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1、8.3本征载流子浓度在半导体物理中，化学势 称为能级。在感的温度范围内，对半导体的导带可以假定 -kBT，于是1 e( ) / k TfBe( ) / kBTe1当 fe 1 时，上式近似于传导电子轨道被占据的概率导带中电子的能量2Ec 2kk2me带边能量电子的有效质量18.3本征载流子浓度统计计算时的能量标度图温度 kBTkBT11 e( ) / kf 1TBe( ) / kBTe( ) / kBTh11如果价带顶附近的空穴的行为如同有效质量为 mh 的粒子，则空穴的态密度为1( 2mh )3/2 (ED ( ) )1/ 2价带边的能量4hv2228.3本征载流子浓度价带中空穴的浓度为Ev

2、 D ( ) f ( )d 2( mh kBT )3/2 eEvp kBThh22平衡关系式Eg不依赖于能级k Tnp 4(B)3(m m)3/ 2 e kBTeh22Eg Ec Ev上述推导过程没有假定材料是本征的，该结果对存在杂质的情况同样成立。唯一假设是距离同 kBT 相比是大的能级离两个带边的58.3本征载流子浓度因为给定温度下电子和空穴的浓度之乘积是一不依赖于杂质浓度的常数，因此引入少量适当的杂质而使 n增大，那么必定会使 p 较小np Cn , p 该结果在实践中很重要：通过有控制地引入适当的杂质，可以减少非纯晶体内的总载流子浓度 n+p。68.3本征载流子浓度在本征半导体中，电子的数目等于空穴的数目。令下表 i 表示本征，则Egk Tn p 2(B)3/2 (m m)3/ 4 e 2kBT指数依赖于iieh22Eg2kBT Em k TckBTn 2(eB)3/ 2 e22能级从价带顶开始量度(Ev=0)，则上两式相等，并让134mh2ekBTEgm Eg 2k T ln() (hme)3/ 2 ekBTBme 1 Em m能级位于带隙heg278.3本征载流子浓度8.3. 1本征迁移率迁移率是的大小电场强度引起的带电载流子漂移速度 | v |注意和化学势的区别E电子和空穴的迁移率都定义为正的，记为 e 和 h电导率是电子和空穴的贡献之和 nee peh由电荷

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