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1、其它类型存储器简介数字电子技术2022/7/272 其它类型存储器简介1. EEPROM用电气方法在线擦除和编程的只读存储器。 存储单元采用浮栅隧道氧化层MOS管。写入的数据在常温下至少可以保存十年，擦除/写入次数为万次 10万次。 2. 快闪存储器Flash Memory 采用与EPROM中的叠栅MOS管相似的结构，同时保留了EEPROM用隧道效应擦除的快捷特性。理论上属于ROM型存储器；功能上相当于RAM。 单片容量已达64MB，并正在开发256MB的快闪存储器。可重写编程的次数已达100万次。 2022/7/273由美国Dallas半导体公司推出，为封装一体化的电池后备供电的静态读写存储

2、器。 它以高容量长寿命锂电池为后备电源，在低功耗的SRAM芯片上加上可靠的数据保护电路所构成。 其性能和使用方法与SRAM一样，在断电情况下，所存储的信息可保存10年。 其缺点主要是体积稍大，价格较高。 此外，还有一种nvSRAM，不需电池作后备电源，它的非易失性是由其内部机理决定的。 已越来越多地取代EPROM，并广泛应用于通信设备、办公设备、医疗设备、工业控制等领域。 3. 非易失性静态读写存储器NVSRAM 2022/7/274串行存储器是为适应某些设备对元器件的低功耗和小型化的要求而设计的。 主要特点：所存储的数据是按一定顺序串行写入和读出的，故对每个存储单元的访问与它在存储器中的位置

3、有关。4. 串行存储器 5.多端口存储器MPRAM多端口存储器是为适应更复杂的信息处理需要而设计的一种在多处理机应用系统中使用的存储器。 特点：有多套独立的地址机构(即多个端口)，共享存储单元的数据。 多端口RAM一般可分为双端口SRAM、VRAM、FIFO、MPRAM等几类。 2022/7/275表9-4 常见存储器规格型号 类型 容量SRAMEPROMEEPROMFLASHNVSRAM双口RAM2 K86116 27162816DS1213B7132/71364 K8 2732DS1213B8 K86264 27642864DS1213B16 K8 2712832 K862256 272562825628F256DS1213D64 K8 275122851228F512128 K8628128 270102801028F010DS1213D256 K8628256 270202802028F020512 K8628512 27040280

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