过电阻的电流是 4mA ；当开关 S 闭合时，A 点的电位为 0，流过电阻的电流为 2mA 。14、图 1-1-3 所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管 V1 的电流为 0.25mA ，流过 V2 的电流为 0.25mA 输出电压 U0 为+5V。2 / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章15、光电二极管的功能是将 光脉冲 信号转换为

4、电 信号，发光二极管的功能是将电 信号转换为 光信号。16、用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于 二极管 挡，将黑表笔插入 com插孔，接二极管的 负极；红表笔插入 V, 插孔，接二极管的 正极，其显示的读数为二极管的 正向压降。一、 判断题1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（ ）2、P 型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（ ）3、晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。（ ）4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（ ）3 / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章5 ）6、将P 型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN结。（ ）

5、7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（ ）8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。（ ）9PN结就会击穿。（ ）10、二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（ ）11 500 R10K ）三、选择题1、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A ）。增大B 减小C. 不变2、测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（ A ）。A .R100 或 R1K10KB. R 1C. R3、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（ B ）。A. P 型半导体B. 本征半导体C、 N 型半导体）实现的。4、稳压管的稳压性能是利用（ B4 / / 电子

6、电路基础习题册参考答案-第一章PN结的单向导电性 B .PN结的反向击穿特性CPN结的正向导通特性5 1-1-4UZ1=7VUZ2=5V它们的正向压降均为0.7V，则输出电压U0为（ C ）A. 12V B. 5.7V C. 7.7VD.7V6、在图1-1-5 所示的电路中，流过二极管的电流I1I2分别是（ D ）。A.I1=8mA , I2=0D. I1=0, I2=8mA7、二极管的正向电阻（B ）反向电阻。大于 B. 小于 C.等于 D.不确定B. I1=2mAC. I1=0, I2=6mA8、电路如图1-1-6 所示，V 为理想二极管，则二极管的状态为（A ）。导通9、上题中，、B两端

7、的电压为（ C ）。A.3V B. -3V C.6V D.-6VB.截止C.击穿10140V为（ C ）。A. 280VB. 140VC. 70VD. 40V11、二极管电路如图1-1-7所示，（）处于导通状态的二极管是（ A ）。5 / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章只有 V1 导通 B只有 V2 导通 CV1、V2 均导通V1、V2均不导通（0.7V U0 B -14.3V B-0.7V C-12VD-15V12P型半导体中多数载流子是（ D ），N型半导体中多数载流子是（ C ）。正离子 B负离子 C自由电子空穴13、用万用表R10和 R1K 挡分别测量二极管的正向电阻，测量结果

8、是（ C ）。相同 BR10 挡的测试值较小 CR1K 挡的测试值较小14、用万用表不同欧姆档测量二极管的正向电阻值时，测得的阻值不相同，其原因是（ c ）。A二极管的质量差B万用表不同欧姆档有不同的内阻C二极管有非线性的伏安特性二、 简答题1、什么是本征半导体？N型半导体？PN结？答：本征半导体即纯净的单晶半导体，其内部存在数量相等的两种载流子，一种是负电的自由电子，另一种是带正电空穴。6 / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章N 型半导体又称电子型半导体其内部自由电子数多于空穴数量，P 型半导体又称空穴型半导体其内部空穴多数载流子自由电子少数载流子。PN结是采用掺杂工艺便硅和锗晶体的一

9、边形成P N型半导体。五分析、计算、作图题1、判断图1-1-8 中，理想二极管导通还是截止，若导通，则流过二极管的电流是多少？解：图a) V 导通，I=5mA图 b) V 截止,I=0图 c) V导通，I=10mA2图1-1-9 ui=10sintV,试画出输出电压波形。7 / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章3、在图1-1-10 所示电路中，二极管为硅管，求A 点电位和流过二极管的电流。8 / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章4、在图 1-1-11 所示电路中，二极管是导通还是截止，输出电压U0是多少？图 1-1-11解：a)V导通，U =11.3V09 / / 电子电路基础习题

10、册参考答案-第一章b)V 导通，I =15-12/3=2mA0U =13=3V U =U -15=-12VRORc)V导通 ， U =0.7VO1-2 晶体三极管一、填空题1、三极管有两个 PN 结，分别为 发射结 、 集电结 ，三个电极分别为 发射极 、基极 和 基极 ，三极管按内部结构不同可分为NPN和 PNP 型。2、晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是 发射结 正偏和 集电结 反偏，电流分配关系是 I =I +I。ECB3、在模拟电子电路中，晶体管通常被用作 电流控制 放大 晶体三极管通常被用作 开关 元件，工作在输出特性曲线上区或 饱和 区或 截止 区。4、在一块正常放大电路板上，

11、测得三极管123 脚对地电压分别为-10V-10.2V-14V PNP 型 锗 材料三极管，1 脚是 发射 极，2脚是 基 极，3 脚是 集电 极。 / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章5、NPN 型三极管，挡 0.5V，U U 时，工作在 饱和UBEBECE状态；当U 0.5V，BEU U 放大 U 0 截止 状BECEBE态。6、当温度升高时，三极管的电流放大系数将 升高 ，穿透电流I 将 增加 ，CEO发射结电压U 将 增大 。BE7 共射电流放大系数 极管的主要极限参数有集电极最大允许电流大允许耗散功率、 集-发反向击穿电压 、 集电极最。8电流比硅管 大 ，所以 硅 三极管的热

12、稳定性好。9、三极管的输出特性可分为三个区域，即 截止 区和 放大区，当三极管工作在饱和 区时，I =I UCE=CBCES；当三极管工作在截止区时，I = O(I ) 。CCEO10、I 称为三极管的 穿透 电流，它反映三极管的 温度稳定CEO性 I 是I 的 1+ I 尽量 小 。CEOCBOCEO / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章11、测量晶体三极管 3AX31 的电流，当 I =20uA 时，I ；BC当 I =60uA 时，I =5.4mA，则该管的为 85 ，I =BCCEO0.3mA ,I = 3.5uA 。CBO12、设三极管的P =150mW, I =100 mA,

13、 U(BR)CEO=30V,若CMCMU =10V,I 允许的最大值为CEC15mA ；若 U =1V, I 允许的最大值为 100mA；若CECI =3A,U 允许的最大值为 30v 。CCE13、复合管是由 两个 以上的三极管按一定方式连接而成，用复合管提高输出级的电流 放大倍数。14、有二只三极管构成的复合管的类型，取决于 输入管 三极管的类型，其电流放大系数= 2 。二、判断题1N 型或P 型）构成的，所以发射极和集电极可以相互调换使用。（ ）2、晶体三极管的放大作用具体体现在I =I 。（ ）CB3、晶体三极管具有能量放大作用。（ ）4、硅三极管的I 值要比锗三极管的小。（ ）CBO

14、 / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章5、如果集电极电流IC 大于集电极最大允许电流ICM时，晶体三极管肯定损坏。（ ）6、晶体二极管和晶体三极管都是非线性器件。（ ）73CG21管工作在饱和状态时，一定是UBEUCE。（ ）8 I =10uA 时，I =0.44mA;I =20u 时，I =0.89mA,BCBC则它的电流放大系数=45。（ ）9、因为三极管有两个 PN 结，二极管有一个 PN 结，所以用两个二极管可以连接成一个三极管。（ ）10 1-2-1NPN型为硅管，PNP型为锗管）。1112 之和。（ ） / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章12 ）三、选择题1、三极管的

15、发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（A ）放大状态B.饱和状态 C.截止状态2、三极管在饱和状态时，它的IC C ）。随 I 的增加而增加B.随 I 的增加而减小BBC.与 I 无关B3、三极管的特性曲线是指它的（C ）。输入特性曲线B.输出特性曲线C.输入特性和输出特性曲线4、在三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（C ）对应。输入电压B.基极电压C.基极电流5、当温度升高时，晶体三极管的参数将发生（C ）变化。A. U 增大，增大，I 增大BECBOB.U 减小，增大，I 增大BECBOC. 增大，减小，I 增大UBECBO6、用万用表测得电子线路中的晶体管 U =-3V,U =6V,U

16、 =-5.4V,则ECEBC该晶体管是（ C ）。A.PNP型，处于放大状态C.NPN型，处于放大状态B.PNP 型，处于截止状态D.NPN型，处于截止状态7、已知某晶体管的 P =100mW I =20mA U =15V 在下列工作CMCM(BR)条件下，正常工作的是（B ）。 / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章A.U =2V,I =40mA B.U =3V,I =10mACECCECC.U =4V,I =30mAD.U =6V,I =20mACECCEC83DG6型晶体管是（ A ）。高频小功率硅 NPN型三极管C.高频小功率锗PNP型三极管B.高频小功率锗NPN型三极管9、在三极

17、管的输出特性曲线中，当IB=0时，IC是( C )。A. CM B.ICBO C.ICEO10、某晶体三极管的发射极电流等于 基极电流等于 20uA,正常工作时它的集电极电流等于（ A ）。A.0.98mA11 1-2-2 A V A. 截止 B.饱和 C.放大B.1.02mAC.0.8mA12、在图1-2-3所示各复合管中，连接不正确的是（C 四、简答题 / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章1输出特性曲线，并标出它的三个工作区。答：它是指三极管基极电流I 一定时，三极管的集电极电流I 与BC集电极和发射极之间的电压U 之间的关系曲线。CE2、三极管有哪三种连接方式？画出示意图。答：共发

18、射极接法，共集电极接法，共基极接法。 / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章3、三极管有哪三种工作状态？其外部条件（偏执条件）是什么？答：放大状态、截止状态 、饱和状态。其外部条件（1）放大状态时，三极管发射结正偏，集电结反偏时，ic 受 ib控制，具有电流放大作用。同时ic 的大小和uce 基本无关。记住三极管放大状态时的硅管U 约为，锗管的U 约为0.3V。BEBE（2）截止状态时一般把 I =0 时，这时的三极管发射结和集电结B均反偏，三极管处于截止状态，相当于开关断开。这时只有很小的集电极电流穿透电流存在。（3三极管的UceUbe偏时，此时ic不受ib 控制，却随着U 的增大而增大

19、，这时处于CE饱和状态，相当于开关闭合。这时的只剩下三极管的饱和压降存在。5、标出下列复合管的等效管型和管脚。6、三极管的集电极最大允许电流是怎样定义的？ / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章答：三极管集电极最大允许电流 ，集电极电流过大时，三极管的值要降低，一般规定下降到其正常值的三分之二时的集电极电流。五、分析、计算、画图题1 I E电流I =400uA，B求其基极电流I 和直流电流放大系数。C2、用万用表测量三极管各级间电压得到下列三组数值：（1）UBE=0.7V, UCE=0.3V; (2)UBE=0.7V,UCE=4V;(3)UBE=-0.2V,UCE=-0.3V。试分析每只管

20、子的类型，是硅管还是锗管，并说明工作状态。答： (1) UBE=0.7V是硅管，UCE=0.3V工作在饱和状态。（2） UBE=0.7V是硅管，UCE=4V工作在放大状态。（3）UBE=-0.2V是锗管，UCE=-0.3V工作在饱和状态。3、画出PNP管和NPN管的符号，并标出放大状态时各极电流方向和各极间电压的极性。 / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章1-3 场效应管一、填空题1、晶体三极管是 电流 控制器件，是通过较小的 基极电流变化去控制较大的 集电极电流 的变化。2、场效应管是 一种电压 控制器件，是用 栅源 电压控制漏极 电流，具有 转移特性 和 输出特性 特点。3 结 型和

21、 绝缘栅 型两大类，每类有 P 沟道和 N 沟道两种，绝缘栅场效应管按其工作状态又可分为 增强 型和 耗尽 型两种。4、场效应管的三个电极分别是 栅极 、 源极 、和 漏极 。5、场效应管的输出特性曲线是UGS为定值时 漏极电流 iD与 漏源电压 UDS 的关系曲线，输出特性曲线分为 可变电阻区、 放大饱和 区和 击穿 区。 / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章6、某耗尽型 MOS 管的转移特性曲线如图 1-3-1 所示由图可知IDSS= 3.8mA，UP= -4V 。7 1-3-2 是增强型MOS UDS=10V时，该管的ID= 2.6mA 。8、用N沟道增强型和P 沟道增强型MOS管

22、组成互补电路，称COMS 管，该管输入电流 小 、功耗 小 和工作电源范围宽 ，目前广泛应用于 集成电路中。9、VMOS 管和 UMOS 管的最大特点是 耗散功率 大、 工作速度 快、耐压 高和 转移特性 的线性度好，是理想的大功率器件。10 放大 工作在 放大区。11、场效应管的主要参数有 开启电压 UT 、 夹断电压 UP 、饱和漏极电流 IDSS 、 跨导 gm 和 漏极击穿电压U(BR)DS 。 / / 电子电路基础习题册参考答案-第一章二、判断题1 ）2示。（ ）3、场效应管的源极和漏极均可以互换使用。（ ）4、场效应管具有电流放大和电压放大能力。（）5、跨到是表征输入电压对输出电流控制作用的一个参数。（ ）6、结型场效应管有增强型和耗尽型。（ ）7、绝缘栅场效应管通常称为MOS管。（ ）8P 沟道增强型绝缘栅场效应管正常工作时UDS和 UGS都必须为负。（ ）9、绝缘栅场效应管可以用万用表检测。（ ）10、存放绝缘栅场效应管应将三个电极短路。（ ）三、选