晶体管器件精品课件

1、晶体管器件第1页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四二极管外形第2页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四发光二极管（LED）第3页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四第4页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四大功率二极管第5页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四三极管的外形第6页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四三极管的外形第7页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四三极管的外形第8页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四三极管的外形第9页，共20页，2

2、022年，5月20日，1点41分，星期四三极管的外形第10页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四场效应管的外形与晶体三极管类似第11页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四晶体管的符号二极管符号三极管符号场效应管符号第12页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四半导体元件的命名方法 国产半导体器件型号由五部分组成，场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分。 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。第三部分：用汉语拼音字母表

3、示半导体器件的类型。如表3-4-1第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。第13页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四半导体器件的型号含义 第二部分第三部分AN型锗材料P普通管D低频大功率管（f1W)BP型锗材料V微波管CN型硅材料W稳压管A高频大功率管（f3MHz Pc1W)DP型硅材料C参量管APNP型锗材料Z整流管T半导体晶闸管（可控整流器）BNPN型锗材料L整流堆Y体效应器件CPNP型硅材料S隧道管B雪崩管DNPN型硅材料N阻尼管J阶跃恢复管U光电器件CS场效应管K开关管BT半导体特殊器件X低频小功率管(F3MHz Pc3MHz Pc1W)JG激光

4、器件例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 第14页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四晶体管的参数参数很多，分为常规和极限参数 比如：二极管平均正向电流二极管反向击穿电压三极管直流/交流电流放大倍数三极管集电结反向击穿电压BVCBO三极管集电极发射极反向击穿电压BVCEO第15页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四晶体管的测试二极管的测试 一般用万用表电阻挡R1K、R100测量；用表笔分别与二极管的两极相连，两次测得电阻应一大一小；且以阻值较小的那一次为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。 如果两次测得电阻均很大或很小 ，说明二极

5、管已损坏。 第16页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四三极管的测试（1）判别基极和管子的类型先判别基极 选用欧姆挡的R100（或R1K）挡，先任意假定一个管脚为基极，用红表笔接该管脚，黑表笔分别接另两个管脚，可测出两个电阻值，然后再对换表笔做同样的测量，又测得一组电阻值，若两次测得的电阻值都是同大同小，则假定的基极正确，若两次测得的电阻值都是一大一小，则假定的基极不是基极，真正的基极必然在其他两个管脚中，再假定其他两个管脚中的任意一个为基极，重复上述步骤，这样最多假定3次，就可以找出基极。判别管型 准确找到基极后，用黑表笔接基极，红表笔分别接其他两个管脚，若测得的阻值都小，

6、则该管为NPN型，反之，若测得的阻值都很大，则该管为PNP型。第17页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四三极管的测试（2）判别集电极、发射级 因为三极管发射极和集电极正确连接时大（表针摆动幅度大），反接时就小得多。因此，先假设除基极以外的任意一个管脚为集电极，用欧姆挡R1K测量，（正确接法：对NPN型管，发射极接红表笔，集电极接黑表笔；而PNP型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极（两极不能接触），若指针摆动幅度大，而把两极对调后指针摆动小，则说明假设是正确的，从而确定集电极和发射极。（3）电流放大系数的估测 选用欧姆挡的R100（或R1K）挡，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极不能接触），和把手放开两种情况小指针摆动的大小，摆动越大，值越高。第18页，共20页，2022年，5月20日，1点41分，星期四晶体管的