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文档简介

1、S3C2410存储系统设计1MMU 内存管理部件MMU通过内存映射技术实现虚拟空间到物理空间的映射。在系统加电时，将ROM/FLASH映射为地址0 x00000000，这样可以进行一些初始化处理；当这些初始化完成后将RAM地址映射为0 x00000000，并把系统程序加载到RAM中运行，这样很好地解决了嵌入式系统的需要。23利用1块8位ROM芯片扩展8位ROM存储器4利用2块8位ROM芯片扩展16位ROM存储器5利用4块8位ROM芯片扩展32位ROM存储器6利用1块16位ROM芯片扩展16位ROM存储器7利用1块16位SRAM芯片扩展16位SRAM存储器8利用2块16位SRAM芯片32位SRA

2、M存储器9利用1块16位（4M16）SDRAM芯片扩展16位SDRAM存储器10利用2块16位（4M16）SDRAM芯片扩展32位SDRAM存储器11ARM 核心板12NAND flash和NOR flashNAND Flash可独立成为外存，也可组成其他各种类型的电子盘如USB盘、CF、SD和MMC存储卡等。NAND Flash强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND Flash具有容量大、回写速度快、芯片面积小等特点，主要用于外存。NOR Flash具有随机存储速度快、电压低、功耗低、稳定性高等特点，主要用于主存13NANd flash和NOR flash性能比较NOR的读速度比NAND稍快一些NAND的写入速度比NOR快很多NAND的擦除速度远比NOR的快大多数写入操作需要先进行擦除操作NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少14NAND flash和NOR flash接口比较NOR flash带有SRAM接口，线性寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节NAND flash使用复用接口和控制IO多次寻址存取数据NAND flash读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理，此类操作易于取代硬盘等类似的块设备15S3C2410与NAND Fl

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