光耦选型最全指引及各种参数说明

1、光耦选型手册光耦简介：光耦合器（opticalcoupler ,英文缩写为0c亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光 耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了 “电一光一电”转换。光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED,使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电一光一电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。发光二极管光耦的分类：（1）光电

2、耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。常用的 4N系列光耦属于非线性光耦。线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，弁且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A - C系列。（2）常用的分类还有：按速度分，可分为低速光电耦合器（光敏三极管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二极管带信号处理电路或者光敏集成电路输出型）。按通道分，可分为单通道，双通道和多通道光电耦合器。按隔离特性分，可分为普通隔离光电耦合器（一般光学胶灌封低于5000V，空封低于2000V）和高压

3、隔离光电耦合器（可分为10kV, 20kV, 30kV等）。按输出形式分，可分为：光敏器件输出型，其中包括光敏二极管输出型，光敏三极管输出型，光电池输出型，光可控硅输出型等。NPN八极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型，互补输出型等。达林顿三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型。逻辑门电路输出型，其中包括门电路输出型，施密特触发输出型，三态门电路输出型等。低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。光开关输出型（导通电阻小于10Qg、功率输出型（IGBT/MOSFET 等输出）。光耦的结构特点：(1)光电耦合器的输入阻抗很小，只有几百欧姆，而干扰源的阻抗较大，通常为105106Q。据分压

4、原理可知，即使干扰电压的幅度较大，但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小，只能形成很微弱的电流，由于没有足够的能量而不能使二极体发光，从而被抑制掉了。(2)光电耦合器的输入回路与输出回路之间没有电气联系，也没有共地；之间的分布电容极小，而绝缘电阻又很大，因此回路一边的各种干扰杂讯都很难通过光电耦合器馈送到另一边去，避免了共阻抗耦合的干扰信号的产生。(3)光电耦合器可起到很好的安全保障作用，即使当外部设备出现故障，甚至输入信号线短接时，也不会损坏仪表。因为光耦合器件的输入回路和输出回路之间可以承受几千伏的高压。(4)光电耦合器的回应速度极快，其回应延迟时间只有10 P s左右，适于对回应速度要

5、 求很高的场合。光耦的相关参数：一、输入特性：光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有：(1).正向工作电压 Vf ( Forward Voltage )Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率 LED通常以lf=20mA来测试正 向工作电压，当然不同的LED,测试条件和测试结果也会不一样。(2 )反向电压 Vr (Reverse Voltage )是指LED所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED在使用交流脉冲驱动LED时，要特别注意不要超过反向电压。(3) 反向电流 Ir (Reverse Current )通常指在最大反向电压情况

6、下，流过LED的反向电流。(4)允许功耗 Pd (Maximum Power Dissipation )LED所能承受的最大功耗值。超过此功耗，可能会损坏LEDb(5 )中心波长 入 p (Peak Wave Length )是指LED所发出光的中心波长值。波长直接决定光的颜色，对于双色或多色LED,会有几个不同的中心波长值。(6)正向工作电流 If ( Forward Current )If是指LED正常发光时所流过的正向电流值。不同的LED,其允许流过的最大电流也会不一 样。采用高效率的LED和高增益的接收放大电路可以降低驱动电流的需求。较小的If可以降低系统功耗，并降低LED的衰减，提高

7、系统长期可靠性。如下图 AVAGOt耦系列所示，HCPL-4701系列 可做到40uA的导通电流，大大降低系统功耗。询歹U 1.6mA0.5 mAHCPL-47Q1 象歹fj 4G) iAGN135熄系列 mA 6N137条列S mAHCPU4503mAHCPL-261AHCPL450412 mAHCPU4506 10 mA(7)正向脉冲工作电流Ifp (Peak Forward Curre nt )Ifp是指流过LED的正向脉冲电流值。为保证寿命，通常会采用脉冲形式来驱动LED,通常LED规格书中给中的Ifp是以0.1ms脉冲宽度，占空比为1/10的脉冲电流来计算的。二、输出特性：光耦合器的

8、输出特性实际也就是其内部光敏三极管的特性，与普通的三极管类似。常见的参数有：(1) 集电极电流 lc (Collector Current ) 光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。(2)集电极-发射极电压 Vceo( C-E Voltage ) 集电极-发射极所能承受的电压。(3)发射极-集电极电压 Veco ( E-C Voltage )发射极-集电极所能承受的电压(4)反向截止电流Iceo发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。(5) C-E 饱和电压 Vce(sat) ( C-E Saturation Voltage )发光二极管工作

9、电流IF和集电极电流IC为规定值时，弁保持IC/IF CTRmi门时(CTRmin在被 测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。三、传输特性：电流传输比 CTR( Curre nt Tran sfer Radio )输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR上升时间 Tr ( Rise Time ) & 下降时间 Tf ( Fall Time )光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%所需时间为脉冲下降时

10、间tf。传输延迟时间tPHL,tPLH :从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHLo从输入脉冲后沿幅度的 50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH o四、隔离特性：(1 )入出间隔离电压 Vio (Isolation Voltage ) 光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。(2 )入出间隔离电容 Cio (Isolation Capacitanee):光耦合器件输入端和输出端之间的电容值(3 )入出间隔离电阻 Rio :(Isolation Resista nee )半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。共模抑制

11、比CMTRCMTR盼亦每微秤尤隅能存祚的呆人扶投电”升戒向曙率，这个需敕在I业陶用叩奇关重妄，比如电机们劫和制幼的过秤叩都余带来极大的捉模嗓声.输出岛中平时共模抑制比U5 )CMI珅俞出低中一刊寸棋种制比（V/us）电用窗变瞬变脉冲帕值=|叫1 irjinhh-iiDAvago比耦便用阴琐关犍授术去耦屏康膜和辿特的封装设计，具有业舛铀九日勺CMR性能-光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比 CTR输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压 V （BR） CEO集电极-发射极饱和压降VCE （sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时

12、间、延迟时间和 存储时间 等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列原则：所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准；由英国埃索柯姆（Isocom）公司、美国 FAIRCHILD 生产的4NXX系列（如 4N25、4N26、4N35 ） 光耦 合器，在国内应用地十分普遍。可以用于单片机的输出隔离；所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。 光耦工作原理详解以一个简单的图（图.1 ）说明光耦的工作：原

13、边输入信号Vin,施加到原边的发光二极管和Ri上产生光耦的输入电流If , If驱动发光二极管，使得副边的光敏三极管导通，回路VCC RL产生lc,lc经过RL产生Vout,达到传递信号的目的。原边副边直接的驱动关联是CTR （电流VlH oLfrk传输比），要满足Ic If*CTR 。O VccJc-O VoiJT图.1光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦，工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降0.4V , Vout约等于 Vcc (Vcc-0.4V 左右)，Vout大小只受 Vcc大小影响。止匕时lclf*CTR ,此工作 状态用于传递逻辑开关信号。工作在线性状态的光耦，lc=

14、lf*CTR ,副边三极管压降的大小等于Vcc-Ic*RLVout= Ic*RL =(Vin-1.6V)/Ri* CTR*RL , Vout 大小直接与 Vin 成比例，一般用于反馈环路里面(1.6V是粗略估计，实际要按器件资料，后续1.6V同)。兀叔涉曰IJL杆二悔曰电路国OVccX 二-O Volt前级电流电流限制条杵O77TIfXc 确造，二槽管副 边电流通道大 小确定，实师的比不能丈于该通道饱和/ 开关状态当乩相俏大时CTP+If光导通时，Vout0 V当肚阳值大时，Vcc傀昧It二极菅导通时 1 Vout0 V放大/线性状态营 RJ且值 TAL Vcc/R. CIR+If 九光需副边

15、会提高光fi三援菅的辱逋压降限制实阪的“在电流通道内(Ic =CTR+If)*光播导通时，Vout输 +.*卜 上i Vi in绛中出年仝卜当乩阻值中时Vcc/L f * lb此时，三 极管会提高菅压降，限制宓际 的Ic在 电流通道内(氐=八* bh三 极菅导通 时，Vout输出犬小与Vin有线光耦CTR详解概要：对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通时CTR有一定余量；CTR受多个因素影响。一、光耦能否可靠导通实际计算举例分析，例如图,1中的光耦电路，假设Ri = 1k,Ro =1k,光耦CTR= 50%光耦导通时假设二极管压降为1.6V,副边三极管饱和导通压降Vce=0.4V o输入信号

16、Vi是5V的方 波，输出Vcc是3.3V。Vout能得到3.3V的方波吗？我们来算算：If = (Vi-1.6V)/Ri= 3.4mA副边的电流限制：Ic TOC o 1-5 h z CTR*If =1.7mA假设副边要饱和导通，那么需要Ic =(3.3V- 0.4V)/1k= 2.9mA ,大于电流通道限制，所以导通时，Ic会被光耦限制到 1.7mA, Vout = Ro*1.7mA =1.7V所以副边彳#到的是1.7V的方波。为什么得不到3.3V的方波，可以理解为图,1光耦电路的电流驱动能力小，只能驱动1.7mA的电流，所以光耦会增大副边三极管的导通压降来限制副边的电流到1.7mA o解决

17、措施：增大If ;增大CTR减小Ic。对应措施为：减小 Ri阻值；更换大 CTR光耦；增 大Ro阻 值。将上述参数稍加优化，假设增大Ri到200欧姆，其他一切条件都不变，Vout能得到3.3V的方波吗？Ic重新计算：If = （Vi -1.6V） /Ri = 17mA副边电流限制w CTR*lf =8.5mA，远大于副边饱和导通需要的电流（2.9mA）,所 以实际Ic = 2.9mA。所以，更改Ri后，Vout输出3.3V的方波。开关状态的光耦，实际计算时，一般将电路能正常工作需要的最大Ic与原边能提供的最小If之间Ic/If的比值与光耦的 CTR参数做比较，如果Ic/If w CTR说明光耦

18、能可靠导 通。一般会预留一 点余量（建议小于 CTR的90%。二、CTR受那些因素影响上一节说到设计时要保证一定CTR余量。就是因为CTR的大小受众多因素影响，这些因素之中既有导致CTR只离散的因素（不同光耦），又有与 CTR有一致性的参数（壳温/If/寿命）。（1）光耦本身离散性：下图是 2801不同批次光耦的 CTR手册上一般给的都是lf=5mA时的值，可以看到不同 DATECOD的有差异，但 CTR直都在规格（130-260 ）范围内。Normal!- at TA =VCC = ized to 1J25 G IF.5 V VO 二=16 mA-04 V71 y-25025 5Q 7510

19、0/If=16mA这个条件下，CTR是一个确定的值，都能确定在15%35%以内。因此计算开关光耦的导通时，要以下限进行计算，弁且保证有余量。计算关断时要以上限。（2）温度影响：以8701为例Ta=25C条件下的CTR下限确定了，但往往产品里面温度范围比较大，比如光耦会工作在（-575 C）下，此种情况下 CTR怎么确定？还是看 8701的手册：有Ta-CTR关系图: L6 1.4 1.2 1.0 0.B 0.6 0.4 0.2 0.0-50Ambient Temperature, T a ( C)-5度下的CTR是25度下的从图中看出，以25度的为基准，在其他条件不变的情况下,0.9倍左右，7

20、5度下最小与25度下的CTR持平。所以在 16mA/(-575 C)条件下，8701 的 CTR 最小值是 15%*0.9 = 13.5%(3)原边电流IF影响某一批次的2801 CTR 值:I F (VCE=5V#1#2#3#4#5#6#71mA88.3%90.48%90.57%86.56%87.1%85.12%87.39%2mA133%130%130%125%135%122%126%3mA150%154%154%147%151%139%150%5mA177%187%183%177%178%170%177%IF不同，CTR不同，且差异非常大。此时CTR计算可参考(以8701为例)：假设如果实

21、际的If是3.4mA ,那么如何确定 CTR在lf=3.4mA / Ta=(-575 C )条件下的最小 CTR值查看8701的If-CTR曲线。图中给出了三条曲线，代表抽取了三个样品做测试得到的If-CTR曲线，实际只需要一个样品的曲线即可。) trHo imo6050403020100510500.5Forward Current. I f (mA)注：此图容易理解为下限/典型/上限三个曲线，其实不然。大部分图表曲线只是一个相对关系图,不能图中读出绝对的参数值。计算：选用最上面一条样品曲线，由图中查出，If=16mA 时 CTR 大概 28%在 If=3.4mA 时 CTR 大概在 46%

22、 3.4mA 是 16mA 时的 46%/28% = 1.64 倍；所以，在 lf=3.4mA / (-575 C ) , CTR 下限为 13.5% * 1.64 = 22.2%(4) VCE的影响lc,lf,Vce关系曲线:10110519310410&lime (Hr)CTR值与工作时间，工作电流，工作温度关系曲线由图表可看出：工作时间越长，CTR值越小；工作温度越高，CTR值越小； 工作电流越大,CTR值越小；在设计选型时，在规格书规定的工作环境温度下，为了保证产品足够寿命，需 要选取 合适的工作电流。通过以上影响CTR的因素，离散性、温度、If、VCE寿命，这几个因数综合起来，结合电

23、路设计的功耗，确定 If,根据现场使用环境确定温度范围，确定CTR值的下限。根据CTR值的下限及传输速率要求，确定原边及副边的负载电阻。光耦的传输特性前面介绍光耦的参数时介绍涉及传输特性的几个参数，上升时间Tr ( Rise Time )&下降时间Tf( Fall Time )，传输延迟时间tPHL及tPLH。这几个参数在不同光耦厂家的定义略有不同,但表征意义基本相同。由于光耦自身存在分布电容，对传输速度造成影响，光敏三极管存在分布电容Cbe。Ju ncttbetpacergckUgsidey由于CB间接电容的存在，造成输入与输出信号间有个延迟时间，部分光藕在使用中将B极与地间加个电阻来减少延

24、迟时间；设计，选型，替代注意：在设计选型时，要了解光耦在信号传输时，有时间的延迟问题，因此选型根据产品的工作频率来选定不同传输速率的光耦，部分可通过调整电阻来改变频率响应；光耦的传输延时tPHL及tPLH :以8701为例*1 Test circjit for propagation delay timeo Vcc = 5V才# Rl = 2 2o Vc (Monitor)f CL = 16 pFCi is approximately 1 5 pF Ahich includes probe and stra wiring capacitancePirflpggatiM Del 町 Time-W

25、-I16mA= V.RL = 2 2kH.C. u 15 pF0508Propagation Delay Time fL t0.612涉及到两个参数：光耦导通延时tphl和光耦关断延时tplh，以8701为例：在lf=16mA/lc=2mA 时候,8701传递500k以上的开关信号就需要不能满导通延时最大1.2uS,关断延时最大0.8uS。所以用F图是一个实测的延时波形（ch4原边（红），ch2副边（绿）BW Unit V? rni? r IProb*QMnnd 1 M? nu* CmcM 呻 I对于tp参数的设计更应该考虑余量，因为tp参数也受其他因素影响较多O足。（1）受温度影响 8701的Ta-lf特征曲线：温度升高，开关延时都会增大。NORMALIZED PROPAGATION DELAYTIME vs. AMBIENT TEMPERATURED PQZTOLUAmbient Temperature, T a ( C)(2)受原边If大小影响8701的tp-lf特征曲线：If增大，导通延时减小，关断延时增大。PROPAGATION DELAY TIMEFORWARD CURR