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饱和型负载管MOS反相器饱和型负载管MOS反相。VoRRRDS2 饱和型负载管MOS反相器饱和型负载管MOS反相。VoRRRDS2 VoRRRDS1当输入为低电平时MOS管T1截止VoRRL若RLRDS2 VoRR当输入为低电平时MOS管T1截止VoRRL若RLRDS2 VoRRL对电容负载的驱动能力差。由于RD2大，IoH就小，工作速度。（RD2。2.6.3 CMOS反相2.6.3 CMOS反相因为TPTN供电电压范围宽，1.5V20V高电平接近电源电压约比电源电压小0.1V对电源电压的利用率高;低电平接近等于0 , 0.1V;供电电压范围宽，1.5V20V高电平接近电源电压约比电源电压小0.1V对电源电压的利用率高;低电平接近等于0 , 0.1V;4. 阈值电平为电源电压的40%60%噪声容限大5. CMOS的动态功耗将随工作频率的提高而提;6.2.6.3 CMOS门电2.6.3 CMOS门电作用。1.CMOSCMOS与非门的等效方框 1.CMOSCMOS与非门的等效方框 2.CMOS2.CMOS2.6.4 CMOS传输设MOSTN管 。-当EN=H时，传输门按下012342.6.4 CMOS传输设MOSTN管 。-当EN=H时，

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