模拟集成电路电流源基准源

1、模拟集成电路电流源基准源Dr. Jian Fang . UESTC第1页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC1. 镜像电流源基准电流： 无论Rc的值如何， IC2的电流值将保持不变。恒流源和有源负载一 电流源电路因为：所以：第2页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第3页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC2. 微电流源由于很小，所以IC2也很小第4页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Ji

2、an Fang . UESTC第5页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC3. 多路电流源第6页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC3. 电流源的改进 带缓冲恒流源第7页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第8页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC具有基极电流补偿的恒流源第9页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang .

3、 UESTCMOS恒流源第10页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTCWilso恒流源第11页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC4.电流源作有源负载交流电阻大直流电阻小电压范围宽工艺容易实现第12页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC4. 电流源作有源负载共射电路的电压增益为： 对于此电路Rc就是镜像电流源的交流电阻，因此增益比用电阻Rc作负载时大大提高了。放大管镜像电流源镜像电流源镜像电流源第13页，共43页，20

4、22年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC恒流源电路 精密匹配电流镜 第14页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTCPNP基本恒流源及其改进电路 第15页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC模拟集成电路.基准源电路第16页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC基准源电路稳定的电压输出不随温度变化低的输出电阻, 不随负载变化第17页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四

5、Dr. Jian Fang . UESTC(1) BE结二极管的正向压降VBE, VBE=0.60.8V, 他的温度系数 ; (2)由NPN管反向击穿BE结构成的齐纳二极管的击穿电压Vz，Vz=69V，它的温度系数：(3)等效热电压Vt26mV，温度系数第18页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC正向二极管基准电路齐纳二极管基准电路具有温度补偿的齐纳基准电路负反馈基准源电路参考电压源第19页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC正向二极管基准电路温度系数大内阻较大芯片面积大Vr

6、ef第20页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTCR1R2TVref解决了大Vref的问题(1) BE结二极管的正向压降VBE, VBE=0.60.8V, 他的温度系数 第21页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC齐纳二极管基准电路Vref (2)由NPN管反向击穿BE结构成的齐纳二极管的击穿电压Vz，Vz=69V，它的温度系数：第22页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC(1) BE结二极管的正向压降VBE, VBE

7、=0.60.8V, 他的温度系数 ; (2)由NPN管反向击穿BE结构成的齐纳二极管的击穿电压Vz，Vz=69V，它的温度系数：(3)等效热电压Vt26mV，温度系数第23页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC具有温度补偿的齐纳基准电路Vref第24页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC负反馈基准源电路第25页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC偏置电压源和基准电压源电路 双极型三管能隙基准源双极型二管能隙基准源 E

8、DNMOS基准电压源 CMOS基准电压源 第26页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC1.双极型三管能隙基准源第27页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC只要适当设计R2R3和J1J2，即可使在该温度下基准电压的温度系数接近零 第28页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC输出接近为5V的能隙基准源 第29页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC2.双极型二管能

9、隙基准源 第30页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC可以通过控制有效发射结面积比AElAE2或AE3AE4及电阻比R2R1来获得接近零温度系数的基准源 第31页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC3. EDNMOS基准电压源 第32页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC耗尽型和增强型MOS的阈值耗尽型增强型第33页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第34

10、页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第35页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第36页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第37页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC其温度系数决定于三个因素M1，M2的开启电压之差的温度系数，M1，M2漏极电流IDEIDDID的温度系数沟道电子迁移率的温度系数。 第38页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第39页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC第40页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . UESTC4. CMOS基准电压源 第41页，共43页，2022年，5月20日，6点46分，星期四Dr. Jian Fang . U