水分散环境友好型纳米结构漆

1、国家863计划十五科技成果 新材料国家863计划“十五”科技成果选编第三部分、新材料【编号0261】 水分散环境友好型纳米结构漆单位：吉林大学地址长春市前进大街2699号 邮 编：130012联系人：张万喜、张国 电 话04315829292电子信箱sc成果简介：该项目所研制出的产品适用于建筑、汽车、铁路、化工等工业用漆。主要采用的是水性纳米丙烯酸改性聚酯树脂作为成膜材料，采用特殊的方法聚合而成，不含乳化剂，采用氧化交联的方式成膜，使漆具有优异的耐水性及耐盐雾性并且环保。获得中国发明专利1项，申请发明专利4项。发表学术论文10篇。鉴定成果3项。其产品获得国家重点新产品证书和环保十环证书。已建成

2、年产1000吨的水分散环境友好型纳米结构工业漆生产线2条，已建成年产1000吨的水分散环境友好型纳米结构汽车漆生产线1条，产品各项指标达到或超过国家相关行业标准，并通过了新产品的鉴定验收。提供了1000吨水分散环境友好型纳米结构漆工业化生产线的全套技术参数。已建成年产1万吨水分散环境友好型纳米结构建筑漆生产线1条。国内涂料(漆)年产量约为400多万吨，且传统的溶剂性涂料仍占585以上，环保型涂料则仅占41 5，并且其中大多数为建筑涂料，功能性涂料所占比例极少。我国的工业用漆年消费量，据不完全统计在270万吨左右，其中可由纳米环保型工业漆替代的可达200万吨，产值为600亿人民币左右。在石油化工

3、、火车、船舶、冶金、五金交电、电力、等各领域具有巨大的市场应用空间和良好的产业化前景。据统计，我国年消费建筑乳胶漆100多万吨，销售额达200多亿人民币。如果用水分散环境友好型纳米结构漆替代高档乳胶漆的百分之十，就是10万吨，销售额可达20多亿人民币所以水分散环境友好型纳米结构漆拥有非常大的市场前景。【编号0262】 基于纳米晶生物探针的免疫层析检测技术乙肝、艾滋病病毒检测用纳米晶免疫试纸单位：吉林大学、云南大学地址：长春市前进大街2699号邮编：130012联系人：杨文胜、马岚 电话：04318499234电子信箱：wsyang成果简介：课题采用新型纳米晶来高效标记抗原抗体，提升免疫层析检测

4、技术，使其的灵敏度较传统金标极大提高，并实现了对其的定量检测。由云南大学、吉林大学及昆明云大生物技术有限公司共同研制的改性金乙肝诊断试纸、改性金HIV-l2抗体诊断试纸、纳米磁乙肝诊断试纸和纳米磁HIV-12抗体诊断试纸，其准确性均在99以上；改性金乙肝试纸的灵敏度可达0.5ng/ml,到国家食品药品监督管理局(SFDA)规定的检测标准；改性金及磁性HIV-12抗体诊断试纸的测试性能达到SFDA标准血清盘的检测标准；磁性乙肝诊断试纸的灵敏度可达0.1ngml，超过SFDA规定的检测标准。通过该项目的实施，建成了自主创新的集纳米晶批量制备、抗原抗体的制备及批量生产、纳米晶与抗原抗体的高效偶联及纳

5、米晶免疫试纸研发生产的技术体系，并形成了年产50g单克隆抗体、10g重组抗原、5L改性金纳米晶溶胶、5L荧光纳米晶溶胶及5L磁性纳米晶溶胶的生产能力，项目产业化实施单位云大生物公司通过扩充生产设备及改造厂房，已形成年产3000万条乙肝诊断试纸的生产能力。该课题的完成，在基于纳米晶标记的免疫层析检测试纸研制生产方面为我国创立了一套自主创新的知识产权体系和技术平台，并在该领域取得国际领先地位。同时，通过该项目研制开发的乙肝、艾滋病等系列检测试纸将为重大传染病、癌症、心血管等疾病、畜禽检疫、食品安全、环境保护及其它工农业质量检测领域提供一类方便快捷、准确廉价的新型检测方法，进而产生良好的社会及经济效

6、益。【编号0263】 zno单晶膜上GaN基纳米光电子材料生长及lED器件研发单位：南昌大学地址：南昌市南京东路235号邮 编：330047联系人：江风益电 话：07918305673电子信箱：Jiangfy0915163com成果简介： 该课题发明了一种厚度为1纳米的特殊过渡层和一种特定的硅表面加工技术，克服了外延材料和衬底之间巨大的晶格失配和热失配在第一代半导体硅材料上制备出高质量的第三代半导体GaN材料，成功地解决了硅衬底上制备的GaN单晶膜材料龟裂这一世界难题。课题组发明了一种高可靠性LED外延材料结构，通过优化生长技术，制备了高质量的具有纳米量子阱结构的第三代半导体GalN基LED材

7、料，攻克了硅衬底上GaN基LED可靠性差这一世界难题。课题组突破了硅衬底GaN基LED外延材料焊接与转移技术，解决了氮面CaN的欧姆接触技术，研制成功光输出功率1-9毫瓦(20毫安)的垂直结构的GalN基紫光、蓝光LED其20毫安时的工作电压小于35伏5伏反压时漏电流小于0.1微安10微安时的反压大于30伏，并实现了小批量生产，每天产能40万只。 该课题申请发明专利11项。 该课题成果已达到国际领先水平。目前硅衬底成本仅为蓝宝石衬底和碳化硅衬底的1101100，在硅衬底上制备CaN LED的生产成本是蓝宝石衬底GaN LED的1/2、硅衬底CaN LED的1/4，所以硅衬底上GalN LED作

8、为一条新的半导体照明技术路线，具有广泛的发展空间和很强的国际竞争力。【编号：0264】 硅基镓氮固态光源关键技术研究单 位：南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心地 址：南昌市北京东路339号 邮 编：330029联系人：方文卿 电 话：07918325572电子信箱：fwqcn成果简介： 由南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心承担的863计划课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”于2005年11月22日在武汉通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领先地位，并在全球率先实现了小批量生产。 目前市场上出售的氮化镓发光二极管都是以蓝

9、宝石或碳化硅作为衬底，其基本专利分别为日美发达国家所垄断。以第一代半导体材料硅作为衬底生长氮化镓发光材料是业界的梦想，但因为存在诸多难以克服的困难，全球许多研发机构无功而返。南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心通过近二年的不懈努力，在科技部、教育部、信息产业部和江西省政府的大力支持下，成功地解决了国际上存在的硅衬底氮化镓发光材料龟裂、发光二极管亮度低、工作电压高、可靠性差等问题，研制的硅衬底氮化镓发光二极管材料的质量和器件性能均处于国际同类材料与器件中的领先水平，生产的硅衬底蓝光LED 6-9毫瓦，达到了市场上蓝宝石或碳化硅衬底CaN蓝光LED中等水平，其中电学性能和可靠性可以和世界顶尖级

10、蓝宝石或碳化硅衬底CaN发光器件媲美。目前产能达到了40万只天，在制造成本、可靠性等方面具有明显优势。该产品的研制成功，改变了日美等发达国家垄断LED核心技术的局面，走出了一条有我国特色的LED发展之路。【编号0265】 ZnO短波长激光器若干关键技术研究单位：南京大学地址：南京市汉口路22号 邮 编：210093联系人：顾书林 电 话：02583593554电子信箱：slgu成果简介：该项成果发展了研制ZnO晶体、薄膜及发光器件的技术与方法，形成了一整套具有自主知识产权的技术，包括自行研制的ZnO单晶衬底、自行研制的ZnO金属有机化学气相淀积(MOCVD)系统、ZnO材料的MOCVD同质外延

11、技术、ZnOp型掺杂原位控制技术与激活技术等。提出了提高水热法生长ZnO晶体生长效率和质量的方法与技术，通过将两块晶片按照-C面相对拼装在一起或直接在晶片的-C面涂覆上一层金属涂层，大大提高了晶体的生长速度，生长出晶体杂质量优良的1.2英寸的ZnO单晶。研制出MOCVD生长技术与方法及相关设备，成功地解决了MOCVD ZnO材料生长中存在的预反应与材料均匀性之间的矛盾。发展了低温缓冲层技术，掌握了在蓝宝石和硅衬底上ZnO的异质外延技术，实现了较高质量的ZnO异质外延。实现材料了的n型原位掺杂控制，并较好的实现了对P型掺杂的控制。研究了ZnO基短波长光电子器件的关键工艺，重点是刻蚀、腐蚀控制与欧

12、姆接触等工艺。在ZnO单晶衬底上成功的制备出室温下发光的ZnO同质pn结。该项成果申请国家发明专利5项，发表论文22篇，其中包括ApplPhysLett，JApplPhys等SCI论文14篇，被EI收录论文12篇，IEEE论文1篇，1篇中国电子学会2002年度受奖论文。被SCI收录引文30篇，其中被国际国内同行在ApplPhysLett等刊物上引用22篇38次。【编号0266】 高质量大单位：南京大学地址：南京市汉口路22号 邮 编：210093联系人：修向前 电 话02583597378电子信箱x成果简介：在国内率先研制出2英寸毫米级、低位错密度的高质量自支撑GaN衬底，在光照明光存储光显示

13、光探测等半导体光电子器件及微电子器件领域有重要应用研制出国内第一台用于高质量CaN生长的多源多片氢化物气相外延生长系统；GaN厚膜生长速率超过200mh横向外延GaN薄膜位错密度低于106cm22英寸GaN蓝宝石激光剥离技术快速(不超过30分钟)、稳定、可重复，剥离后获得的GaN衬底表面平整光滑几无翘曲；初步研究并掌握了获得低表面粗糙度的自支撑CaN衬底的表面抛光处理技术。通过该项目的研究，掌握了获得高质量CaN衬底所需的所有关键技术(横向外延厚膜均匀生长和激光剥离技术等)并拥有全部自主知识产权已获得国家发明专利8项，正在申请发明专利超过10项。项目执行期间，正式发表学术论文25篇。【编号：0

14、267】 面向应用过程的陶瓷膜材料设计与制备技术研究单 位：南京工业大学地 址：南京市中山北路200号 邮 编：210009完成人：徐南平联系人：杨 刚 电 话子信箱：yanggangnjut成果简介： 针对陶瓷膜应用过程中膜通量快速下降的普遍问题，以及中药与植物加工醇沉工艺资源、能源消耗高的现状，提出陶瓷膜法新工艺，希望通过材料与过程的交叉研究，实现陶瓷膜新技术在中药与植物提取领域的大规模工业应用。 提出面向应用过程的陶瓷膜材料设计与制备的新构思和陶瓷膜法中药加工新工艺，获得发明专利11项。 初步构建了面向颗粒体系与胶体体系的陶瓷膜材料的设计方法，专著“面向应用过

15、程的陶瓷膜材料设计与制备”由科学出版社出版；开发出低温烧结支撑体制备技术，成本降低70一90；陶瓷膜法中药加工新工艺节约乙醇23以上，缩短加工周期40。 建成5000平方米年低温烧结陶瓷膜生产线，占国内产品市场23以上，迫使国外产品价格降到原来的l3左右。实现了陶瓷膜在中药与植物提取等领域的成功应用，推广应用数十项工程，经济、社会效益显著。研究成果获得国家发明二等奖、中国石化行业技术发明一等奖。面向国家资源、能源、环境领域的重大需求，开发专用的陶瓷膜材料，通过材料与过程的交叉研究，实现陶瓷膜新技术在化工、水资源、能源领域的大规模应用。【编号0268】 多晶硅TFT有机发光有源驱动技术的研究单

16、位：南开大学地 址：天津市南开区卫津路94号 邮 编:300071完成人：孟志国联系人：熊绍珍 电 话：02223501620电子信箱：xiongsz成果简介：该课题成成功研制出具有动态显示效果的5英寸彩色有机发光显示器(AMOLED)模块，有效显示对角尺寸为5英寸，分辨率为QVGA。显示器基板的整体结构为单边扫描电极、单边功率电极、双边数据电极的简单结构，能降低信号传输的频率要求。整个基板的制备采取6光刻掩膜过程的简化流程，主要技术包括溶液法制备大晶粒多晶硅薄膜、多晶硅内镍的PSG动态吸除技术、金属栅多晶硅薄膜晶体管技术和有机绝缘层技术。像素由选址管、驱动管和存储电容组成并含扫描线、数据线和

17、功率线、像素的开口率大于50，彩色化的实现方案为彩色膜上沉积ITO、再沉积白光二极管和金属阴极。外围驱动采用子场叠加的方式来实现灰度显示，驱动灰度为16级。 该成果将制备polysi TFT AMOLED的总掩膜板数降低到6个，大幅简化了polysi TFT AMOLED的制备流程，这必将明显地降低生产成本，在大规模生产方面可与a-siTFT AMOLED抗衡的发展潜力。 使用该技术制备的有机发光有源驱动基板具有结构简单、开口率高等特点，可适用于图象手机、掌上电脑、数码相机、摄像机、监视器等便携显示屏。【编号0269】 40Gbs超高速光纤传输系统可调谐色散补偿器单位：清华大学地址：北京市清华

18、大学 邮 编：100084联系人：陈向飞 电 话：01062789363电子信箱：chenxf成果简介： 该课题研究突破40Gbs速率高速光纤通信系统色散关键技术，开发40Gbs可调谐色散目标产品。该课题采用的技术是基于本课题组在2000年率先提出的等效啁啾概念，使用的技术是我们2004年自主发明的重构-等效啁啾技术(REC技术)（戴一堂陈向飞等，“一种实现具有任意目标响应的光纤光栅”，中国发明专利，申请号2004100075305）。 REC技术是自光纤光栅1979年发明以来在高级光纤光栅器件上性价比极高的设计制作技术，也是最强大的技术之一。利用REC技术我们成功地研制出40Gbs可调谐色散

19、光纤光栅，结合开发的光栅镀膜技术，该课题组研制出国内第一个拥有自主知识产权的40Gbs电控可调谐色散补偿器，并在清华大学和北京大学中兴的40Gbs实验系统上进行了光纤传输测试，获得的功率代价分别为0.7dB和0.2dB，完全符合要求。除了按期实现该项目的既定目标，凭借该项目继续发展的REC技术和REC修正技术，该课题组基于普通实验平台突破了国外精密技术的壁垒，研制出511码片光CDMA编解码器，平了由日本OKI公司，日本通信研究所大阪大学创造的光CDMA编解码片数最高世界记录!到目前为止，即使国际上最好的光电子技术研究中心之一英国南安普顿大学光电子中心的最高水平也才255码片!这说明该课题组真

20、的做到了使用国产“发动机”研制出强劲的“法拉利跑车”。凭借REC技术不仅能够制作出高性能光CDMA码片，同时成本比国外低的多，有机会大大推动光CDMA系统的商用化进程以及为国防关键光纤网络提供物理层的核心保密技术。【编号0270】 GaN半导体光电材料的规模化关键生产技术的检测设备单位：清华大学地址：北京市清华大学 邮 编：100084联系人：董占民 电 话：01062794643电子信箱：dongzm成果简介： GaN半导体光电材料的规模化关键生产技术的检测设备是LED外延片生产的必备设备，作为生产、销售的主要依据，因为其无损检测的速度快，成本低，结果直观，可以在外延片出炉后马上检测，成为下

21、一炉工艺参数调整的依据。检测的结果也是销售数据。该成果的光致发光采用400nm半导体激光器，比国外采用的气体激光器，具有成本低、易操作、光强稳定、寿命长、能耗低等特点；光致发光可以给出积分光强、峰值波长、光谱半宽、主波长等参数，电致发光的检测方法是国际首创，其检测结果在提供光参数同时也提供电参数，并且可以测量单只LED，直接与外延片进行比较。利用白光反射谱测量外延片膜厚，也获得了满意效果。所有参数以mapping形式显示，同时显示各个参数的统计结果，并且根据生产单位要求，增加了去孤立点、去边、局部扫描、单点测量等独有功能。该成果研发的设备已经成功应用于国营南昌746厂、方大福科信息材料有限公司

22、、南昌大学材料所、深圳奥伦德公司、江西联创光电、杭州士兰明芯等六条生产线。 该设备是国内唯一，价格是进口设备的五分之一左右。为企业降低了生产成本。【编号0271】 新型非线性光学高分子材料及器件应用研究单位：清华大学地址北京市清华大学 邮 编：100084联系人：王晓工 电 话01062784561电子信箱：wxg-dce成果简介：二阶非线性光学材料是光电信息领域所需的关键材料之一应用于电光调制器光关频率转换装置等方面在光通讯信息处理射频分配等方面发挥着不可替代的重要作用。二阶非线性光学高分子材料具有高速(宽带)、低驱动电压和优良的加工性能等特点并具有能与超大规模集成的半导体电子器件很好兼容的

23、优点具体成果包括： (1)设计出了一系列低ug、大生色团，包括：2-给体-6-受体取代奠类衍生物及其共轭延长的衍生物；含环戊二烯基的1，4一苯二取代的一维生色团体系；以吡嗪为母体的X型生色团及其含锁环结构的衍生物，等二十多种，其u g在1.56.5D范围，绝大部分设计生色团值均大于典型的一维生色团DANS，最大可达DANS的2倍以上。 (2)制备的掺杂膜的最高非线性系数d33=38.9pm/v，已经达到任务书中规定的比已有X型生色团的极化膜(1627pm/V)提高1020pmV的考核指标。 (3)利用酯化反应、重氮偶合反应等方法合成了多种具有新颖结构的超支化非线性光学高分子，使非线性光学聚合物

24、中生色团基本不存在生色团聚集问题。 (4)利用M20S作为交联剂，在电场极化后，进一步交联固化，使材料非线性光学等性能可在200下稳定，达到了预定100下稳定的目标。 (5)对聚合物电光调制器进行优化设计，并优化低损耗单模光波导的制造工艺。在光波长为1.31微米(或1.55微米)上制得了3dB光调制带宽20GHz的电光强度调制器。最近，在器件研究上又取得了重要进展，制得了调制器直流半波电压(Vp)为83.3V的原型器件。综上所述，上述研究领域获得创新性成果，得到一批具有自主知识产权的新材料、新工艺和新技术。【编号0272】 新型深紫外倍频晶体CLBO及实用化技术研究单位：清华大学地址：北京市清

25、华大学 邮 编：100084完成人：王晓青、沈德忠联系人：王晓青 电 话：01062772109电子信箱：xqwang成果简介： 该课题针对新型非线性光学晶体CLBO实用化存在的问题，开展了晶体生长、器件加工使用寿命和应用研究圆满完成或超额完成合同书的各项任务主要成果有 (1)解决了晶体生长中管状缺陷问题，能稳定生长大尺寸、高光学质量的CLBO晶体其中一块尺寸达146132118mm3,是目前公开报道中质量最好尺寸最大的CLBO单晶。 (2)解决了CLBO晶体抛光中水浸蚀和抛光剂残留等难题，加工的CLBO倍频器抗266nm激光损伤阈值大于4.7GWcm2，尺寸达8060lOmm3，远远超过任务

26、合同书规定的验收指标。在瑞士进口的GE-100-XHP激光器系统上进行CLBO四倍频实验，产生1200mW的266nm激光，大大超过该激光器原配四倍频器BBO晶体的额定最大功率180mW，超额完成合同书200mw的验收指标。探明CLBO晶体的开裂机理，找到克服晶体开裂，延长使用寿命的简单易行的方法将CLBO倍频器放置在小恒温套管内保持温度130C隔绝水汽进行倍频实验其使用寿命已超过两年。与中科院物理所光物理实验室合作，用CLBO倍频器研制成266nm输出13W的激光器实用样机现正在深圳有关企业进行集成电路清洗的工业应用实验。在大尺寸、高质量CLBO晶体的生长技术方面处于国际领先水平；在CLBO

27、晶体倍频器件的加工技术与应用方面取得突破性进展倍频器尺寸输出功率和使用寿命等可满足CLBO晶体的实用化要求，将大大促进全固态紫外激光器在光电子和集成电路等领域的应用。【编号：0273】 高可靠性陶瓷部件批量化成型关键技术及装备的研究单位：清华大学地址：北京市清华大学邮 编：100084联系人：杨金龙电 话：01062772857电子信箱：jlyang成果简介：由清华大学承担的“高可靠性陶瓷部件批量化成型关键技术及装备”项目主要研究和开发陶瓷微珠用于无机非金属矿超细粉体的研磨涂料油漆油墨的分散以及金属零件的区毛刺和抛光，食品和制药行业的无污染研磨等领域，市场潜力巨大。 该项目攻克了胶态注射成型生

28、产线关键技术，批量化陶瓷水基瘠性浆料关键工艺参数的调控技术浆料的抑泡消泡技术以及模具的排气结构控制浆料储存的稳定性技术陶瓷坯体的有害缺陷控制技术陶瓷复杂异形零部件在成型和烧结过程中的质量控制技术无应力陶瓷坯体的控制技术高精度陶瓷无滚珠轴承和笔珠专用加工设备的研制等建立了年产5000吨陶瓷微珠的生产线完成了8种型号60余台工业化装备的制造形成大规模批量生产能力产品在60余家生产企业得到应用出口至日本韩国台湾等国家和地区2004年10月份法国圣戈班集团寻求合作在2005年9月份正式与世界500强法国圣戈班集团完成交割。这也是进驻邯郸的第一家世界500强企业对邯郸当地的经济发展起到了重要的作用圣戈班

29、集团将在邯郸建立世界最大最强的陶瓷微珠及上下游产品生产基地预计年销售额至少在3亿元人民币以上。 该项目获得国家发明专利4项，申请国家发明专利10项，“陶瓷胶态成型新工艺”获国家技术发明二等奖。【编号0274】 新一代高性能低成本多层陶瓷片式电容器(MLCC)材料与工艺单位：清华大学地址北京市清华大学 邮 编：100084联系人：王晓慧 电 话01062784579电子信箱：wxhsinghuaedu cn成果简介：该课题组在高性能低成本大容量贱金属内电极片式电容(BMEMLCC)、大容量高可靠高稳定性军用片式电容材料及其制备技术方面取得了高水平的研究成果和自主知识产权的专利。突破了新一代高性能

30、BME MLCC薄层化、微型化关键技术：纳米粉体技术（30100nm)；亚微米级细晶化技术(陶瓷晶粒100400 nm)；微米级薄层流延技术(单层膜厚度3-5m)和高层数叠层技术。已研制出具有自主知识产权的、性能指标居国际同类产品领先水平的BME MLCC亚微米晶抗还原(X7R和Y5V型)材料。开发出具有细晶结构特性的军用高介、高可靠性X7R型MLCC瓷料，综合性能达到国际先进水平。成果已在山东国腾风华宇阳公司715厂成功转化生产出一系列高性能BMEMLCC电容器产品，介质单层厚度3-5微米；制备出军用高可靠大容量MLCC产品，已在国防军工等部门使用。形成以广东风华为核心的高水平贱金属内电极M

31、LCC示范生产线(产能为220亿只年)。课题成果共申请国家发明专利19项，美国专利2两项。该成果为我国实现高端片式电容材料的国产化促进我国片式电容器产业产品结构的升级换代提高国际市场竞争力提供了关键的材料与技术，具有重要的战略意义。【编号：0275】 高性能PLZST弛豫反铁电单晶的研制单位：清华大学地址北京市清华大学邮 编：100084联系人：李强电 话01062781694电子信箱：qiangli成果简介： 1、发展了一种利用化学共沉淀技术来有效地改善PLZST体系组分均匀性的低温化学合成方法。该方法具有合成温度低(700lh即可成相)，成相组分均匀性好，粉体平均粒径小(一0.2m)，分散

32、性好等优点。2、针对PLZST体系的非一致熔难题，在广泛筛选助熔剂组分的基础上，采用PbOPbF2-B2O3，复合助熔剂在国际上首次生长出了2.02.02.0mm3发育完整的PLZST弛豫反铁电单晶(j.C. G.，283(3-4)：378383，Oct 12005，ISDN：968PT)；部分条件下生长单晶最大尺寸可达5.04.04.0mm3,但其完整性仍有待改进。系统地分析了PLZST单晶中的各种缺陷及其形成机制, 发现非稳态生长是引起晶体内部生长缺陷的主要原因。3、所制备的PLZST单晶具有复合钙钛矿结构，各组元分布均匀，并具有典型的弛豫可逆结构相变特征；在PLZST单晶的高分辨像观察中

33、首次证实了其结构中存在着极性纳米微区和超晶格，它们被公认为是PLZST单晶产生弥散结构相变的物质基础。 4、通过探讨助熔剂法生长PLZST单晶的结晶习性与生长机制发现：PLZST单晶的生长基元为多种B06配位八面体，【B06】生长基元向111面的叠合采用法向机制生长。5、该课题共完成研究论文18篇(其中：SCI收录论文12篇)；申报国家发明专利一项(申请号：200510012300.20)。进一步优化生长工艺，提高生长单晶尺寸，制备出能满足以爆电换能器为代表的应用器件研制需求的高质量PLZST弛豫反铁电单晶。【编号0276】新一代高性能片式元件与关键技术单位：清华大学地址：北京市清华大学 邮

34、编：100084联系人：周济 电 话：01062772975电子信箱：zhouji cn成果简介：片式电子元件是一大类重要的电子信息产品，是现代电子信息技术的重要基础。目前全世界片式电子元件的年需要量在一万亿只以上。进入21世纪以来，电子信息技术的高速发展不断向元件技术提出新的要求，使得片式电子元件成为一个创新十分活跃的高技术领域，高性能、小型化、低成本、多功能、集成化成为片式元件发展和升级换代的重要方向。我国是电子元件生产大国，但高端材料和和关键技术主要依赖国外。该项目旨在发展具有自主知识产权的新一代片式元件关键材料和核心技术，促进我国从电子元件大国走向电子元件强国。该课题主要成果包括：发展

35、出了若干种拥有自主知识产权、性能指标居国际先进水平的片式元件关键材料，包括贱金属内电极(BME)MLCC材料、军用高可靠性X7R型MLCC瓷料、高频宽带抗ENI元件用低烧Y型平面六角铁氧体、低温烧结高感量片式电感器材料、高频电感器和LTCC用低烧低介陶瓷材料，以及片式LC滤波器用共烧陶瓷材料。在国内首次研制出了贱金属内电极片式电容器，使我国企业成功进入这一新的元件领域；成功地解决了我国军用大容量X7R瓷料长期依赖进口的问题；研制出了拥有自主知识产权的高频宽带抗EMI材料和元件，使我国企业成为世界上第二个拥有这类重要元件生产能力的厂家，技术水平进入世界前列；首次生产出大感量系列填补了国内相关产品

36、的空白；在国内首次推出了基于LTCC技术的片式滤波器和片式天线。【编号：0289】 片式压电变压器、传感器及相关材料产业化关键技术单位：清华大学地址北京市清华大学 邮 编：100084联系人：褚祥诚 电子信箱：chuxiangcheng成果简介：背光电源是用来点亮液晶显示器背景照明的冷阴极荧光灯将电池低的直流电压转变为高频高电压输出电压开始时超过1000V稳定工作时约500Vrms采用多层压电陶瓷变压器由于具有能量转换效率高体积小升压比高无电磁干扰适合表面安装等显著特点，它的推广应用将具有十分广阔的市场前景。创新点目前国内外压电变压器的烧结温度一般为11500C以上所用内电极为钯含量超过30的

37、银钯电极价格昂贵成本高且变压器的变形大合格率低该项目采取过渡液相烧结技术烧结温度低至960C所用内电极为钯含量在1015的银钯电极价格只有3070银钯电极1312成本大幅下降且变压器的变形小良品率高低温烧结技术在多层压电变压器的应用研究属国际领先水平大功率压电变压器是实现驱动LCDTV背光电源的核心部件和关键设计技术。国内尚未见到一支变压器驱动2支或以上CCFL。技术突破：新提供一种以PZTPZNPMN为主晶相的优质压电陶瓷材料，既可兼顾低烧又保有优异的大功率应用电气特性已确定三种系列十种规格的多层压电陶瓷变压器，功率涵盖5-15W，覆盖灯管长度规格从1001200mm的CCFL。重要应用所研

38、制开发的液晶显示器用压电变压器背光电源生产技术先进性能居国际先进水平，是笔记本电脑、PDA、液晶PC、LCD-TV等产品的关键零部件。【编号0278】 大直径SiGeSi外延材料研究及产化开发单位：清华大学地址北京市清华大学 邮 编：100084联系人：刘志弘 电 话01062783906电子信箱：lzh成果简介：课题目标为利用具有自主知识产权的RTPUHVCVD装置，解决国内大直径SiGeSi外延材料的制备的工艺规范工艺流程及相关测量标准研究8英寸锗硅外延材料生长技术及手段，并提供高质量8英寸SiGeSi外延片样品。主要研究内容：改进具有自主知识产权的红外加热超过真空化学气相淀积L UHVC

39、VD)锗硅外延设备以适用小批量制作5-6英寸锗硅外延材料。研究满足大功率锗硅HBT和锗硅外延单片集成电路需要的材料。研究(UHVCVD)大直径锗硅外延片的工艺规范工艺流程和测量方法研究8英寸锗硅外延生长技术并提供样品锗硅外延片中锗含量控制在0-15以内片内均匀性5片间均匀性5课题目标：耍研究硅基SiGe应变异质结外延生长方法和特性，最终要实现为SiGe微波器件和集成电路产业化提供一定量的外延材料。【编号：0279】 铋系高温超导线材的实用化及其大规模生产技术的开发单位：清华大学地址北京市清华大学务员 邮 编：100084联系人：韩征和 电 话01062785730电子信箱：z.han成果简介：

40、高温超导线材通电能力超出相同截面积铜导线100倍以上，应用Bi系线材制备的超导电缆超导变压器超导电机超导限流器超导储能系统等产品具有常规产品无法比拟的体积小重量轻能耗低容量大无环境樗染等优点该课题设计及建成了国内第一条实现产业化批量生产的300公里级Bi系高温超导长线材生产线，截至目前批量生产的Bi系高温超导长线材(约300米)临界电流超过110A，工程临界电流密度超过12000Acm短样临界电流超过160A允许拉伸应力达到120MPa加强型高温超导线材允许拉伸应力达到230Mpa产品的综合性能及产品种类主要性能与技术指标达到国际先进水平该课题在超导粉体制备前驱粉预处理机械成形加工形变热处理和

41、产品多样化等方面形成了具有自主知识产权的核心技术打破了发达国家的技术垄断。研制出的Bi系线材已被成功应用在国家科技部863计划超导专项、北京市重大科技计划高温超导电缆高温超导变压器高温超导磁体高温超导大电流引线和军工等项目中。该项目研制的Bi系高温超导长线材在2004年7月10 13我国第一组正式并网的实用高温超导电缆系统中的应用使我国成为继美国丹麦之后世界上第三个将高温超导电缆投人电网运行的国家该项目的成功实施使我国超导线材产业化水平迈人世界领先行列对于推动我国高温超导产业的发展促进材料能源信息交通等领域的产业结构优化。【编号0280】 移动通信用超导滤波器系统的研制和应用示范单位：清华大学

42、地 址： 北京市清华大学 邮 编：100084联系人：曹必松 电 话01062772765电子信箱：bscao成果简介：由于高温超导薄膜的微波表面电阻比铜等金属低23个数量级，用其制备的滤波器插损小、矩形系数好、带边陡峭。将超导滤波器、前置放大器和小型电制冷机组成的超导滤波器系统应用于微波通信，可以同时大幅度地提高接收机的灵敏度和选择性，可广泛应用于移动通信、军事通信、卫星通信和其他各种微波通信。将其应用于移动通信，可以大幅度地提高基站的容量和覆盖范围，增强抗干扰能力，提高通话质量，减小手机的发射功率。清华大学先后先后研制成功我国第一台适合于GSMl800、GSM900和CDMA移动通信系统的

43、高温超导滤波器系统，经鉴定，技术性能达到国际先进水平。超导滤波器系统的关键技术指标如下：插损小于0.2dB；带边陡峭度大于50dBMHz，系统噪声系数小于0.7dB，带外抑制大于80dB。 2004年3月，研制的两套高温超导滤波器系统安装于中国联通CDMA移动通信基站现场通信试验获得成功，大幅度地改善了通信网络的性能。2005年，在北京以大钟寺为中心的地区建成了我国第一个高温超导滤波器移动通信应用示范小区。小区包括5个CDMA移动通信基站，使用30路高温超导滤波器系统。测试结果表明，改用超导滤波器后，手机的发射功率平均下降2.35分贝。移动通信的性能得到较大幅度的提高，小区工作稳定，自2005

44、年12月以来未发生任何故障。超导滤波器在军事上可广泛应用于雷达、军事通信、电子战和精确制导等，以提高灵敏度和抗干扰能力，增加探测距离提高制导精确度等。美国在军事上已广泛使用超导滤波器并已投入战场。【编号：0282】 近场高密度光存储材料及器件单位：清华大学地址北京市清华大学 邮 编：100084联系人：陆达 电 话0108239098电子信箱：ldomtsirI成果简介： 1、经过充分的分子设计，在国内首次合成出用于近场存储的，能与激光器波长良好匹配的高灵敏、快速响应的光子型二芳烯类有机光致变色材料二十余种，并培养了八种二芳烯分子的晶体，通过X-射线衍射测定了其晶体结构。 2、筛选出适合用于S

45、uperRENS超分辨多层膜结构的二芳烯分子，采用真空热蒸镀和旋涂法，分别制备有良好几何光学质量的超薄SuperRENS多层记录膜片，应用于近场光存储记录。 3、首次使用非线性吸收强、开环量子产率大；显示了二芳烯具有良好的聚焦作用和掩膜效应。光孔径开关层对写入激光的聚焦作用显著，对记录点的缩小幅度达到70。 4、用异庚基空心酞菁做为记录材料，用有机光致变色二芳烯DTE一9作为光孔径开关材料，得到记录线宽为50nm的记录点，光孔径开关层对写人激光聚焦作用显著，对记录点的缩小幅度达到90以上。 5、结果表明了用二芳烯类有机光致变色材料作为近场SuperRENS光孔径开关材料，能够极大地缩小记录点尺

46、寸，使得最小记录线宽达到50nm，超额完成了国家863高科技发展计划“近场光存储材料及器件(G2003AA311131)”项目中提出的100nm的要求。基于边发射半导体激光器，首次提出并成功制作了近场光学局域场增强L形纳米孔径激光器。测量结果显示L形纳米孔径激光器的远场光功率是普通矩形纳米孔径激光器输出光功率的13倍，并通过对一个矩形与一个L形双孔纳米孔径激光器的近场光场测量进一步展示了L形纳米孔径在输出光场分布上的高度局域性与光场强度上的局域增强特性。【编号0283】 大尺寸半导体SiC单晶衬单位：山东大学地址济南山大南路27号邮 编250100完成人：徐现刚、胡小波联系人：徐现刚电 话:0

47、531-88364260电子信箱xxu成果简介：2英寸SiC单晶衬底该课题在863的支持下，成功地解决了SiC单晶生长需要的高温环境及其单晶硬度高难以加工的困难，顺利完成和部分超额完成了863的预定目标，为SiC单晶衬底的产业化奠定了基础。该课题对不同生长条件下SiC单晶生长的温度场进行了模拟，以此为依据设计了适合于大直径SiC单晶生长的坩埚和保温材料结合晶体生长理论优化了单晶生长的籽晶温度、温度梯度、生长室压力等工艺参数，获得的SiC单晶直径达到50至55mm通过优化生长工艺如成核生长温度生长速度等工艺参数与在生长过程中引人掺氮条纹相结合，使SiC单晶中的微管密度达到低于100个/平方厘米。

48、碳化硅单晶的加工工艺的瓶颈已经突破，形成了从切割粗研磨精研磨粗抛光(机械抛光)精抛光(化学机械抛光)的一整条工艺流程。切割出的SiC晶片的最小厚度可以达到200m翘曲度小于30 m厚度不均匀度小于20 m经过研磨和抛光得到平整度小于25 m粗糙度小于5rim无明显表面缺陷的SiC单晶片经过合作单位的试用得到了很好的认可在研究工作的基础上申请了SiC晶体生长和加工的专利各一项。【编号：0284】 大尺寸先进陶瓷部件制备及应用技术单位：山东工业陶瓷研究设计院地址：淄博市柳泉路西二巷五号邮 编：255031联系人：王树海 电 话：05333161601电子信箱：wangsh成果简介：山东工业陶瓷研究

49、设计院开展了大尺寸陶瓷部件工业化制备关键技术与开发研究大尺寸薄壁陶瓷部件在烧成过程中极易发生开裂变形各部位收缩不一致等缺陷针对大尺寸薄壁石英陶瓷坩埚制品不同缺陷产生的原因探索研究确定了一整套完善的工艺控制制度有效地解决了坯体开裂变形各部位收缩不一致出模困难等缺陷，保证了生产的产品一致性和可靠性。 研究和解决的关键技术包括高固相含量高稳定性流动性好的注凝料浆的制备技术，优选了一种PC-02分散剂，在保证料浆的高固相含量、高稳定性的前提下大大改善了料浆的流动性；动态注凝成型技术，将陶瓷的注凝成型与动态的物理场作用结合起来，使注凝成型陶瓷料浆或成型模型单一地或有重叠地受物理场(如机械振动、超声波等)

50、的作用，从而实现注凝成型过程的动态化；模具的设计及加工技术研究，采用自行设计的专用的模具工装保证制品脱模高效、成品率高；均收缩无(少)变形干燥及烧结技术，保证了生产的产品一致性和可靠性。开发出太阳能多晶硅熔炼用方坩埚、冶金行业用大尺寸坩埚等超大尺寸结构陶瓷制品研究，均已投人批量生产，获得国家发明专利2项，年生产各类大尺寸陶瓷制品能力达到1000吨，累计实现产值2300余万元。多晶硅熔炼用大尺寸薄壁高纯石英陶瓷方坩埚被评为2004年度国家级重点新产品，720720420mm3太阳能多晶硅用薄壁大尺寸石英陶瓷方坩埚已经销往美国、意大利。【编号：0285】 氧化锆增韧高档骨质瓷的研究与开发单位：山东

51、淄博华光陶瓷股份有限公司地址：淄博市高新技术开发区鲁泰大道55号 邮 编：255000联系人：陈爱华电 话：05333586905电子信箱：chedward163net成果简介：山东淄博华光陶瓷股份有限公司承担“氧化锆增韧高档骨质瓷的研究与开发”项目，采用廉价的硅酸锆为原料通过工艺和配方设计与控制，实现硅酸锆的低温分解生成氧化锆，从而对骨质瓷进行强韧化，实现陶瓷新材料高新技术在传统陶瓷领域的嫁接，彻底改变骨质瓷抗弯强度低，断裂韧性小的缺点。推出一批在国际市场上具有竞争力的新一代产品。项目实现了硅酸锆的低温分解，传统研究一般认为硅酸锆分解温度高于15000C，该研究通过对硅酸锆原材料的优选，添加

52、一定数量和种类的促进剂，使硅酸锆较低于13000C的温度下分解，首次将价格低廉的硅酸锆代替价格昂贵的氧化锆，实现氧化锆增韧，开辟了一个全新领域；实现了氧化锆增韧高档骨质瓷的产业化，产品成品率达到93以上。经过增韧后骨质瓷的性能均得到大幅度提高，其中抗弯强度和断裂韧性均提高60以上，从已有资料来看处于国际最好水平。建立起年产1000万件氧化锆增韧高档骨质瓷的生产线，实现销售收入过亿元。该项目获得国家发明专利4项，申请国家发明专利3项。“氧化锆增韧高档骨质瓷的研究与开发”项目，是国家自设立“863”计划以来所确立的第一个日用陶瓷“863”项目，也是第一个把高新技术和传统产业相结合的陶瓷项目，解决高

53、档骨质瓷易脆、抗热震性差、成品率低等缺点，使骨质瓷的内在质量达到世界先进水平。【编号0286】 高强度高抗震高耐火耐候超大规格方矩形管及连接件研究单位上海钢铁工艺技术研究所地址：上海市定西路1118号 邮 编：200050联系人：郁兹 电 话02162403990电子信箱：siist001课题首次完成研发并在大生产成功应用了定弯曲弧度变化弯点位置的直接成方冷弯工艺，解决了生产大规格高强度冷弯型钢成型过程中容易出现角部微裂纹缺陷的技术难题确立了直接成方工艺在我国发展大规格冷弯型钢技术中的主导地位采用直接成方的排辊及辊弯技术研制成功大规格冷弯型钢生产线并根据我国资源条件和生产特点完成研发并在大生产

54、成功应用了钢带边部处理工艺能供两条线使用的水平螺旋活套，提升了我国冷弯型钢装备制造的技术水平。采用上述成果建设的大规格冷弯型钢生产线已于2005年初投产，产品最大规格50050019mm最高抗拉强度630MPa屈强比小于08最小边厚比8质量符合相关的国家和国际标准可以替代传统的冲压折弯成型或用四块钢板拼焊成管应用于建筑领域和制造领域取得提高强度节约钢材减轻自重降低能耗的显著效果大规格生产线2005年产量14758吨，并出口3500吨。产品已成功应用于北京奥运会场馆天津奥林匹克中心铁路上海南站秦山核电站二期南京长江三桥上海中环线高架桥、黄河滨州大桥等重点工程。【编号0287】 耐热镁合金及其在汽

55、车上成用研究单位：上海交通大学地址：上海市华山路1954号 邮 编：200030完成人：卢晨联系人：曾小勤电 话：02162932113电子信箱：xqzeng成果简介：该课题利用我国丰富的稀土资源和镁合金资源研制出低成本耐175C高温镁合金和4种镁-稀土中间合金，形成了年产1000吨低成本镁-稀土中间合金生产技术及3000吨高温镁合金的生产能力，开发出高温镁合金压铸成型工艺及模具，形成年产30万套轿车用变速箱生产技术其中合金的力学性能指标将达到室温力学性能b210MPa0211OMPa3抗蠕变性能175力学性能70MPa拉伸蠕变条件下，lOOh的总蠕变量01；压力蠕变性能：符合上海大众PVW2

56、501技术要求耐蚀性能盐雾试验0.10.25mg/cm2day成本指标不超过目前工业上最常用的AZ91镁合金成本的10。从实验和数值计算两个方面系统研究了新型耐热镁合金的铸造工艺性能研究了各种合金的流动性能热裂倾向等完成了自动变速箱壳体铸造过程的充型凝固模拟并准确预测了缺陷的发生成功试制了耐热镁合金自动变速箱壳体，形成了成熟的压铸生产工艺。所试制的自动变速箱壳体已经通过台架试验，进入批量试制阶段。自主开发了陶瓷过滤精炼剂净化等耐热镁合金净化处理技术研制了适合于镁液净化和废料回收的系列净化剂和陶瓷过滤块净化后镁液的氯含量10ppm杂质总量12cm)蒸发坩埚全部依赖从美国和德国进口。 该项目根据使

57、用条件对材料的要求，确定了材料的基本体系，建立了材料组成-制备工艺-材料性能关系数据库，设计和研制出计算机在线监控的大电流高效快速烧结装备，完成了大型工业化设备的设计、制造和运行等系统研究工作；开展了陶瓷复合材料蒸发坩埚的制备工艺优化研究，保证材料制备过程工艺短、效率高、稳定性好，实现了低温、快速烧结。研制和生产的陶瓷复合材料蒸发舟产品填补了国内高品质蒸发舟的空白，替代进口。该课题共获得国家发明专利2项、申请国家发明专利6项，获得省部级科技进步奖3项，建立企业标准2项；建立了年产10吨二硼化钛陶瓷微粉生产线和年产10万只陶瓷蒸发舟生产线，二项产品填补了国内空白。批量化生产的产品经多家用户单位使

58、用，证明产品质量和使用性能优良，综合性能与美国ACC公司和德国ESK公司的产品性能相当，达到国际先进水平，产品成本仅为进口产品售价的三分之一。已占领部分国际和国内市场。【编号：0296】 光纤光栅传感技术及产业化研究单 位：武汉理工光科股份有限公司地 址：武汉珞狮路122号 邮 编：430070联系人：姜德生 电 话：02787876032电子信箱：fosrcwutpublic.wh. hb .cn成果简介：该课题通过自主研发，攻克了特种传感光纤光栅、光纤光栅温度和应变传感器、系列光纤光栅波长信号解调器等关键器件和传感系统的规模化生产成套技术与装备及工程应用技术等。取得了一批创新成果，包括5项

59、鉴定成果，均达国际先进水平，其中1项属国内外首创，居国际领先水平；申请发明专利10项，其中2项已授权。其标志性成果“光纤光栅传感系统工业化生产关键技术研究与应用”2004年获国家科技进步二等奖；光纤光栅感温火灾探测技术已编入“光纤火灾探测器国家标准”报审稿。这些成果已产业化实现了年产特种传感光纤光栅5万支光纤光栅温度和应变传感探头1万支、解调器500台的批量生产能力，形成了具有我国自主知识产权的成套技术与装备打破了国外技术封锁与垄断为加速光纤光栅传感技术在我国的发展奠定了产业化基础和提供了示范。该成果产品已大批量应用于石化油田桥梁大坝隧道水下工程建筑电力军工等行业的数十项大型工程的安全监测为我

60、国提供了新一代安全监测新技术累计完成销售收入亿元以上，取得了显著的经济效益和社会效益。【编号：0297】 超宽带(S+C+L)光纤放大器单 位：武汉邮电科学研究院地 址：武汉市邮科院路88号 邮 编：430074联系人：龙浩 电 话：02787691458电子信箱：hlong成果简介： 该课题主要的研究内容是超宽带(S+C+L波段)光纤放大器和相关无源器件。 在课题的研究过程中，课题组解决了光放大器在光学结构优化，测试方案选取，复用方案等方面、光学器件方面在提高器件工作带宽以及提高子带复用，解复用器的隔离度等方面的技术难题，完成了L波段EDFA产品化、S波段TDFA科研样机及C波段EDFA产品